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第4个Sicomb通讯
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。
采用 AMPS 的 a-SiC/i 界面/n-Si 异质结太阳能电池...
在本研究中，使用微电子和光子结构分析 (AMPS-1D) 模拟器检查并表征了异质结 (P + a-SiC/i 本征/n-Si) 太阳能电池。在这种异质结太阳能电池中，施加了本征层以提高效率和性能。使用该本征层，可以实现 36.52% (Voc = 1 714 V、Jsc = 27 006 mA/cm 2 和 FF = 0 789) 的最佳效率。还观察了没有本征层的太阳能电池。在这种情况下，观察到的最大效率为 2.378%，这非常差。还研究了具有电子阻挡层 (EBL) 和缺陷层的异质结太阳能电池。在这种情况下，模拟结果显示效率 (34.357%) 低于之前。本研究论文介绍了一种异质结太阳能电池的优化模型，该模型通过增加本征层来提高效率。所提出的设计在其理论框架中显示出巨大的潜力。展望未来，该设计可以在实验室环境中实现，并有可能扩大应用范围。
通过搅拌铸造来推进用粉煤灰和SIC加固的铝基复合材料
摘要：这项研究通过搅拌铸造通过粉煤灰和碳化硅（SIC）钢筋的整合来探索基于铝的复合材料的进步。该过程涉及在700°C的消声炉中熔化合金，逐渐引入粉煤灰和SIC颗粒，同时在450 rpm搅拌12分钟以确保分散体均匀。添加5％SIC和2.5％的粉煤灰导致多种机械性能的显着改善。Tensile强度的显着增强大约增长了约19.56％，而硬度却显示出大约34.67％的大幅增长。此外，疲劳强度显着提高了约26.87％，耐耐磨性的显着增强约为31.45％。这些增强功能强调了整合粉煤灰和SIC钢筋的功效，突出了具有优质机械性能的晚期铝合作材料的潜力。这种方法提出了提高材料性能的有前途的途径，对需要耐用性，强度和耐磨性的各种工业应用产生了影响。
基于石墨烯/SIC的D-Band ...
Abstrac T： - 基于异构结构的石墨烯/4H-SIC和基于同型的石墨烯，4H-SIC双滴区（DDR）影响电离雪崩传输时间（IMPATT）DIODES DIODES在140GZ处于140GZ的作用。通过使用漂移扩散模型，作者研究了DC，硫二极管的小信号特性。全面的仿真结果表明，与其他同行相比，石墨烯/4H-SIC DDR IMPATT在效率和输出功率方面的表现更好。石墨烯/4H-SIC DDR支持用理想的偏置电流密度为6.51×10 8 A/m 2，得出的转化效率分别为18.4％，输出功率分别为38.73W，表明其优于其他损耗的优势。这项工作中的设计发现非常有前途，并且在实现这些二极管的用于毫米波通信系统关键字的这些二极管：石墨烯，异质结构，碳化硅（SIC），双滴型区域（DDR），sppt。1。简介
比较Al2O3，SIC和B4C作为抗弹道抗性的...
