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红外探测器铟基微凸块阵列制造技术中的金属间化合物层形成
本研究报告了对凸块金属化下 Ti/Pt/Au 上放置的铟微凸块/柱内部均匀性的研究。这对于连接电阻率、长期耐用性和后续混合工艺（例如芯片键合）非常重要。金与铟发生反应，形成具有与纯铟不同的化学物理参数的金属间合金。根据透射电子显微镜图像分析了金属间合金的几何和结构参数。使用透射电子显微镜和能量色散谱法确定所研究样品中元素的分布。未退火（A）和退火（B）铟柱中的金属间合金厚度分别为 1.02 μm 和 1.67 μm。两个样品均观察到合金的层状和柱状内部结构，样品 B 中的晶粒大两倍。检测到未退火 In 柱的 Au-In 金属间合金的分级化学成分，而退火样品 B 的恒定成分为 40% Au 和 60% In。原子分布对 In 柱的机械稳定性影响较小。对于厚度为 1.67 μm 的均匀柱状金属间合金结构，直径为 25 µm、高度为 11 µm 的 In 柱的产率可能超过 99%。
无定形二氧化物氧化锌膜的水辅助结晶
2在能源材料中表征运输现象的方法部，helmholtz-Zentrum柏林材料和Energie GmbH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国柏林3席3席部薄膜设备的椅子技术，高效率和半教导机构技术研究所10587柏林，德国4部门能源材料的部门结构和动力学，赫尔姆霍尔茨 - 泽特鲁姆柏林材料和能源GMBH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国5号，柏林5柏林5物理与天文学研究所柏林技术大学物理学，Hardenbergstraße，36，10623柏林，德国7 PVCOMB，Helmholtz-Zentrum柏林柏林材料和能量GmbH，Schwarzschildstraße3，12489 Berlin，
综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)
使用原子层沉积制造的氧化二晶型晶体管
在过去的几十年中，互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核（CMOS）技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应（SCE）的免疫力（尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中）的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度（EOT）缩放的高κ /金属门技术，以及超薄体，鳍和堆叠的纳米片通道晶体管；在3 nm技术节点1之外，半导体工业（遵循FIN场效应晶体管技术）目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流，至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而，常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度，而INGAAS的性能降低了10 nm。二维（2D）半导体是一种替代通道材料，与传统的半导管相比，单层厚度和单层厚度较高，在单层厚度上具有更高的迁移率。但是，2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外，这些材料很难浓缩，并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体，尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物（Igzo） - 用于平面晶体管（TFTS）中的半导体通道材料（用于平面式式施用应用程序12）。但是，尽管是高批量制造的成熟技术，但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1，并且在质量生产中使用时，它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而，对于单一三维（3D）整合应用14-21的CMOS后端（BEOL）中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。
单个鉴赏原子和几个通过硅杂原子固定在石墨烯
我们首次提出了原子中单个单一的自我组装，在簇中（2-6个原子）及其同时的室温稳定稳定锚定在graplene烯中的单个替代si popant上[1]。由于只有少数原子组成的单个原子和原子簇具有不同的物理和化学特性[2，3]，因此这些原子结构在固体载体上具有很高的关注，目前吸引了从催化到纳米乳糖的区域中潜在应用的高度关注[4,5]。途径的受控制造和稳定位置仍然很少。在这里，使用定制的制剂室（基本压力〜10 -9 MBAR）将凹入蒸发到悬浮的单层石墨烯（本质上包括一小部分替代的Si杂原子）中，直接耦合到原子分辨率扫描扫描传输透射电子显微镜（STEM）[6]。
使用双相式镀与印度的高度可拉伸的多层电子电路
oft和可拉伸的电子设备正在集成到下一代电子设备中，其中包括软机器人1，可穿戴电子2，生物医学设备3和人类 - 机器人界面4、5。在开发可拉伸传感器6，显示7，加热器8，储能设备9和集成电路（ICS）10的新颖材料和架构中取得了令人鼓舞的进步。但是，该领域仍然缺乏具有集成计算，有效的数据传输和微型电损失的高度可拉伸的多层电子电路。商业电子产品可以提供各种不引人注目的，廉价的，高性能的ICS，从微控制器到放大器，但是使用这些ICS创建可拉伸的电路需要每个电路元件之间的强大界面。在这项工作中，我们通过采用双相式镀机合金（BGAIN）来介绍可伸缩的印刷电路板（PCB）组件的可拉伸版本，从而创建了高度可拉伸的导电痕迹和柔软的刚性电子组件之间的耐用接口。正在积极研究三种主要策略，以实现可拉伸的电子设备：基于结构的可拉伸导体，本质上可拉伸的导体和导电复合材料。高导电性，不可延迟的薄金属膜可以几何图案化，以获得平面外变形和线性弹力10-13。尽管它们与传统的电子合并良好接触，但它们的可伸缩性和组分的面积密度通常受到限制。一种流行的方法，放置常规电子组件本质上可拉伸的导体，例如室温液体金属（Eutectic Callium-Indium，Egain 14），离子诱导器15和导电聚合物16，17-不需要复杂的图案，但每个苦难都需要复杂的，但每个遭受了几种苦难，包括几种吸水物，包括泄漏，脱落，脱何，脱何，递减，递减，递减和低电导率。导电夹杂物聚合物复合材料也可以在没有复杂图案的情况下拉伸，但通常患有最大菌株和高电阻18、19。此外，在菌株20、21期间，关于可拉伸导体的报告相对较少。已经大力努力在可伸缩零件和市售的高性能ICS之间建立可靠的连接。
确定与inxga1 -xn中金属 - 胰蛋白过渡相对应的临界依赖组合物（0.06⩽X⩽0.135）层
在X GA 1 x N合金中的低温电导率（0.06 6 x 6 0.135）被分析是inimium成分（x）的函数。尽管我们的X GA 1 x N合金位于金属 - 绝缘体过渡的金属侧，但Kubo-Greenwood和Born方法都无法描述X GA 1 x N合金中的运输特性。此外，所有X GA 1 x N合金中的所有内容都在其电导率较低的Ioeffe -Regel制度下方进行。在缩放理论的框架中讨论了观察到的行为。随着依赖性组成的减少，观察到热活化能的降低。对于金属 - 绝缘子的跃迁，在x Ga 1 x N合金中获得临界依赖组成为x c = 0.0543。2009 Elsevier B.V.保留所有权利。