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改进的电流模式生物秒阴影通用滤镜
摘要：在本文中，使用两个新的第二代电流输送机（CCIIS）的新变体（即电流输送机cascaded Transcadudcative Amplifier（CCCTA）和Extraf-X电流传送器转换器（Expla）Contractor Transcta（Excct and-Excct），使用了两种新变体，可以实现改良的单输入 - 型 - 型号（SIMO）电流模式生物模式的阴影普遍过滤器（SUF）。由CCCTA组成的非阴影通用滤波器（NSUF）的低通和传递输出通过使用一个Ex-CCCTA的两个放大器的反馈路径来实现所提出的SUF。它是无电的，仅利用两个接地电容器。同时获得了SUF的所有五个标准响应，例如低通（LP），高通（HP），带通（BP），带否（BR）和所有Pass（AP）。SUF比NSUF的主要优点是cccta和ex-cccta的偏置电流的极频率（ωO）和质量因子（Q o）的正交调整。由于适当的输入和输出阻抗，它适用于完全覆盖性。此外，它简化了集成的电路实现，因为所有电容器都是接地的，不需要电阻。它没有任何组件匹配的约束，并且消耗了4.1MW的功率。使用Cadence Virtuoso在TSMC技术中验证了理论结果。
NXP 利用 IPCEI ME/CT 资金扩大其在欧洲的研发规模 • 该资助由奥地利相关部委提供
恩智浦在 IPCEI ME/CT 资助的帮助下扩大了在欧洲的研发范围 • 这些资助由奥地利、德国、荷兰和罗马尼亚各自的部委提供 • 通过计划中的投资，恩智浦强调了其对欧洲更大创新和更大供应链稳定性的承诺，并在最近宣布的计划合资建设第一家欧洲台积电工厂的基础上再接再厉 荷兰埃因霍温，2023 年 9 月 19 日——恩智浦半导体公司 (NXP Semiconductors NV) (纳斯达克股票代码：NXPI) 正在通过各自国家提供的资助加强其在欧洲的研发，这是第二个欧洲“欧洲共同利益微电子和通信技术重要项目”(IPCEI ME/CT) 的一部分。最终的投资决定有待公共资金数额的确认。恩智浦位于奥地利、德国、荷兰和罗马尼亚的专门团队将为汽车、工业和网络安全领域开发创新。其中包括5纳米技术、先进的汽车驾驶辅助和电池管理系统、6G和超宽带，以及人工智能、RISC-V和后量子密码学。恩智浦总裁兼首席执行官 Kurt Sievers 表示：“恩智浦计划利用 IPCEI ME/CT 资金对奥地利、德国、荷兰和罗马尼亚的工厂进行投资，彰显了我们致力于为实现欧洲数字化和绿色转型做出重大贡献的承诺。” “它们强调了我们对欧洲更大创新和更大供应链稳定性的承诺，并对恩智浦计划参与台积电第一家欧洲代工厂的合资业务进行了补充。我们坚信扩大研究、开发和生产对欧洲至关重要。必须成功巩固这三个关键要素，才能增强欧洲半导体生态系统的弹性。”四国多个基地的广泛研发能力使得恩智浦能够推动创新，为欧盟工业战略的实施做出重要贡献。该公司将与来自欧洲各地工业和学术界的 50 多个合作伙伴组成的强大生态系统一起，专注于欧洲关键技术的发展。目前，没有其他参与IPCEI ME/CT的微电子公司计划在如此多的欧洲成员国进行投资。此外，恩智浦积极参与IPCEI ME/CT四个工作领域中的三个：“感知”、“思考”和“沟通”，这体现了恩智浦的领先领域和战略重点。继宣布对奥地利、德国、荷兰和罗马尼亚的投资计划后，该公司将与台积电、博世、英飞凌等共同成立一家名为ESMC（欧洲半导体制造公司）的合资公司，建设台积电在欧洲首个半导体制造工厂。计划中的300毫米半导体制造厂将建在德累斯顿，预计每月产能为4万片300毫米（12英寸）晶圆，采用台积电28/22纳米平面CMOS和16/12纳米FinFET工艺技术。合资企业将通过现代 FinFET 晶体管技术进一步加强欧洲半导体生态系统，并创造约 2,000 个新的高素质就业岗位。
