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通过共线激光光谱测定光束能量
提出了一种确定10-5水平动力学束能的方法，与传统方法相比，该方法可以提高一个多个数量级的改进。，在稀有的同学束上的共线荧光和共振电离光谱测量值，其中束能是对不确定性的主要贡献，可以从这种方法中受益。该方法基于共线光谱法，除了波长仪表以外，不需要特殊设备，这通常可用。在NI梁上的原理实验中证明了它的出现。在准备能量测量时，已经鉴定出3 d 9 4 S 3 d 3→3 d 3→3 d 9 4 p 3 p 2的中性镍同位素中的转变为ν0（58 ni）= 850 343 678（58 ni）= 850 343 678（20）MHz and ni（60 ni（60 ni）= 850 ni）= 850 344 HHH = 850 344 HHH = 850 34 HHH = 850 34 HHH。
e beam光电师PMMA，CSAR标准操作...
聚甲基丙烯酸酯（PMMA）抗性是在学术界和行业中用于高分辨率特征和升降应用的行业标准电子束抵抗。它也可以用于纳米印刷应用以及其他晶圆厂和研发过程，例如石墨烯薄片转移。CSAR是一种高科技抗电子光刻的抗性，它允许在微电子中实施高端应用，例如航空航天行业或高性能计算机。即使是小于10 nm的小结构，也可以通过这种抗性来实现。根据我们的实验室中的应用，使用电子束敏感的抵抗。电子束抗的例子是在氯苯，苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯酚或乙二醇溶剂中稀释的聚甲基丙烯酸酯PMMA。两种溶剂之间的差异有可能稀释至抗抗性的粘度。乙基酯通常用于抗抗性的较薄版本。在暴露过程中，在正音调的情况下，聚合物链会分解，从而导致开发后基质上的空区域。相反，具有负抗性的辐照面积是交叉连接/硬化的，因此开发人员不会攻击它 - 它将仅溶解未暴露的抗性。
单边缺口梁裂纹扩展分析 - IJCST
摘要 金属梁广泛用于汽车行业和机械部件。它们的一些应用包括内燃机的连杆、轴、车轴和齿轮、桥梁结构构件以及机器部件。它们中的大多数在其使用寿命内都会经历各种负载条件，这些负载条件可能会引发裂纹并导致裂纹扩展。这些力可能是拉伸、压缩、内部压力、弯曲或所有这些力的任何组合。裂纹扩展的监测和建模对于机器和结构的稳定性和安全性是必不可少的。基于有限元的二维裂纹扩展模拟器软件 Ansys14.0 用于二维梁中的扩展。在铝梁上进行四点弯曲试验实验并观察裂纹扩展行为。比较了这两个观察结果，即来自 Ansys 和实验的结果。在这项研究中，我们尝试使用指数模型在单边缺口 (SEN) 裂纹梁中开发一种故障预测方法。将预测结果与实验裂纹扩展数据进行了比较。观察结果表明，模型得到的结果与实验数据高度一致。关键词：- SEN
机载相控阵天线的宽带光束形成
H. Schippers, J. Verpoorte, P. Jorna, A. Hulzinga 国家航空航天实验室 NLR Anthony Fokkerweg 2, 1006 BM 阿姆斯特丹, 荷兰 schipiw@nlr.nl L. Zhuang, A. Meijerink, C. G. H. Roeloffzen, D. A. I. Marpaung , W. van Etten 电气工程学院电信工程组Twente, P.O.Box 217, 7500 AE, Enschede, the Dutch C.G.H.Roeloffzen@ewi.utwente.nl R. G. Heideman, A. Leinse LioniX bv P.O.Box 456, 7500 AH Enschede，荷兰 A.Leinse@lionixbv.nl M. Wintels Cyner Substrates Savannahweg 60, 3542 AW Utrecht，荷兰 m.wintels@cyner.nl 摘要 — 为加强沟通飞机上，需要具有宽带卫星功能的新型天线系统。该技术将通过为机组人员提供机上信息连接来增强航空公司的运营，并将为航空公司带来直播电视和高速互联网连接。乘客。出于空气动力学原因，在飞机上安装此类系统需要开发一种非常低调的飞机天线，该天线可以指向上半球任何地方的卫星。可控低剖面天线成功的关键是具有宽带天线元件阵列的多层印刷电路板 (PCB) 和具有适当波束控制能力的紧凑型微波系统。 div>本文介绍了使用光环谐振器级联作为面包板 Ku 波段相控阵天线的一部分开发原型 8x1 光束形成网络。12
在电子束产生的EB等离子体中生产温暖离子
