功率循环测试是研究功率转换器可靠性性能和评估其相对于温度应力的寿命的主要方法之一。在传统的功率循环方法中,结温测量是使用热敏电参数 (TSEP) 进行的,例如低电流下的通态电压(对于双极元件:IGBT 和二极管……)[1] 或 MOSFET 的阈值电压 V 𝑡ℎ [2]。当在 PWM 类型的电气约束下进行功率循环时,这些方法的实现很复杂。测试前还需要对每个组件进行精确校准。本文提出了一种创新的测试台,用于在功率循环期间在线测量结温,以研究嵌入在 PCB 中的功率二极管的可靠性 [3]。所提出的方法基于使用导通期间正向电压 𝑉 𝐹 和正向电流 𝐼 𝐹 的变化来估算热电压 𝑈 𝑇 并从而实时估算结温。这有助于即使在高循环频率(> 1 kHz)的情况下也能获得良好的近似值。表 1 对经典方法和所提出的方法进行了简要比较。首先,给出了该方法的描述,然后介绍了功率循环电路的代表性设计。
超导电子设备的发展需要仔细表征化妆电子电路的组件。超导弱环节是大多数超导电子组件的构建块,其特征是高度非线性的电流到相位关系(CPRS),通常不完全知道。最近的研究发现,约瑟夫森二极管效应(JDE)可能与嵌入超导干涉仪中的弱环节的弱环节的高谐波含量有关。这使JDE成为探索单谐波CPR以外的弱环节的谐波内容的天然工具。在这项研究中,我们介绍了双环超导量子干扰装置(DL-squid)的理论模型和实验特征,该设备嵌入了全金属超导型金属 - 金属 - 超导 - 超导体连接。由于三个弱连接的超电流的干扰,该设备在并联的三个弱环上的干扰而表现出JDE,并且可以通过两个磁通量调节该功能,这些磁通量充当实验旋钮。我们根据干涉仪臂的相对重量以及有关通量可调性和温度的实验表征进行了对设备的理论研究。
超导二极管效应(SDE)是一种磁电现象,其中外部磁场将非零的质量中心动量赋予库珀对,以促进或阻碍根据其方向促进超级电流的流动。我们提出,基于量子的自旋霍尔绝缘子(QSHI)的约瑟夫森连接器可以用作非隔离电子设备的多功能平台,当通过相位偏置和非平面磁场触发时,该平台表现出SDE。通过计算Andreev结合状态和准颗粒状态的连续体的贡献,我们提供了数值和分析结果,审查了SDE的各个方面,包括其质量Q因子。发现Q因子的最大值在低(零)温度下是通用的,它的起源与独立于交界处的特定细节的潜在拓扑特性相关。随着磁场的增加,由于轨道效应引起的诱导超导间隙的关闭,SDE减小了。要观察SDE,必须设计基于QSHI的Josephson结,以使其边缘具有不务件的运输。此外,我们在一个更具异国情调但现实的场景中探索了SDE,在驱动电流时,约瑟夫森交界处的典型地面态奇偶校仍然保守。在这种4π的周期情况下,我们预测SDE的增强是与其2π-周期性的,平等无限的对应物相比的增强。
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行,以及在黄光照射 (592 nm) 期间进行,接近测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时(在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中),我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化,而当添加氯仿时(在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中),在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比,在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比,AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论,所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
pn 结中的二极管效应在现代微电子学中起着重要作用。由于电子(n)和空穴(p)掺杂区之间的反演对称性破缺,电子传输是非互易的,即电流只能朝一个方向流动。这种非互易性质已广泛应用于晶体管、发光二极管、太阳能电池等电子设备中。最近,类似的二极管效应在超导系统中引起了极大的兴趣 [1-66]。与 pn 结中的二极管效应一样,超导二极管效应 (SDE),或者具体来说是约瑟夫森结 (JJ) 中的约瑟夫森二极管效应 (JDE),有望找到重要应用,如无源片上回转器和循环器 [66]。这类设备在量子计算应用中将特别有影响力。此外,SDE/JDE 可用作研究新型超导特性(如有限动量库珀对)的替代方法 [2, 10]。在典型的 JJ 或超导量子干涉装置(SQUID)中,IV 曲线在装置处于正常状态的高电流范围内呈线性,如图 1(d)所示。