使用水循环算法优化 CMOS 折叠共源共栅 OTA 的设计以提高性能
电子和通信等各个领域对高性能折叠共源共栅 CMOS OTA 的需求日益增长，要求它们具有宽带宽、高电压增益、紧凑设备和低功耗的特点。最近的研究表明，实施水循环算法 (WCA) 可以大大提高折叠共源共栅 CMOS 运算跨导放大器 (OTA) 的性能。这是因为 WCA 能够有效地执行全局搜索和局部探索。值得注意的是，所讨论的 OTA 采用 0.18µm TSMC 技术构建，工作电压为 ±1.8V。模拟结果是使用 PSPICE 软件 (版本 17.4) 收集的。这些设计解决方案表现出卓越的效率，可提供显着的放大、高频率和最低功耗。此外，本文还利用水循环算法演示了折叠共源共栅 CMOS 运算跨导放大器的实现和仿真结果，为此使用了 MATLAB。在折叠共源共栅 CMOS OTA 的 OTA 设计中使用 WCA 可显著提高性能指标。与无算法设计相比，电压增益显著增加，增益带宽增加了五倍。此外，与非 WCA 折叠共源共栅 CMOS OTA 设计相比，功耗降低了 15.5%，共模抑制比提高了 15.18%。结果突出了 WCA 技术作为一种强大的优化策略的有效性，可以提高折叠共源共栅 CMOS OTA 的性能。
使用有源电感和 1 /f 噪声消除的宽带低功耗 RF 至 BB 电流复用接收器，适用于 L 波段应用
摘要 本文提出了一种低功耗宽带射频到基带 (BB) 电流复用接收器 (CRR) 前端，它同时利用了 1/f 噪声消除 (NC) 技术和有源电感器 (AI)，工作频率为 1 GHz 至 1.7 GHz，适用于 L 波段应用，包括那些需要高调制带宽的应用。CRR 前端采用单电源，并与 BB 电路共享低噪声跨导放大器 (LNTA) 的偏置电流，以降低功耗。为了最大限度地减少下变频之前射频 (RF) 信号的损失，高阻抗 AI 电路将混频器输入与 CRR 输出节点隔离。1/f NC 电路可抑制泄漏到输出的 LNTA 低频噪声。带有 gm 增强的共栅极 LNTA 以及单端到差分 LC 平衡-不平衡转换器用于增强输入匹配、变频增益和噪声系数 (NF)。所提出的接收器采用 TSMC 130 nm CMOS 工艺制造，占用有效面积为 0.54mm 2 。输入匹配 (S 11 ) 在 1 GHz 至 1 . 7 GHz 范围内低于 − 10 dB。在本振 (LO) 频率为 1 . 3 GHz、中频 (IF) 为 10 MHz 和默认电流设置下，CRR 实现了 41 . 5 dB 的转换增益、6 . 5 dB 的双边带 (DSB) NF 和 − 28.2 dBm 的 IIP3，同时消耗 1.66 mA 电流，电源电压为 1 . 2 V。
用于电神经刺激的高度微型化、长期植入式 ASIC
