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石墨烯和掺杂石墨烯：DFT 比较研究
已经考虑了两种不同的模型，即卵烯 (C 32 H 14 ) 和环环烯 (C 54 H 18 ) 及其各自的掺杂模型 (C 31 XH 14 、C 53 XH 18，其中 X = B、Al、N、P、Fe、Ni 和 Pt)，用于 GGA-PBE/DNP 级别的 DFT 计算。根据各种计算出的结构参数和电子特性对这两个模型进行了比较。还绘制了电子态密度 (DOS) 光谱，以查看尺寸增加时电子特性的变化。从较小的模型移动到较高的模型时，结构和电子特性没有发生重大变化。发现掺杂保持了表面的平面性，但会引起掺杂原子周围键长发生相对较大的变化，从而削弱键。版权所有 © VBRI Press。关键词：DFT、石墨烯、掺杂、DOS。简介
掺杂聚合物中的半金属化诱发霍尔异常
将氧等离子体处理的石英晶片切割成1cm2用于PPMS（霍尔、磁阻、温变电导）和XPS测量中的所有电学测量。由于尺寸要求，将氧等离子体处理的ITO基板切割成0.5 cm * 0.5 cm用于PES和IPES测量，将氧等离子体处理的石英晶片切割成0.6 cm * 0.4 cm用于高场霍尔测量。所有基板在使用前分别在丙酮和异丙醇中通过超声波清洗工艺清洗10分钟。将C 14 -PBTTT溶液以3000 r/min的转速旋涂到相应的基板上，形成厚度约25nm的PBTTT薄膜，然后将获得的薄膜在150°C下退火10分钟，让其冷却至室温。将Cytop溶液旋涂到所有掺杂后的电学测量薄膜上进行封装，再通过光刻和氧离子刻蚀实现霍尔棒结构的图形化。掺杂工艺
研究CD+2掺杂的结构和电性能...
x cd x x fe 2 o 4（x = 0.00，0.01，0.01，0.03，0.05，0.07，0.09）由共同途径准备。准备后，样品在温度900°C下烧结6小时。不同的表征技术，例如XRD（X射线划分），FTIR（傅立叶转换 - 红外 - 光镜检查），UV-VIS。和IV-特征术用于探索掺杂元件（CD）对纳米粒子的电，结构和光学特性的影响。XRD数据证实了Fe2O3的第二阶段的材料的单相，平均晶体大小在38.09-45.15 nm的范围内。在8.4471Å到8.4763Å中发现的准备材料的平均晶格常数值。在FTIR数据中，在所有样本中都发现了一个突出的频段，在某些样品中，在400-4000cm-1的范围内发现了第二个频段。IV观察性揭示了DC抗药性对温度的依赖性以及在0.1365到0.4332 EV/1000K的范围内的活化能值（∆𝐸𝐸）的依赖性。紫外线。分析证实了平均波长286 nm的所有样品的吸收峰。在此波长吸收下，所有样品的吸收范围为2.8722-3.2956（A.U）。CD浓度负责减少饱和磁性和损耗的降低。由于合适的特性，这些材料在录制媒体，高频应用和电子工程等许多分支等不同领域都有用。（2024年10月16日收到； 2024年12月11日接受）关键词：纳米结构，共凝结法，XRD，晶体大小，电阻率，激活能量1.引言尖晶石铁氧体是一类带有通用式AB 2 O 4的磁性材料，其中A和B代表不同的金属阳离子，O是氧。它们具有称为尖晶石结构的立方晶体结构，以矿物尖晶石的名字命名。尖晶石铁氧体表现出磁性，电气和结构特性的组合，使其在广泛的应用中有用，包括磁性存储，变压器，电感器和生物医学设备[1]。
可扩展的自下而上的合成co-ni掺杂石墨烯
将杂原子引入石墨烯是调节其催化，电子和磁性特性的强大策略。与氮（N）和硼（B）掺杂的石墨烯的变化时，目前缺乏碳（C）网格中的一种可扩展的企业过渡金属原子的方法，从而限制了模型系统研究的应用兴趣。这项工作提出了生长的合成，从而使钴（CO）与Ni（111）底物上石墨烯中的镍（Ni）原子一起掺入。单个原子在Graphene双空缺中共价稳定，相对于C原子，CO负载范围为0.07至0.22％，可通过合成参数控制。结构表征涉及可变温度的扫描隧道显微镜和AB IN-TIO计算。将共同编码的层转移到透射电子显微镜网格上，通过扫描透射电子显微镜和电子能量损耗光谱法进行了稳定性。此方法对旋转，气体传感，电化学和催化的应用有望，以及对类似金属的石墨烯掺入的潜在扩展。
Eu 掺杂的 Bi12GeO20 (BGO) 的光学研究...
摘要：研究了采用低热梯度提拉技术（LTG Cz）生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20（BGO）硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温（300 K）和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +：BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果，还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光，其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。
研究掺杂石墨烯纳米结构在镁中的能力
在过去的二十年中，锂离子电池已发展成为最主要的电化学储能系统，锂离子电池材料和系统工程也取得了重大进展 [1-3]。传统锂离子电池 (LIB) 的一个重大限制是出于安全考虑无法使用元素锂作为阳极材料。在反复充电的过程中，锂不会均匀沉积；相反，它倾向于形成树枝状结构。这些枝晶会向阴极延伸，导致短路并可能导致电池爆炸 [4]。近年来，镁离子电池（后锂电池）备受关注，被认为是锂基技术的有前途的替代品，尤其是在电动汽车应用领域 [5-6]。与受地质储量有限的锂不同，镁在地壳中的含量要丰富得多，约占 1.5 wt%。镁离子电池比锂离子电池具有多项优势，例如，其理论体积能量密度高达 3833 mAh/mL，而锂金属阳极的理论体积能量密度仅为 2046 mAh/mL。此外，镁离子系统具有较高的重量容量，为 2205 mAh/g，并且
肖特基轻掺杂 P-中的捕获效应研究……
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应，并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时，平带电压的变化可以忽略不计，这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异，这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外，提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法，除了传统常开型高电子迁移率晶体管（HEMT）中发现的浅陷阱态[陷阱激活能（ET）约为0.334–0.338 eV]之外，在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态（ET约为0.467–0.485 eV）。观察到随着辐照剂量的增加，浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外，深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低，但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌，该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
卤化物外延生长Sn掺杂Ga2O3薄膜
完整作者列表： 尼古拉耶夫，弗拉基米尔；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 波利亚科夫，亚历山大；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 斯捷潘诺夫，谢尔盖；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 佩奇尼科夫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 亚基莫夫，尤金；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；俄罗斯科学院，微电子技术与高纯度材料研究所 切尔尼赫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 瓦西列夫，安东；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 谢梅罗夫，伊万；国立科技研究型大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 Kochkova，Anastasia；莫斯科国立合金学院，电子学 Guzilova，Lyubov Guzilova；Perfect Crystals LLC Konovalev，Mikhail；莫斯科国立合金学院，电子学 Pearton，Stephen；佛罗里达大学，材料科学与工程
