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在氧化铝上生长的纳米厚 ZnO/SnO2 异质结构可用于 H2S 传感
摘要：设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中，溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体，使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明，USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1（ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O）的比例，比纯 SnO 2（约 95 倍）样品和其他异质结构具有更高的响应。随后，还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理，认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料，以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词：气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍
在 ...上生长的 0.6 eV 以下倒置变质 GaInAs 电池
介绍了在 InP 和 GaAs 上生长的带隙低于 0.60 eV 的倒置变质 Ga 0.3 In 0.7 As 光伏转换器。InP 和 GaAs 上的穿线位错密度分别为 1.3 ± 0.6 × 10 6 和 8.9 ± 1.7 × 10 6 cm − 2。在辐照下，器件分别产生 0.386 和 0.383 V 的开路电压，产生 ≈ 10 A cm − 2 的短路电流密度，产生 0.20 和 0.21 V 的带隙电压偏移。功率和宽带反射率测量用于估计热光伏 (TPV) 效率。估计 InP 基电池在 1100°C 时可产生 1.09 W cm − 2，而 GaAs 基电池可产生 0.92 W cm − 2，效率分别为 16.8% 和 9.2%。两种器件的效率都受到亚带隙吸收的限制，功率加权亚带隙反射率分别为 81% 和 58%，其中大部分假定发生在分级缓冲器中。如果先前证明的反射率已达到，则估计 1100°C TPV 效率在移除分级缓冲器的结构中将增加到 24.0% 和 20.7%。这些器件也适用于 2.0–2.3 μ m 大气窗口内的激光功率转换。在 2.0 μ m 辐照度 1.86 和 2.81 W cm −2 下，峰值激光功率转换效率分别估计为 36.8％ 和 32.5％。
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。
ALD生长的Al2O3膜用于微电体应用的实验表征
高介电材料的研究最近引起了极大的关注，这是用于应用金属构造器金属（MIM）电容器的关键被动组件。在本文中，通过原子层沉积技术（ITO）氧化锡（ITO）预涂层的玻璃底物和氮化钛（TIN）涂层的SI覆盖的Si底物在本文中制备了50 nm厚的Al 2 O 3薄膜。光刻和金属提升技术用于处理MIM电容器。用探针站的半导体分析仪用于使用低中等频率范围进行电容 - 电压（C-V）表征。MIM电容器的电流 - 电压（I-V）特性在精确源/测量系统上测量。在电压范围从-5到5 V的玻璃上，Al 2 O 3膜在玻璃上的性能从10 kHz到5 MHz。Au/Al 2 O 3/ITO/玻璃MIM电容器在100 kHz时显示1.6 ff/µm 2的电容密度为1.6 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.005，在1 mv/cm（5 v）下，在100 kHz时损耗〜0.005，泄漏电流为1.79×10 -8 a/cm 2。Au/Al 2 O 3/TIN/SI MIM电容器在100 kHz时的电容密度为1.5 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.007，较低的泄漏电流为2.93×10 -10 -10 -10 -10 A/cm 2，在1 mv/cm（5 v）处于1 mv/cm（5 v）。获得的电源可能表明MIM电容器的有希望的应用。关键字
在乌兹别克斯坦种植的姜黄（Curcuma Longa L.）的植物化学分析
摘要：姜黄（Curcuma Longa L.）是一种有据可查的药用植物，用作食品，化妆品和药物。这项研究的目的是评估矿物质肥料对在乌兹基斯坦不同地区生长的姜黄（Curcuma Longa L.）根茎的植物化学评估，姜黄素，类黄酮和总蛋白质含量的影响。实验是在随机块设计中进行的，具有三个复制：在塔什肯丁地区Kibray区的遗传学和植物实验生物学研究所进行的迷你图实验，以及在Surkhandarya的Surkhandarya Scientific实验站的植物性实验站，素食，瓜作物和马铃薯研究所，Uzbekistan，Uzbekistan。实验治疗包括：T1-对照（无肥料），T2 -NPK治疗（申请率75:50：50 kg/ha），T3 -NPK治疗（申请率125：100：100：100 kg/ha）和T4 -NPK + BZNFE治疗（申请率100：75：75：75：75：75：75：3：3：6：6：6：6：6：6 kg/ha）。在八个月后，确定了八个月后的植物化学性质，姜黄素，类黄酮和姜黄根茎的总蛋白质含量。结果表明，在不同地区生长的姜黄根茎的甲醇提取物中存在生物碱，萜类，单宁，类固醇，类固醇，碳水化合物和皂苷（Tashkent和Surkhandarya）。氯仿提取物显示出六种植物化学物质，包括生物碱，萜类化合物，类黄酮，类固醇，碳水化合物和皂苷，来自两个地区，Tashkent和Surkhandarya的姜黄体根茎。然而，NPK + BZNFE治疗（申请率100：75：75：3：6：6：6 kg/ha）显着增加了在Tashkent和Surkhandarya地区生长的姜黄根茎的姜黄素，鲁丁和槲皮素含量。在NPK kg/ha处理中记录了最高的总蛋白质含量（申请率125：100：100 kg/ha），与对照相比显示出显着增加。It was concluded that the NPK + BZnFe treatment (application rate 100:75:75:3:6:6 kg/ha) significantly increased the curcumin and flavonoid contents of turmeric rhizomes grown in the Tashkent and Surkhandarya regions compared to the control.
