由于光电中的许多应用,有机材料中的能量转移进行了广泛的研究。分子组件内的电子和振动弛豫可以受到堆叠布置或添加将它们串通的骨架的添加的影响。在这里,我们介绍了二酰亚胺单体的光激发动力学以及面对面堆叠的二聚体和三聚体的计算研究。通过使用非绝热激发态分子动力学模拟,我们表明非辐射弛豫与堆叠分子的数量一起加速。这种效应是由影响其相应非绝热耦合的状态之间的能量分解的差异来解释的。此外,我们对振动动力学的分析表明,通过参与堆叠系统松弛的不同圆锥形交叉点的通道激活了积极的反馈机制。此效果涉及一组狭窄的振动正常模式,该模式通过提高其振动动力学的效率来加速过程。相比之下,由于其参与分子堆叠布置的振动动力学,增加了生物学启发的主链降低了松弛率。我们的结果表明,堆叠布置和常见的骨干是调节基于二酰亚胺的系统和其他分子聚集体的电子和振动松弛效率的策略。简介
摘要 — 随着可变可再生能源在电力结构中的份额不断增加,需要新的解决方案来构建灵活可靠的电网。电池存储系统的能源套利通过转移需求和提高电力生产系统的整体利用率来支持可再生能源融入电网。在本文中,我们提出了一种用于日前市场能源套利的混合整数线性规划模型,该模型考虑了希望从其存储资产中获得额外收入来源的资产所有者的运营和可用性约束。该方法以最佳方式安排与最有利可图的交易策略相关的充电和放电操作,并使用包括德国、法国、意大利、丹麦和西班牙在内的多个欧洲国家的电价,在一年的时间范围内实现了最高可获得利润的 80% 至 90%。
Cheng 等人 [1] 实现了与 Li 0.7 Ti 3 C 2 T 2 相当的容量(1C 电流密度下经过 200 次循环后容量为 100 mAh g −1,电流密度约为 100 mA g −1),而 Wang 等人 [2] 实现了与 ≈ Na 0.5 Ti 3 C 2 T 2 相当的容量(200 mA g −1 电流密度下经过 1000 次循环后容量为 70 mAh g −1,电流密度约为 3C)。隧道电子显微镜(TEM)还显示,在某些情况下可以插入多层 Na,[2] 在原子水平上每个原子级分子式单位可以有一个以上的 Na,即 Na > 1 Ti 3 C 2 T x 。另一方面,Mg 是一种在电池应用中具有挑战性的金属,其扩散速度慢、电解质-电极动力学复杂、质子嵌入和电解质分解问题严重[5–7],在微米级 Ti 3 C 2 T x 上测试时,仅显示出与 Mg 0.004 Ti 3 C 2 T 2 (≈ 1 mAh g − 1,25 次循环) 相当的容量。[3] 使用间隔基增加层间距离 [8] 和/或将 MXene 纳米化 [9,10] 已显示出更高的容量,但很难确定这些容量是由于可逆的 Mg 2 + 嵌入,还是由于表面反应、质子嵌入和/或电解质共嵌入 (如 MgCl + 嵌入的情况)。[5,6,11]
随着芯片技术的发展,摩尔定律在微电子工业中的运用可能接近极限,三维集成电路(3D-IC)技术可以克服摩尔定律的限制,具有高集成度、高性能和低功耗的优势[1-3]。因此,3D IC中的芯片堆叠引起了电子工业的广泛关注,不同的键合技术被开发出来以保证芯片(或晶圆)的垂直堆叠,其中采用焊料的TLP键合已被提出作为实现低温键合和高温服务的有效方法。Talebanpour [4]采用Sn3.0Ag0.5Cu作为3D结构中的互连材料,经260 ℃回流温度和时效后获得了全IMC(Cu6Sn5/Cu3Sn)。储[5]研究了低温稳态瞬态液相(TLP)键合Cu/Sn/Cu和Ni/Sn/Ni焊点,分别检测到Cu 6 Sn 5 、Cu 3 Sn、Ni 3 Sn 4 、Ni 3 Sn 2 。陈[6]研究了基于TLP键合的Cu/Sn3.5Ag/Cu和Cu/Sn3.5Ag/Cu15Zn,焊点中检测到了Cu 6 Sn 5和Cu 6 (Sn, Zn) 5 ,研究发现Cu 6 Sn 5 由于其晶粒结构均一且脆性大,会降低键合可靠性;而Zn能有效地将均一晶粒结构修改为交错结构,从而提高键合可靠性。在3D IC结构中,完整IMC焊点在热循环载荷下的可靠性一直是重要的研究方向,有限元程序可以用来计算IMC焊点的应力-应变响应和疲劳寿命。田 [7] 研究了三维IMC接头的应力分析和结构优化
摘要:传统的飞机维修保障工作主要基于结构化数据。非结构化数据,如文本数据,尚未得到充分利用,这意味着资源的浪费。这些非结构化数据蕴含着巨大的故障知识库,可以为飞机维修保障工作提供决策支持。因此,本文提出了一种基于文本的故障诊断模型。所提方法利用Word2vec将文本单词映射到向量空间,然后将提取的文本特征向量输入基于堆叠集成学习方案的分类器。使用真实的飞机故障文本数据集验证了其性能。结果表明,所提方法的故障诊断准确率为97.35%,比次优方法提高了约2%。
1多功能磁光光谱技术中心(上海),纳米光学和高级工具工程研究中心(教育部),材料和电子科学学院材料系,东部中国师范大学,上海,200241年,200241年,200241年,200241 China 3 School of Computer Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, China 4 ASIC & System State Key Laboratory, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China 5 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China 6 Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, Fudan University, Shanghai 200433,中国
