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AlN 被广泛用作压电 MEMS 中的压电薄膜。...
AlN 被广泛用作压电 MEMS 中的压电薄膜。ScN 的添加大大改善了 AlN 有限的性能。Sc 含量达到 43at% 之前，AlScN 结晶为纤锌矿结构，并表现出压电耦合的持续改善。Sc 含量超过 43at% 时，AlScN 恢复为立方结构，不具有压电特性。AlScN 最有利的方法是使用 N 2 气氛中的 AlSc 合金靶材溅射。
放电等离子烧结法制备AlN-MgO烧结体的精细...
摘要：采用放电等离子烧结技术制备了不同成分的AlN-MgO复合材料，系统研究了成分对其微观结构、热性能和力学性能的影响。AlN-MgO复合材料中MgO的成分控制在20～80wt％。结果表明，烧结过程中未发生相变，MgO和AlN晶格内形成了不同的固溶体。AlN-MgO复合材料的晶粒结构比烧结的纯AlN和MgO样品更细。透射电子显微镜分析表明，复合材料中既存在富氧、低密度的晶界，也存在含有尖晶石相的干净边界。 100 o C时烧结的纯AlN样品表现出最高的热导率（53.2 W/mK）和最低的热膨胀系数（4.47×10 -6 /K）；而烧结的纯MgO样品表现出中等的热导率（39.7 W/mK）和较高的热膨胀系数（13.05×10 -6 /K）。但随着AlN-MgO复合材料中MgO含量的增加，AlN-MgO复合材料的热导率从33.3降低到14.9 W/mK，而热膨胀系数普遍增加，随着MgO含量的增加从6.49×10 -6增加到10.73×10 -6 /K。MgO含量为60 wt％的复合材料整体表现出最好的力学性能。因此，AlN-MgO复合材料的成分和微观结构对其热性能和力学性能具有决定性的影响。
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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大脑功能在经典半乳糖血症，半乳糖网络（GALNET）成员评论
bianca panis 1，2，2，3†，E。NaomiVos 1，2，2，3，3，5†，IvoBarić6，Annet M. Bosch 2，3，7，Martijn C. G. J. J. Brouwers 2，8，Alberto Burlina 2，9，Alberto Burlina 2，9 14，AurélieEmpin2，15，Matthias Gautschi 16，Olga Grafakou 2，17，Stephanie Gruneywald 18，Sandra D. Kingma 2，19，Ina Knerr 20，ElisaLeão-Teles 2，21，21，DorotheaMöslinger2，22，22，Elaine Murphy 23，katrin 24，24 24，24 24. 2, 25, Sabrina Paci 2, 26, Rossella Parini 2, 27, Isabel A. Rivera 28, Sabine Scholl-Bürgi 29, Ida V. D. Schwartz 30, Triantafylia Sdogou 2, 31, Loai A. Shakerdi 32, Anastasia Skoum 2, 31, Karolina M. Stepien 33, Eileen P. Treacy 34, Susan Waisbren 14, Gerard T. Berry 14‡和M. Estela Rubio-Gozalbo 1，2，3，4，5 *‡
GalNAc3 结合反义药物与相同序列 2′-O-甲氧乙基修饰反义药物的安全性和耐受性比较：来自 1 期临床试验数据综合评估的结果
