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晶圆退火工艺扩散炉的传热分析
半导体制造工艺中的扩散炉用于在硅片表面生长氧化物或将掺杂剂扩散到半导体晶片中。在此过程中，硅片在炉中被加热到通常在 973K 至 1523K 之间的温度。在本研究中，采用二维轴对称模型来模拟在 1123K 温度下运行的垂直炉。对工艺管中含有 175 个直径为 200mm 的硅片的基准情况的轮廓温度分布的模拟结果与实验数据非常吻合。从加热温度为 1123 K 的炉子中获得的实验数据被用作此数值评估的基准。还表明可以对堆叠晶片的本体区域施加均匀加热。在本研究中，探讨了加热器温度和工艺管中排列的晶片之间的间隙对工艺管中温度场的影响。从模拟中可以看出，值得强调的是，堆叠晶片本体区域的温度分布与加热器温度一致。此外，研究发现，在舟皿中对较少数量的晶圆（具有较大的晶圆间隙）进行退火工艺可能不会显著影响炉内的加热性能。关键词：立式炉；石英管；辐射；加热器；绝缘；峰值温度；温度分布版权所有 © 2020 PENERBIT AKADEMIA BARU - 保留所有权利
用于晶圆缺陷检测的 AI 机器视觉系统
半导体晶圆加工过程中产生的表面缺陷是微纳米加工面临的主要挑战之一。通常使用光学显微镜扫描晶圆，然后由人类专家检查图像。这往往是一个非常缓慢且令人疲惫的过程。由于可能出现的缺陷种类繁多，开发一种可靠的基于机器视觉的系统来正确识别和分类晶圆缺陷类型以取代人工检查是一项具有挑战性的任务。在这项工作中，我们开发了一种机器视觉系统，用于检查半导体晶圆和检测表面缺陷。该系统集成了光学扫描显微镜系统和基于 Mask R-CNN 架构的 AI 算法。该系统使用具有 MEMS、硅光子学和超导器件的晶圆在不同制造阶段（包括表面缺陷）的显微图像数据集进行训练。所实现的精度和检测速度使该系统有望应用于洁净室。
采用 SI 和 GE 模板的无切口晶圆方法，用于 SI、GE 和 III-V 外延
摘要：我们致力于将 CZ 晶片转移到具有多孔分离层的可重复使用衬底上的外延生长 Si 和 Ge 晶片（“无切口晶片”），以减少材料和能源消耗。我们报告了将无切口晶片方法应用于 Si 和 Ge 晶片的进展。对于 Si，多年来，我们在自制的 CVD 反应器（“RTCVD”）中开发模板和外延生长晶片（SiEpiWafers），现在使用新的微电子 CVD 反应器（“PEpi”）将它们的质量提升到一个新的水平，这使我们能够生长具有可调厚度和掺杂水平（n 型和 p 型）的 6 英寸和 156x156 mm²（M0）外延 Si 晶片。在第一次测试运行中，我们实现了高达 840 µs 的生长寿命和约 10% 的总厚度变化。对于 Ge，我们成功开发并理解了多孔层堆栈，从而获得了 4 英寸可拆卸 Ge 模板，用于未来的 Ge 或 III-V 外延生长。
圣体奇迹的科学分析
历史上和当代国际媒体都报道过许多圣餐饼变成人体组织和血液的例子，这些被称为圣餐奇迹。人们提出了各种各样的解释这种现象的建议，从奇迹到自然。这里提供了一个新颖的演示，表明通过将普通的、未圣化的圣餐饼放置在与许多此类事件描述的条件相似的条件下，可以出现流血的宿主。使用基本的法医方法，可以注意到随后出现的红色区域和真血之间的区别。在之前对奇迹圣餐饼的研究中，分离的 DNA 可以抵抗人类特异性引物的扩增，这归因于其神圣性。当前的研究表明，未圣化的圣餐饼中存在多种类型的非人类 DNA，为此类发现提供了另一种解释。最后，概述了一种最低限度的科学检查方案，以帮助将来标准化此类调查，包括一种独特的方法来验证此类事件的真正共同起源。
等离子处理对SiO2/Si和Si3N4/…的影响
将石墨烯集成到电子、光子或传感设备中的限制因素之一是无法在隔离器上直接生长大规模石墨烯。因此，需要将石墨烯从供体生长晶片转移到隔离目标晶片上。在本研究中，通过电化学分层程序将石墨烯从化学气相沉积的 200 毫米锗/硅 (Ge/Si) 晶片转移到隔离 (SiO 2 /Si 和 Si 3 N 4 /Si) 晶片上，使用聚甲基丙烯酸甲酯作为中间支撑层。为了影响石墨烯的粘附性能，本研究调查了目标基板的润湿性。为了增加石墨烯在隔离表面上的粘附性，在石墨烯转移过程之前用氧等离子体对它们进行预处理。润湿接触角测量表明，表面与氧等离子体相互作用后亲水性增加，从而提高了石墨烯在 200 毫米目标晶圆上的附着力，并可能在标准 Si 技术中对基于石墨烯的器件进行概念验证开发。
1. 描述导致绩效的八个想法......
（绝缘体和开关） 硅晶锭：是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机：这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆：这些圆柱体是高度抛光的晶圆，厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤：晶圆要经过多步光刻工艺，电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分，并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆：晶圆上的图案与掩模的精确设计一致