摘要 - 陶瓷装甲材料旨在保护人和车辆免受弹道损伤。当前，重点是开发具有难以实现的特性的陶瓷，例如高弹道性能和低重量。在过去的三十年中，陶瓷材料的发展导致其性质和结构均匀性的不断改善。但是，这些特性与陶瓷的弹道性能之间的关系尚不清楚。本文回顾了对陶瓷装甲故障阶段的当前理解以及评估弹道性能的方法。在氧化铝和碳化硅和碳化物碳化硅之间进行了比较。尽管陶瓷材料的开发积极地有助于提高其性质，但它们与弹道性能的关系仍然是一个谜。这项研究试图进一步了解陶瓷装甲的故障阶段以及如何评估其性能。对三种主要陶瓷材料进行了比较：氧化铝，碳化硅和碳化物，以更好地了解它们在弹道保护中的特性和潜在应用。
集成 SiC 平台中的纠缠光子对生成
摘要：纠缠在量子信息处理中起着至关重要的作用。由于其独特的材料特性，碳化硅最近成为可扩展实现先进量子信息处理能力的有希望的候选者。然而，迄今为止，在碳化硅中仅报道了核自旋的纠缠，而纠缠光子源，无论是基于块体还是芯片级技术，仍然难以捉摸。在这里，我们首次报告了集成碳化硅平台中纠缠光子源的演示。具体而言，通过在4H绝缘体上碳化硅平台中的紧凑微环谐振器中实现自发四波混频，在电信C波段波长处有效地产生强相关的光子对。在泵浦功率为 0 时，最大巧合与意外比率超过 600。17 mW，对应的成对率为 ( 9 ± 1 ) × 10 3 对/秒。针对此类信号-闲置光子对创建并验证了能量-时间纠缠，双光子干涉条纹的可见度大于 99%。还测量了预期的单光子特性，预期的 𝑔 ( 2 ) ( 0 ) 约为 10 − 3 ，表明 SiC 平台有望成为量子应用的完全集成、CMOS 兼容的单光子源。
三安半导体与 Luminus Devices 合作，将 SiC 和 GaN 功率半导体产品引入美洲
加州桑尼维尔，2024 年 1 月 8 日，宽带隙功率半导体材料、组件和代工服务领域的新兴领导者三安半导体宣布 Luminus Devices 为其在美洲的独家销售渠道。这是一个自然而然的选择，因为两家公司都是三安光电的子公司，三安光电是化合物半导体创新者和全球最大的 LED 芯片制造商。这种合作的时机非常理想，因为近年来，各种电力相关行业的客户都因交货时间过长而受到影响，尤其是碳化硅 (SiC) 晶圆、肖特基二极管和 MOSFET。三安最近在中国长沙完成了价值 20 亿美元的“超级工厂”的建设，现在有能力为客户提供交货时间短的产品和代工服务，大多数产品的交货时间最短为 8 周。这座超级工厂的产能也使三安成为中国最大的垂直整合 SiC 制造商，也是全球第三大制造商。三安计划专注于代工服务，为需要 SiC 基板、外延片或裸片安全供应的成熟半导体公司提供支持。同时，三安提供 SiC 肖特基二极管和 SiC MOSFET 的交钥匙解决方案，为可再生能源和各种应用领域的新兴客户提供支持，例如工业电源、风力发电、储能、电机驱动、数据中心、暖通空调、电动汽车 (EV) 充电、光伏和其他高功率场景，在这些场景中，SiC 的优势可提供必要的稳健性、价值和效率。
SiC 中的 NV 中心：量子计算技术的解决方案？
金刚石和最近的碳化硅中的自旋 S = 1 中心已被确定为可用于各种量子技术的有趣固态量子比特。金刚石中氮空位中心 (NV) 是研究较多的案例，被认为是适用于大多数应用的量子比特，但也存在重大缺点。最近的研究表明，SiC 中的双空位 (V Si VC ) ° 和 NV (V Si NC ) 中心可以克服许多缺点，例如与微电子技术、纳米结构以及 n 型和 p 型掺杂的兼容性。特别是，4H-SiC 多型体是一种广泛用于功率器件的微电子半导体，这些问题已经得到解决，并且大规模基板 (300mmm) 可供商业化使用。研究较少的 3C 多型体可以拥有相同的中心 (VV、NV)，并且具有额外的优势，因为它可以在 Si 上外延，从而允许与 Si 技术集成。执行光学操控和自旋状态检测的光谱范围从金刚石中 NV 中心的可见光 632 nm 移至 SiC 中双空位和 NV 中心的近红外 1200 – 1300 nm（电信波长）。然而，还有其他关键参数对于可靠的信息处理至关重要，例如自旋相干时间、芯片上的确定性位置和受控缺陷浓度。在这篇评论中，我们重新审视并比较了金刚石中 NV 中心以及 4H 和 3C-SiC 中双空位和 NV 中心的一些基本特性。
通过嵌入 SiC 半导体实现高压电源模块的概念
具有集成电气隔离，如陶瓷基板。安装半导体的首选方法是低压低温银烧结工艺。该方法具有一些优点：首先，它能够在大型面板格式上组装芯片，从而实现高度并行处理。此外，芯片粘合精度对后续工艺步骤很重要，主要取决于芯片粘合工艺的精度，因为除了