三天线 N-乙酰半乳糖胺 (GalNAc 3 ) 簇已证明受体介导的配体结合反义药物摄取的效用，这些药物靶向肝细胞表达的 RNA。GalNAc 3 结合的 2 ¢ - O - 甲氧乙基 (2 ¢ MOE) 修饰的反义寡核苷酸 (ASO) 已证明比未结合形式具有更高的效力，以支持较低剂量获得相同的药理作用。我们利用 Ionis 集成安全数据库比较了四种 GalNAc 3 结合和四种相同序列未结合的 2 ¢ MOE ASO。该评估评估了来自八项随机安慰剂对照剂量范围 1 期研究的数据，涉及 195 名健康志愿者（79 名 GalNAc 3 ASO，24 名安慰剂；71 名 ASO，21 名安慰剂）。两组 ASO 临床实验室测试中未发现异常阈值发生率的安全性信号。但是，与安慰剂相比，未结合 2 ¢ MOE ASO 组高剂量范围内的平均丙氨酸转氨酶水平显著升高。与未结合 ASO 组相比，GalNAc 3 -结合 ASO 组导致局部皮肤反应的皮下注射平均百分比低 30 倍（0.9% vs. 28.6%），未发生流感样反应（0.0% vs. 0.7%）。未结合 ASO 组中的三名受试者（4.2%）停止服药。在健康志愿者的短期临床数据比较中，GalNAc 3 -结合 2 ¢ MOE ASO 的整体安全性和耐受性特征明显改善。
uni-controlnet：多合一控制到文本对图像扩散模型
文本到图像扩散模型在过去两年中取得了巨大的进步，从而可以基于开放域文本描述产生高度逼真的图像。，尽管它们成功，但文本描述通常也很难充分传达详细的控制，即使是由长长而复杂的文本组成的。此外，最近的研究还表明，这些模型在理解此类复杂文本和生成相应图像方面面临挑战。因此，越来越需要在文本描述之外启用更多的控制模式。在本文中，我们引入了Uni-Controlnet，这是一个统一的框架，允许同时利用不同的本地控件（例如，边缘地图，深度图，分割掩码）和全局控件（例如，剪辑掩码）（例如，剪贴图像嵌入），以一种单个模型的柔性和可构成方式。与现有方法不同，Uni-Controlnet仅需要在冷冻预训练的文本到图像扩散模型时对两个附加适配器进行微调，从而消除了从头开始的巨大培训成本。此外，由于一些专用的适配器设计，uni-controlnet只需要一个恒定数字（即2），而不管使用的本地或全局控件的数量如何。这不仅降低了微调成本和模型大小，因此更适合于现实世界的部署，而且还促进了不同条件的合成性。通过定量和定性比较，在可控性，发电质量和合成性方面，Uni-Controlnet展示了其优于现有方法的优势。代码可在https://github.com/shihaozhaozsh/uni-controlnet上找到。
X 界面键形成 (X = AlN、TiN - RWTH 出版物
为了了解聚碳酸酯 (PC) 和磁控溅射金属氮化物薄膜之间的界面键形成，通过从头算模拟和 X 射线光电子能谱对 PC | X 界面 (X = AlN、TiN、(Ti,Al)N) 进行了比较研究。模拟预测界面处会出现显著差异，因为 N 和 Ti 与聚合物的所有功能团形成键，而 Al 仅与原始 PC 的碳酸酯基团选择性反应。与模拟结果一致，实验数据表明 PC | AlN 和 PC | (Ti,Al)N 界面主要由界面 C ─ N 键定义，而对于 PC | TiN，界面形成还以大量 C ─ Ti 和 (C ─ O) ─ Ti 键为特征。结合键强度计算和测得的界面键密度表明，PC | (Ti,Al)N 界面最强，其次是 PC | AlN，而预测最弱的是 PC | TiN 的强界面 C─N 键密度较低。本研究表明，所采用的计算策略能够预测 PC 和金属氮化物之间的界面键形成，并且可以合理地假设本文提出的研究策略可以很容易地适应其他有机|无机界面。
AlN/AlGaN/AlN量子阱通道HEMT
我们对基于 Al x Ga 1 x N 量子阱通道的 AlN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的电气特性进行了成分依赖性研究，其中 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58。这种超宽带隙异质结构是下一代射频和电力电子器件的候选材料。使用选择性再生长的 n 型 GaN 欧姆接触会导致接触电阻随通道中 Al 含量的增加而增加。DC HEMT 器件特性表明，对于 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58，最大漏极电流密度分别从 280 mA/mm 逐渐降低到 30 mA/mm 再到 1.7 mA/mm。与此同时，这三个 HEMT 的阈值电压 (幅度) 同时从 5.2 V 降低到 4.9 V 再到 2.4 V。这一关于 Al 组分 x 对晶体管特性影响的系统实验研究为在 AlN 上设计用于高电压和高温极端电子器件的 AlGaN 通道 HEMT 提供了宝贵的见解。
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。