我们提出了一种用于电刺激周围神经的无线、完全可植入设备，该设备由供电线圈、调谐网络、齐纳二极管、可选刺激参数和刺激器 IC 组成，全部封装在生物相容性硅胶中。13.56 MHz 的无线射频信号通过片上整流器为植入物供电。ASIC 采用台积电的 180 nm MS RF G 工艺设计，占地面积不到 1.2 平方毫米。该 IC 通过片上只读存储器实现外部可选的电流控制刺激，具有 32 个刺激参数（90 – 750 μA 幅度、100 μs 或 1 ms 脉冲宽度、15 或 50 Hz 频率）。IC 使用 8 位二进制加权 DAC 和 H 桥生成恒定电流波形。在最耗电的刺激参数下，刺激脉冲期间的平均功耗为 2.6 mW，电能传输效率约为 5.2%。除了台式和急性测试外，我们还在两只大鼠的坐骨神经上长期植入了两种版本的设备（一种是带导线的设计和一种是无导线的设计），以验证 IC 和整个系统的长期疗效。无导线设备的尺寸如下：高 0.45 厘米，长轴 1.85 厘米，短轴 1.34 厘米，带导线的设备尺寸类似
自适应恒流恒压模式P&
光伏 (PV) 能量收集已广泛应用于电池充电的能量存储应用中。收集电路有效收集的太阳能越多，充电效率就越高。许多论文使用了不同的 MPPT 方法来增强 PV 收集，这些方法需要 ADC 和 MCU，这不仅成本高昂，而且需要长时间的跟踪。提出了一种用于 20V/5 W 太阳能电池板的具有自适应恒流 (ACC)、恒压 (CV) 和最大功率跟踪 (MPPT) 控制的高压能量收集电路，用于在太阳能电池板的最大功率点变化时对锂离子电池进行恒流充电 (CC) 和恒压 (CV) 充电模式。在不同光强度条件下实施脉冲宽度调制 (PWM) 和脉冲频率调制 (PFM) 以提高效率。由扰动观察 (PBO) MPPT 算法控制的 ACC 模式提高了光源不足或电池电量低时的效率。当电池充满电时，激活 CV 模式可防止锂离子电池过度充电损坏。该能量收集电路采用台积电0.5μm超高压工艺制作，在0.1A~0.3A光电流范围内，该设计的峰值效率达到98%。
人工智能崛起：人工智能如何塑造全球......
13 Toews，“AI 芯片的地缘政治将决定 AI 的未来”。14 Tarasov，“苹果芯片实验室内部，这是该公司几十年来最“深刻变革”的发生地”；路透社，“彭博新闻报道，苹果计划以专注于 AI 的 M4 芯片彻底改造 Mac 产品线”。15 Satoh，“AMD 将考虑与台积电合作的“其他”代工厂：首席执行官 - 日经亚洲”。16 路透社，“Nvidia 在 AI 芯片领域的主导地位阻碍了对竞争对手初创企业的投资”。17 高通，“高通在 2023 年骁龙峰会上为设备带来破纪录的生成式 AI | 高通”。18 Michelle Cheng，“Nvidia 最大的客户也是这家 AI 芯片制造商的最大威胁”。19 Michelle Cheng。 20 Bratton，“谷歌的新芯片有望挑战 Nvidia、微软和亚马逊”。21 Bratton。22 Desineni 和 Tuv，“英特尔半导体制造环境中的高价值 AI。英特尔白皮书。”；Wheatley，“英特尔在先进芯片制造工艺方面取得进展，力争在 AI 领域占据一席之地 - SiliconANGLE”。23 路透社，“Nvidia 在 AI 芯片领域的主导地位阻碍了对竞争对手初创企业的投资”。24 Patil 等人，“半导体设计领导地位面临的日益严峻的挑战”。25 Zewe，“麻省理工学院制定战略，帮助美国重新获得半导体超级大国地位”。26 Lin，“在 AI 芯片竞赛中，谷歌 DeepMind 使用 AI 设计专用半导体”。
新加坡 - 半导体