GAAS模板在硅光子学中的激光器上有选择性生长
摘要：实现SI上有效的片上光源是基于SI的光子集成电路（PICS）的关键。通过MOCVD（001）硅启用硅在硅启用的III-V材料（SOI）的III-V材料的选择性外观陷阱（LART）是一种有希望的技术，用于在硅和基于SI的PIC的硅的单层整合。在本报告中，通过LART Technique在行业标准（001）面向以行业标准（001）为导向的Soi Wafers上的GAAS膜的选择性生长获得了整体上的显微镜GAAS/SI平台。GAAS膜横向从{111}的面向氧化物沟渠内的{111}式的Si表面生长，其尺寸由光刻定义。GAAS微台面激光器（MDLS）在GAAS膜上通过光泵来在室温（001）SOI Lase上侧面生长的GAAS膜。rt脉冲激光以880μj/ cm 2的阈值实现。这项工作为完全集成的SI光子学提供了关键的步骤。■简介
MBE 生长的 SixGe1 − x − ySny 合金的拉曼位移......
尽管可以用卢瑟福背散射光谱法 (RBS) 和 X 射线衍射 (XRD) 高精度地测量材料成分和应变，但这些技术非常耗时，并且提供的信息是样品相对较大区域的平均信息，远大于典型的设备尺寸。这使得它们不适合表征亚微米级的成分和应变变化，这种变化发生在例如选择性半导体生长过程中或结构化之后。透射电子显微镜 (TEM) 结合能量色散 X 射线光谱法 (EDXS) 或电子纳米衍射可以提供具有纳米级分辨率的成分和晶格信息，但是这些技术需要破坏被分析的样品。相反，微拉曼光谱可以提供亚微米分辨率和高速，并且是非破坏性的。因此，微拉曼光谱可以成为研究 Si x Ge 1 − x − y Sn y 层中材料成分和应变的有效工具。为了通过拉曼光谱测量成分和应变，必须推导出拉曼光谱峰位置与材料成分以及应变之间的经验关系。之前对 Si x Ge 1 − x − y Sn y 合金拉曼位移的研究
氢化物气相外延生长的 GaN 中铒的能级
掺铒GaN（Er：GaN）由于其优于合成石榴石（如Nd：YAG）的物理特性，是固态高能激光器（HEL）新型增益介质的有希望的候选材料。Er：GaN在1.5μm区域发射，该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延（HVPE）技术合成的Er：GaN外延层进行的光致发光（PL）研究。HVPE生长的Er：GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线，这对应于GaN中Er3+从第一（4I13/2）和第二（4I11/2）激发态到基态（4I15/2）的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。https://doi.org/10.1063/5.0028470
通过分子层沉积生长的具有双芳香族连接体的 MOF 薄膜
反应室，使其与之前的表面反应至饱和。在新的清洗步骤之后，以循环方式重复该过程，直到获得所需厚度。由于每个脉冲的自限制生长，每个脉冲只能将每种前驱体最多一个单层添加到基板上。当前驱体是成为薄膜一部分的较大有机分子时，通常将该过程称为分子层沉积 (MLD)，16 我们的研究就是这种情况。MLD 技术可用于制备有机薄膜或有机 - 无机混合薄膜，以用于 Meng 等人在综述文章中总结的广泛应用。 17 最近的文献中出现了一些使用 MLD 制备 MOF 薄膜的例子，18 – 21 例如 UiO-66 生长的演示，22 以及具有氨基功能化连接体的类似 MOF 结构的生长。23
隐藏的马尔可夫模型适合文本生成
关键字：Gan，Mishemt，MBE，MMIC，AL 2 O 3，可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延（MBE）开发了gan的状态。相对于MOCVD（〜1000 o C）的分子束外延（MBE）的较低生长温度（〜750 o C）导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来，以使最有效的高功率（> 4 w/mm）在高频（≥10GHz）上进行操作，这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变，这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反，这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外，低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失（对于SI上的GAN），最高为35 GHz，可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是，在100mm高电阻（> 1,000 ohm-cm）上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时，记录了创纪录的低微波损失（> 1,000 OHM-CM）<111> Si，可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺（±0.8％），迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容，IDSS，IMAX和V t与为了减少门泄漏，雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏，而不会影响关键的RF设备特性（例如FT，FMAX，POWER和PAE），使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。