电压 V DC 在所谓的再捕获电流 I + r(对于电流向下扫描)处突然降至零,并在很大的电流范围内保持在零,直到达到开关电流 − I − c。本文中,我们将该开关电流视为 JJ 的临界电流(I c ),并在本文中始终使用临界电流这一术语。超过 − I − c 后,IV 曲线变为线性,装置再次进入正常状态。对于电流向上扫描曲线,可以观察到 IV 曲线的类似形状,并标记出相应的 − I − r 和 I + c 的位置。一般而言,只要存在时间反演对称性 (TRS) 或反演对称性,I + c = I − c 就与电流扫描方向无关。然而,当两种对称性都被破坏时,临界电流会根据电流扫描的方向显示不同的值,这种现象称为 JDE [ 1 , 2 ]。在非中心对称超导系统或非对称 SQUID 等器件结构中,反演对称性会被破坏
涡轮额定功率的增加超过≥14MW,需要替代稀土永久磁铁(PM)发电机是风能领域的当前趋势。1个高温超导(HTS)在电兴奋的同步发电机中是一种有前途的替代方案,在过去十年中,它一直是几个研究项目的主题。2对于多种优势,HTS激发大多是在无齿轮,直驱动(DD)同步发电机(额定速度NN≈10RPM)的背景下进行讨论的,例如减少的发电机质量M Gen和增加机械电源转换的发电机效率η。在EcoSwing项目3中已证明了无齿轮3.6 MW发电机的技术可行性。避免使用齿轮以更高的可靠性和较低的维护工作能力产生非常大的DD发电机,以实现大发电机扭矩。较大的发电机尺寸随迄今为止昂贵的HTS材料带来了大量。
抽象实现具有窄带发射和高颜色纯度的高发光有机发光设备(OLEDS)在各种光电领域都很重要。激光显示由于其最终的视觉体验而在下一代展示技术中表现出了出色的优势,但这仍然是一个巨大的挑战。在这里,我们开发了一种新型的基于OLED的有机单晶。通过将有机激子状态与光学微腔内强烈耦合,我们从极性的OLED(OPLEDS)中获得了Polariton电致工(EL)发射,具有较高的亮度,窄带发射,高色纯度,高极性,高极性以及出色的光学泵送极性元素Laser。此外,我们通过理论分析评估了电泵浦极性激光的潜力,并提供了可能的解决方案。这项工作提供了一种强大的策略,具有材料 - 设备组合,为电动有机单晶的极性发光设备和可能的激光器铺平了道路。
摘要:本文提出了一种保证基于半导体化合物GaSb及其固溶体GaInAsSb的发光二极管参数时间稳定性和温度稳定性的方法。改进了基于GaInAsSb(1.94μm和2.2μm)的双波长发光二极管的制备工艺,确定了其在-40℃至80℃温度范围内的稳定性。开发了一种双结构半导体光电子器件方案,使双色LED的初始测量发射流与参考发射流相等,保证了参数的时间稳定性。开发了一种技术,可以保证双色LED中两个发射峰位于不同波长的LED芯片的初始发射流的时间稳定性和相等性,从而决定了光电子器件的测量精度。关键词:光电子学,半导体结构,双色LED,稳定技术,稳定框图,稳定示意图。
摘要:跨学科(例如医疗保健,汽车,取证和天文学)的高光谱成像的应用受到复杂的过滤器和分散透镜的要求。通过利用具有工程光谱响应和高级信号处理技术的设备,可以使光谱成像过程在各个领域更容易接近。我们提出了一种使用光子捕获表面纹理(PTST)的光谱响应设计方法,该方法消除了外部衍射光学元件的必要性,并促进了系统的微型化。我们已经开发了一个分析模型,以在PTST存在下使用硅的有效折射率来计算电磁波耦合。我们已广泛验证了模拟和实验数据的模型,以确保我们的预测准确性。我们观察到峰耦合波长与PTST周期之间存在强烈的线性关系,以及与PTST直径的中等比例关系。此外,我们确定了跨间距与波传播模式之间的显着相关性。模型的实验验证是使用配备PTST的光电二极管通过互补的金属氧化物 - 氧化 - 兼容器兼容的过程进行的。此外,我们演示了这些配备PTST的光二极管的电气和光学性能,以显示高速(响应时间:27 PS),高增益(乘法增益,M:90)和低工作电压(击穿电压:〜8.0 V)。最后,我们利用制造的配备PTST光电二极管的独特响应来模拟高光谱成像,提供原理证明。这些发现对于高性能光谱仪的片上整合,保证实时数据操作以及高光谱成像系统的成本效益的产生至关重要。关键字:雪崩光电二极管,高光谱成像,多光谱成像,光子捕获功能,光谱响应工程■简介
我们从理论上研究了三端约瑟夫森连接中的超导二极管效应。超导系统中的二极管效应通常与在相反方向流动的电流的临界电流存在差异有关。我们表明,在多末端系统中,这种效果自然发生,而无需任何自旋相互作用,这是由于携带超恒星的Andreev结合状态之间存在相对移位的结果。在一个三末端交界处的示例中,我们证明了一个超导接触中的非重点电流可以通过对其他触点的适当相位偏置来诱导,前提是系统中至少有两个Andreev绑定状态,并且系统的对称性被打破。在描述短期和长时间连接的数值模型中证实了此结果。通过优化连接点的几何形状,我们表明已实现的超导二极管的效率超过35%。我们将预测与对多末端连接的最新实验相关联,在该实验中,观察到非相互超电流。