地缘政治不确定性+构建供应链弹性=中国+1战略。尽管美国仍然以48%的份额占据全球半导体市场的最大份额，但中国的份额已从接近0%增长至7%。除了地缘政治不确定性之外，COVID-19造成的芯片和零部件供应严重中断，也促使企业重新考虑其供应链弹性，因此有必要实施中国+1战略。半导体行业的利润高度集中在最先进节点（3/5nm）的领先者手中。新加坡在7nm及以上的前沿节点上具有竞争优势。然而，成熟的节点也不容忽视，因为许多设备和装置都需要这些节点。台积电近一半的收入来自非前沿芯片（16nm及以上）。集成设备制造商（IDM）和外包半导体组装和测试（OSAT）的高端领域占据最佳位置。新加坡受地缘政治冲突影响有限，监管结构稳定，税收制度优惠，是寻求多元化发展的企业的理想选择。新加坡应重点关注高附加值活动，而 IDM 则是最佳选择。此外，还可以将范围扩大到高端 OSAT。贸易多元化的受益者：上游领域的 UMS、AEM 和 Grand Venture；下游领域的 Venture，其主要生产设施在中国境外。
现在，关于探索性固态计算设备和电路的IEEE期刊，有关论文的呼吁已开放。
目标和范围AI模型近年来在各种应用中不断显示出非凡的性能，包括计算机视觉，自然语言处理，大语言模型等。精确驱动的AI模型体系结构在很大程度上增加了模型尺寸和计算，尤其是要求高密度存储器存储。处理引擎与片上/芯片内存之间的频繁通信导致高能消耗，这成为AI硬件加速器设计的瓶颈。为了克服此类挑战，内存计算（IMC）和近存储计算（NMC）已被视为能效体AI加速度的有希望的方案。权重存储在存储单元中，并在内存阵列内或附近执行点产品或其他操作。关于IMC/NMC方案的内存技术，SRAM已经成熟，但挥发性很大，消耗了大面积（例如，8T/10T bitcells）和CMOS设备中的泄漏功率。这种缺点促进了非易失性记忆（NVM），作为基于区域有效的IMC/NMC AI加速度的有吸引力的解决方案。NVM包括电阻随机访问记忆（RRAM），相变内存（PCM），自旋转移 - 转移磁性磁随机访问记忆（STT- MRAM），铁电场效果记忆（FERAM，FEFET），FEFET，FEFET，FEFET），铁电容式设备等。值得注意的是，包括英特尔，TSMC，三星和Globalfoundries在内的铸造公司已商业化或原型构造单一集成的NVM技术，例如rram，mram，feram/fefet等。
全球质量基金 | 2024 年 12 月 31 日
对于 2024 年，行业配置是中性的，因为金融类股超配和低质量周期性行业（特别是材料、能源和房地产）零权重带来的好处大致平衡了消费必需品和医疗保健超配、通信服务低配以及投资组合少量现金头寸带来的拖累。在股票选择方面，相对表现不佳主要是因为 IT、消费必需品和金融行业的疲软。在 IT 领域，在 SAP 和台积电等强劲绝对表现者的推动下，该投资组合获得了可观的 +22% 行业回报率，但未能匹敌 IT 行业指数的 +33% 的大幅回报率，因为该投资组合偏向软件和 IT 服务，这占投资组合 IT 敞口的 70% 以上；在 2024 年，这明显落后于更具周期性的人工智能驱动的半导体和硬件子行业。另一种看待配置的方式是考虑“七侠荡寇志”的影响：该投资组合拥有微软和 Alphabet；然而，投资团队的高质量标准和严格的估值纪律使其无法持有另外五只股票。这使投资组合的相对业绩损失超过 500 个基点，其中超过一半归功于英伟达。在消费必需品和金融领域，相对疲软主要归因于上述少数股票特定问题，以及利洁时 (Reckitt Benckiser) 的股价因 3 月份美国州法院有关其婴儿配方奶粉的一起案件的负面判决而大幅下跌。在其重组策略和后来被判无罪的婴儿配方奶粉诉讼的帮助下，股价部分回升，之后我们退出了该仓位。