Sohrab Aftabjahani,英特尔 Ameen Akel,美光 Robert Boland,BAE 系统 Jeff Burns,IBM* Rosario Cammarota,高通* Jon Candelaria,SRC Gary Carpenter,ARM C.-P. Chang,应用材料 An Chen,IBM* Ching-Tzu Chen,IBM* Michael Chen,Mentor Graphics Paula Collins,德州仪器 Ken Curewitz,美光 Scott DeBoer,美光 Robert Doering,德州仪器 Sean Eilert,美光 Rich Fackenthal,美光 Mike Fitelson,诺斯罗普·格鲁曼 Patrick Groeneveld – 新思科技 James Hannon,IBM* Ken Hansen,SRC Daryl Hatano,安森美半导体 C.-M. Hung,联发科 David Isaacs,SIA Clas Jacobson,联合技术公司 Steve Johnston,英特尔 Lisa Jones,诺斯罗普·格鲁曼公司 Marc Joye,恩智浦 Ravi Kanjolia,EMD Performance Materials Thomas Kazior,雷神公司 Taffy Kingscott,IBM Curt Kolovson,VMWare Steve Kramer,美光* Zoran Krivokapic,格罗方德半导体 Ming-Ren Lin,格罗方德半导体* Yu-Ming Lin,台积电 Scott List,SRC
CMOS全加器。建议的全加器总共使用八个晶体管,功耗为4.604 μW,总面积为144 μm 2 。1-trit三元全加器(TFA)由Aloke等人[2]提出,作为波流水线三元数字系统构建的一个组件。在本文中,针对建议的三元全加器电路“SUM”实现了K-map。完整的TFA是在Tanner EDA V.16增强型标准工艺中设计和优化的,该工艺基于TSMC 65nm CMOS技术的BSIM4模型,温度为27°C,施加电压线为1.0Volt。0 Volt、0.5Volt和1.0Volt的值用于表示三元值“00”、“01”和“02”。 Sharmila Devi 和 Bhanumathi [3] 描述了如何使用单向逻辑门线来创建典型的 MCML 全加器,以接收 6 个输入信号来执行可逆门。使用 Tanner EDA 软件来设计和模拟此布置。在分析模拟数据后,建议的结果是 24,与 TSG 导向全加器、费米门导向全加器和费曼门导向全加器相比,系统地减少了 60%、66.66% 和 63.63%。
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器,具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点,几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面,MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案,而 e-flash 存在严重的经济障碍,阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面,MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品,以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而,由于速度限制和耐久性问题,很难取代L1或L2缓存SRAM,尤其是对于两端自旋转移矩(STT)MRAM [ 9 − 11 ] 。因此,需要进一步探索下一代MRAM器件。
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器,具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点,几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面,MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案,而 e-flash 存在严重的经济障碍,阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面,MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品,以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而,由于速度限制和耐久性问题,很难取代L1或L2缓存SRAM,尤其是对于两端自旋转移矩(STT)MRAM [ 9 − 11 ] 。因此,需要进一步探索下一代MRAM器件。
摘要 - 与硅相比,与2.5D异质整合的令人信服的选择已成为令人信服的选择。它允许以低成本直接安装在顶部的嵌入式模具与传统的翻转芯片模具之间的3D堆叠配置。此外,玻璃中的互连螺距和通过玻璃(TGV)直径与硅中的对应物相当。在这项研究中,我们研究了玻璃间插座提供的3D堆叠的功率,性能,面积(PPA),信号完整性(SI)和功率完整性(PI)优势(PI)优点。我们的研究采用了chiplet/封装共同设计方法,从RISC-V chiplets的RTL描述到最终的图形数据系统(GDS)布局,利用TSMC 28NM用于chiplets和Georgia Tech的Interposer的Georgia Tech的3D玻璃包装。与硅相比,玻璃插入器的面积降低了2.6倍,电线长度降低了21倍,全芯片功耗降低了17.72%,信号完整性增加了64.7%,功率完整性提高了10倍,热量增加了35%。此外,我们通过3D硅技术提供了详细的比较分析。它不仅突出了玻璃插入器的竞争优势,而且还为每个设计的潜在局限性和优化机会提供了重要的见解。