本研究使用线性近似近乎理想需求系统 (LAAIDS),利用 2018 年不同能源来源的横截面数据,分析了燃料使用模式是否遵循燃料堆叠假设以及影响沃利索镇家庭燃料使用的因素。模型的估计值受到新古典理论对需求的限制,并使用迭代看似不相关的回归 (ISUR) 估计模型。结果表明,家庭并没有完全转向消费新能源,正如能源阶梯假设所建议的那样,而是在燃料堆叠(能源结构)过程中实现能源消费多样化。此外,能源需求的支出弹性是支出弹性的。不仅如此,能源需求的交叉价格弹性表明研究区域存在能源替代和互补性。此外,我们确定了所有能源(煤油除外)的价格、家庭总能源支出、受教育年限、家庭规模和居住类型是能源支出份额的主要决定因素。我们建议让现代燃料更容易获得,影响家庭燃料使用的重要因素,与环境相关的规则和法规非常重要
摘要:单壁碳纳米管(SWCNTS)的捆绑显着破坏了它们的出色热和电性能。意识到稳定,均匀和表面活性剂 - 在溶剂和复合材料中的swcnt散发体长期以来一直被视为一个关键挑战。在这里,我们报告了含胺的芳香族和环己烷分子,这些分子是环氧固化的常见链扩展器(CES),可用于有效分散CNT。我们实现了CE溶剂中SWCNT的单管级分散,这是通过强性手性吸收和光致发光发射所证明的。SWCNT-CE分散体在环境条件下保持稳定数月。The excellent dispersibility and stability are attributed to the formation of an n-type charge-transfer complex through the NH − π interaction between the amine group of CEs and the delocalized π bond of SWCNTs, which is con fi rmed by the negative Seebeck coe ffi cient of the CE-functionalized SWCNT fi lms, the red shift of the G band in the Raman spectra, and the NH X射线光电子光谱中的−π峰。CES的高配置显着改善了宏观CNT组件的电气和热传输。通过HNO 3的功能修改后,在80.8%的光透射率下,CE分散的SWCNT薄膜的板电阻达到161Ω平方-1。CES交联CNT和环氧分子,在CNT/环氧纳米复合材料中形成了声子传输的途径。基于CE的NH-π相互作用为SWCNT在方便而可扩展的过程中的有效和稳定分散提供了新的范式。与原始环氧树脂相比,CE -CNT-环氧复合材料的热导率增强了1850%,这是CNT/Epoxy纳米复合材料迄今据报道的最高增强。关键字:碳纳米管,分散,电荷转移,热界面材料,透明电极,功能化■简介
摘要:空心线圈电流互感器是数字化变电站建设中的关键设备,但与传统的电磁式电流互感器相比,其更容易受到各种故障的影响。为了了解各种参数对空心线圈电流互感器性能的影响,该文利用最大信息系数法研究了这些因素的影响,并分析了影响因素对互感器误差的干扰机理。最后,采用Stacking模型融合算法对互感器误差进行预测。开发的基础模型由深度学习、集成学习和传统学习算法组成。与门控循环单元和极端梯度提升算法相比,本文提出的基于Stacking模型融合算法的预测模型具有更高的准确性和可靠性,有助于提高未来数字化变电站的性能和安全性。
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的,因为该方法可重复、可扩展,且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止,各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10],其中铜箔由于碳溶解度低,已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常,铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生,从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界,从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底,结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置,从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中,需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底(如 SiO 2 、SiC)。在许多情况下,转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知,基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面,Kraus 等人早些时候提出,铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上,即使在平坦的基底上,转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面,研究表明,在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外,在 Bernal 堆叠双层石墨烯中,在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27],这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后,这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现,在石墨烯生长过程中,衬底表面会重新构建为小平面,即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层(和三层)石墨烯中堆叠域形成过程中的作用,这些堆叠域在转移过程中得以保留。