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CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压窗口指南
3.1 1200 V 器件准则 ...................................................................................................................................... 7
碳化硅超表面中强耦合声子极化子的光谱和干涉和频成像
声子极化子能够实现红外光的波导和定位，具有极强的限制性和低损耗。通常使用互补技术（例如近场光学显微镜和远场反射光谱）来探测此类极化子的空间传播和光谱共振。这里，介绍了红外-可见和频光谱显微镜作为声子极化子光谱成像的工具。该技术同时提供亚波长空间分辨率和高分辨率光谱共振信息。这是通过使用可调红外激光共振激发极化子和对上转换光进行宽场显微镜检测来实现的。该技术用于对 SiC 微柱超表面中局部和传播表面声子极化子的杂交和强耦合进行成像。光谱显微镜允许通过角度相关共振成像同时测量动量空间中的极化子色散，并通过极化子干涉测量法在实空间中测量极化子色散。值得注意的是，可以直接成像强耦合如何影响极化子的空间定位，而这是传统光谱技术无法实现的。在强耦合阻止极化子传播到超表面的激发频率下观察到边缘态的形成。该技术适用于具有破坏反演对称性的广泛极化子材料，可用作快速、非微扰工具来成像极化子杂化和传播。
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第三阶段将是最终层中掺杂水平的控制，该阶段针对N型，绝对浓度约为10 16 cm -3，代表低相对原子浓度的低相对原子浓度，为100 ppb。GAN材料（<10 ppb）所需的纯度水平以及对N型植物的控制，在2000年代已经在蓝宝石底物上证明，但据我们所知，在硅底物上却没有证明。
探索宽带隙半导体中的高自旋颜色中心SIC：全面的磁共振研究（EPR和Endor分析）
1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M. ）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.） 4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M. Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。 2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M.）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.）4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M.Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M.）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）
高级/首席 SiC 工艺开发工程师 (男/女/其他)
您的工作内容 • 在现场或其他地点开发用于分立 SiC 功率产品（如二极管和 MOSFET）的模块和晶圆制造工艺 • 作为产品开发项目团队成员，与产品专家、工艺和生产工程师以及质量工程师组成多学科团队 • 在晶圆厂开展中小型工艺优化项目 • 积累硅和 SiC 晶圆工艺的专业知识（技术和程序） • 调查竞争对手的工艺和技术 • 建立并维护内部联系
戒烟对糖尿病的影响 - ...
摘要：本文研究了SIC MOSFETS身体二极管反向恢复的行为，这是不同工作条件的函数。对其效果的了解对于基于SIC设备的正确设计和驱动电源转换器至关重要，以优化旨在提高效率的MOSFET通勤。的确，反向恢复是切换瞬态的一部分，但由于其对恢复能量和电荷的影响，它具有重要作用。已正确选择了不同操作条件的集合，以防止或强迫测试设备的快速恢复。实验结果和特定的软件模拟揭示了文献中未知的现象。更具体地说，对反向恢复电荷Q RR的分析显示，在高温下，两种意外现象：随着栅极电压的增加，它会降低；设备阈值越高，Q RR越高。TCAD-SILVACO（ATLASv。5.29.0.c）模拟表明，这是由于换向过程中输出电容电压变化而导致漂移区域流动的位移电流引起的。从对快速恢复的分析中，它已经出现了最小的正向电流斜率，即使在高电流水平上，反向恢复也不是活跃的。达到此电流斜率后，Q RR仅随正流电流而变化。
频率压接式 SiC FET 模块
本文由内布拉斯加大学林肯分校 DigitalCommons 电气与计算机工程系免费提供给您，供您免费访问。它已被内布拉斯加大学林肯分校 DigitalCommons 授权管理员接受并纳入电气与计算机工程系：学位论文、毕业论文和学生研究。
胺添加剂对SIC的热失控抑制|| NCM811电池的影响
具有高镍含量的NCM电池的高能密度是替换化石燃料和促进清洁能源开发的关键优势，同时也是电池严重安全危害的根本原因。一级和次级胺可以导致公共碳酸盐电解质的开环聚合，从而导致阴极和阳极之间的隔离层，并改善电池的热安全性。在这项工作中，根据胺和电池组件之间的化学反应，在材料水平和细胞水平上都考虑了电池的安全性。在材料水平上，通过差分扫描量热法测试了胺添加剂对锂离子电池不同组件的热稳定性的影响。在细胞水平上，通过使用加速速率量热计提取热失控（TR）特性温度，测试了带有和没有添加剂的整个电池的安全性。胺的添加导致电池组件之间的某些化学反应的早期发作，以及总热量释放的显着降低和最大温度上升速率的降低，从而有效地抑制了TR。
通过精密植入和分析设计 SiC 量子系统
量子信息科学为计算、通信和传感的革命带来了巨大的希望。这些进步的核心是宽带隙半导体中的固态缺陷中心。缺陷中心是材料原子晶格中由各种因素引起的微小缺陷，包括缺失原子（空位）、通常处于空位位置的原子（间隙原子）以及材料成分中不固有的外来原子的存在。这些缺陷可能具有与之相关的特定自旋状态。这些离散的自旋能态可用作量子比特（量子位），用于存储和操纵信息。虽然与传统计算中的 0 和 1 的二进制系统相似，但量子位增加了叠加等独特行为，从而显著提高了信息密度。金刚石中的氮空位中心作为量子位的可能自旋缺陷，在固态量子信息处理领域引起了最多的关注。但是，碳化硅 (SiC) 是一种广受欢迎的宽带隙半导体，通常用于高功率电子和恶劣环境应用，作为量子平台也具有很大的前景。1
3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
• BESS 使用隔离拓扑（例如双有源桥 (DAB) 后接有源前端转换器 (AFEC)）集成到 MV 电网（2.3 kV、4.16 kV 或 13.8 kV） • 与两级拓扑相比，3 级中性点钳位拓扑既降低了滤波器要求，又降低了 SiC MOSFET 两端的电压应力 • 根据电网电压，可以串联 SiC 3.3 kV MOSFET 二极管器件