陈(Chen)博士:Entegris成立于1966年,并在马萨诸塞州比勒里卡(Billerica)的总部工作。我们在北美,欧洲和亚洲拥有全球足迹,全球有5800名员工。我们专门提供在半导体设备制造过程中使用的征用控制,关键材料处理和高级过程材料。我们的传统客户包括半导体设备制造商,为半导体设备制造商,天然气和化学制造公司提供设备的OEM,领先的晶圆晶圆厂公司以及高精度电子产品的制造商。英特尔,三星和TSMC是我们的一些客户。作为一家技术驱动的公司,我们拥有2,520家活跃的专利,另外还有1,050家正在待处理的专利。Entegris大约两年前正式进入生命科学行业。我们看到我们的核心技术可以帮助满足生命科学业务的未满足需求。我们将过滤和净化,流体管理和制造业卓越的专业知识带入了生命科学表。我们的单使用组件被领先的Covid-19疫苗提供商使用,因为它们的可提取且可浸出的曲线极低,γ兼容性,宽的工作温度窗口和高化学兼容性。我们在过滤和净化PPT方面的专业知识(每万亿零件)
摘要 — 尖峰检测在神经数据处理和脑机接口 (BMI) 中起着核心作用。未来一代可植入 BMI 面临的挑战是构建一个既具有低硬件成本又具有高性能的尖峰检测器。在这项工作中,我们提出了一种用于可植入 BMI 的新型硬件高效且高性能的尖峰检测器。所提出的设计基于具有自适应阈值估计的双检测器架构。双检测器包括两个独立的基于 TEO 的检测器,它们根据尖峰在高噪声和低噪声场景中的判别特征来区分尖峰的发生。我们在 Wave Clus 数据集上评估了所提出的尖峰检测算法。它实现了 98.9% 的平均检测准确率,在高噪声场景中超过 95%,确保了我们方法的可靠性。当在采样率为 16kHz 和分辨率为 7 位的硬件中实现时,检测准确率为 97.4%。基于该架构的256通道探测器采用TSMC 65nm工艺设计,面积仅682μm2/通道,功耗0.07μW/通道,与目前最先进的尖峰探测器相比,功耗降低39.7%,面积减少78.8%,同时保持了较高的精度。
第一季度营收创纪录达到 226 亿美元,较上一季度增长 23%,较去年同期增长 427%。推出 NVIDIA Blackwell 平台,推动万亿参数级 AI 计算新时代,以及由 Blackwell 驱动的用于生成式 AI 超级计算的 DGX SuperPOD™。宣布分别用于 InfiniBand 和以太网的 NVIDIA Quantum 和 NVIDIA Spectrum™ X800 系列交换机,针对万亿参数 GPU 计算和 AI 基础架构进行了优化。推出搭载 NVIDIA NIM 推理微服务的 NVIDIA AI Enterprise 5.0,以加速企业应用开发。宣布台积电和新思科技将与 NVIDIA cuLitho 合作投入生产,以加速计算光刻,这是半导体制造业计算最密集的工作负载。宣布全球九台新型超级计算机正在使用 Grace Hopper 超级芯片,开启 AI 超级计算新时代。揭晓 Grace Hopper 超级芯片为 Green500 榜单上全球最节能超级计算机的前三名机器提供动力。扩大与 AWS、Google Cloud、Microsoft 和 Oracle 的合作,以推动生成式 AI 创新。与 Johnson & Johnson MedTech 合作,将 AI 功能引入手术支持。
这项研究涉及无人直升机的控制,强调形成控制,目标跟踪,避免障碍和连续性维护。该研究采用终端滑动模式控制(TSMC)来调节直升机的位置和态度,而通用的预测控制(GPC)策略则用于通过领导者追随者的方法来形成控制。使用人工电位(APF)方法实现避免障碍物。仿真结果表明,在六个不同的任务中,快速收敛时间不到三秒钟,这表明直升机在保持静态障碍和动态障碍的同时保持其形成的能力。最初的三个任务涉及在三角形形成中组织的三架直升机,成功地避免了障碍物并以低于1%的错误率保持连续性。随后的三个任务,涉及五架五角形配置的五架直升机,类似地说明了有效的导航和动态目标跟踪。值得注意的是,领导直升机始终跟踪静态和动态目标,以确保形成的完整性。这项研究通过探索多代理直升机操作和障碍物遍历的复杂性来促进该领域,从而强调了在动态场景中保持连通性和形成的关键重要性。这些发现强调了拟议的控制策略的有效性,为包括军事和民用领域在内的各个部门的未来应用提供了宝贵的见解。
如果没有半导体,现代生活将不存在,因为计算机,电信,医疗保健,运输和能源系统中使用的所有电子组件都配备了芯片。为了检查半导体行业的向后和前进活动,本文将该行业作为闭环供应链提出。它阐明了如何处理和回收旧的半导体来制造新的硅和芯片,并检查了通常应用的补贴方案对行业上游和下游层运行的半导体公司的性能的影响。具体而言,提出的半导体供应链涉及(i)对货币激励措施敏感的回报功能; (ii)一项补贴立法奖励最终用户回收利用; (iii)上游行业,该行业是使用维珍和废料生产的硅; (iv)半导体制造商(例如TSMC,三星,英特尔)购买硅和其他材料,雇用工人,然后生产和出售芯片的下游行业。我们使用实际数据来表征Stackelberg均衡硅,半导体价格和输出,并校准模型参数,以量化补贴和收集通道对硅和半导体公司的性能的影响。我们发现,补贴计划既不扭曲公司的策略,也不会导致半导体行业效率低下。它刺激了循环经济活动,并提供经济和环境利益。