使用电子束（E-BEAM）产生的等离子体具有带有交叉的电气和磁场（E B）磁场的等离子体，表明2D材料（例如石墨烯和单晶钻石）的低破坏处理。 这些敏感材料的低损伤通常归因于入射到底物表面的离子低能和E B场中的离子限制。 在这项工作中，使用激光诱导的荧光诊断的亚晶型氩压在e束E b血浆中的原子和离子速度分布功能的测量值表明，温度的温度有1 eV的温度，足以破坏E型电场，并在E离子散发范围内驱动离子散发的趋势，并在E离子散发范围内散布，而离子的差异则在e离子散射中，并且等离子体结合的墙壁或底物。 因此，正是这种几乎是双极扩散过程，导致撞击壁/底物表面上的带电颗粒的通量。表明2D材料（例如石墨烯和单晶钻石）的低破坏处理。这些敏感材料的低损伤通常归因于入射到底物表面的离子低能和E B场中的离子限制。在这项工作中，使用激光诱导的荧光诊断的亚晶型氩压在e束E b血浆中的原子和离子速度分布功能的测量值表明，温度的温度有1 eV的温度，足以破坏E型电场，并在E离子散发范围内驱动离子散发的趋势，并在E离子散发范围内散布，而离子的差异则在e离子散射中，并且等离子体结合的墙壁或底物。因此，正是这种几乎是双极扩散过程，导致撞击壁/底物表面上的带电颗粒的通量。
SEM 实验中电子束诱导样品加热的测量
图 2 测量的铁的电阻率和相应的样品温度，a) 0° 倾斜和 b) 70° 倾斜时暴露于电子束，作为加速电压、束电流和停留时间的函数。数据点根据束电流按形状分组，浅色表示停留时间为 1ms，深色表示停留时间为 1µs。
研究了用一系列聚焦离子束源制造的纳米晶
摘要。鱿鱼（超导量子干扰设备）是能够检测和测量具有前所未有灵敏度的各种物理参数的宏观量子设备。基于纳米布里奇弱环节的鱿鱼显示出对量子信息和量子传感应用（例如单个自旋检测）的越来越多的希望。焦点束蚀刻的纳米三旋翼具有可以增强纳米Quid设备性能的性能，但通常在其非迟发性工作温度范围内受到限制。在这里，我们将使用GA，XE或NE ION离子束源制成的单个弱环或纳米Quid中的纤维膜纳米三旋翼的测量值。根据温度，偏置电流，磁场和微波功率的函数，根据一系列超导性模型进行测量和建模，以改善对相关纳米架参数的理解。我们进一步提出了扩展设备的非滞后工作温度范围的技术。
光子整合光束输送在Rubidium 3D磁光陷阱中
冷原子对于精度原子应用至关重要，包括时间保存和传感。用于产生冷原子云的3D磁光陷阱（3D-mot）将受益于光子波导集成，以提高可靠性并降低尺寸，重量和成本。这些陷阱需要将多个大面积，准直的激光束传递到原子真空电池。迄今为止，使用集成波导方法的光束传递仍然难以捉摸。我们使用光纤耦合的光子积分电路报告了87 RB 3D-MOT的演示，以使所有必要的光束在冷却和捕获超过5 x 10 6原子的冷却和捕获量超过200μk的捕获体积，该捕获体积比等效原子数差异差异递增的数量级。氮化硅光子电路转化了纤维耦合的780 nm冷却，并通过波导将光线降低到三个正交的非差异2.5 mm x 3.5 mm x 3.5 mm自由空间冷却，并直接将光束直接接口到苏比德池。这种完整的平面，CMOS铸造 - 兼容的集成梁输送与其他组件（例如激光器和调节器），有希望的冷原子应用系统固定溶液。
使用CBR
通过分子束在低温下（171-258 c）在分子束外延（171-258 c）上，通过分子束外延（171-258 c）在GAAS底物上生长了通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。通过分子束外延在GAAS底物上生长。 高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。 原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。 530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。 X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。 未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。 此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。。高分辨率X射线衍射揭示了所有样品中的良好结晶度。原子力显微镜显示出原子光滑的表面，最大粗糙度为1.9 nm。530.5 cm 1在拉曼光谱中的碳的局部振动模式在ge 1 – x – y sn x c y样品中的替代c掺入。X射线光电子光谱验证与SN和GE的碳键合碳键合，而没有SP 2或SP 3碳形成的证据。未检测到与替代碳相相对应的常见的拉曼特征。此外，在扫描电子显微镜中看不到Sn液滴，说明了C和SN掺入中的协同作用以及GE 1-X-X-YN X C Y活性区域对基于硅的激光的潜力。
碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。