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通过局部电沉积直接 3D 微打印高导电金结构
直接 3D 打印金属微结构可以实现混合微制造，将传统微制造与增材微制造 (l AM) 相结合。微结构的材料特性，包括电阻率，对于微电子、高频通信和生物医学工程等广泛的应用都具有决定性的重要性。在这项工作中，我们介绍了一种基于局部电沉积的金结构 l AM 室温工艺。我们通过气压调节前体物质供应速率和通过电沉积电位调节反应速率来展示对电沉积过程的控制。我们 3D 打印了复杂的金微尺度结构，并通过开发具有集成四点探针测量功能的混合设备来表征打印金的电阻率。此外，我们基于之前展示的铜 l AM 工艺打印了铜微线，并表征了铜的电阻率。我们证明了金线和铜线的接近体电阻率值分别为 65 n X m（约比体电阻高 2.5 倍）和 19 n X m（仅比体电阻高 10%），且无需后处理。金线的微观结构分析表明，金属沉积物致密且无空隙。最后，我们在预图案化的基板上印刷了金结构，为将增材微制造与现有微制造技术相结合的混合设备铺平了道路。2023 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
强大而局部的复发控制跨大脑区域神经活动的维度
大脑包含天文数量的神经元，但1是他们的集体活动才是大脑功能的基础。这种集体活动3个储藏的自由度的2个自由度（其维度）是神经动力学和计算的基本sig-4性质（1-7）。然而，5尚不清楚是什么控制了生物-6逻辑大脑中的这种维度，尤其是复发性7突触网络是否发挥作用（8-10）。通过分析高8个密度神经偶像记录（11），我们认为9个小鼠皮层的区域以敏感的状态运行，这使这10个突触网络在控制维度-11 ality中具有非常重要的作用。我们表明，这种控制是在跨时间表达的，这是具有不同维度13个状态的状态之间的12个活动过渡。此外，我们表明控制是通过突触网络的14个高度可拖动的特征介导的。然后，我们通过大量的突触生理数据集分析了15个这些关键特征（12）。16根据细胞类型的特定网络量化了这些特征17基序，我们发现影响尺寸尺寸的突触模式在小鼠和人的大脑中都普遍存在。因此，19个本地电路系统地扩大了扩展，以帮助控制大脑网络可能探索和利用的20个自由。21
具有弹性回音壁模式的局部表面等离子体共振的纳米机械调制腔
机械振动的色散限制了纳米光机械调制。在这项工作中，我们提出了一种利用弹性局部共振（也称为回音壁模式 (WGM)）的光机械调制。我们发现我们的结构支持两个四极和两个六极弹性 WGM，它们是非色散的，以避免位移场局域在金纳米盘 (AuND) 上时产生损耗。我们通过数值证明局域表面等离子体共振 (LSPR) 和 WGM 之间的耦合与弹性模式的对称位移和 AuND 中声子模式的强隔离有关。通过计算四个 WGM 在不同变形下偶极 LSPR 的波长偏移来评估调制的幅度。对这四个 WGM 进行详细比较使我们能够确定耦合效率更高的 WGM。此外，这种同时限制产生了大的声-等离子体耦合，可用于设计具有等离子体响应的新型机械传感器，作为新型声-等离子体装置的潜在应用和创新。
家族的百科全书A含有1个细胞器中的DNA聚合酶：细菌2的进化贡献，包括原始细节3 4
1塔苏乌巴大学生活与环境科学研究生院，日本8日9 2日本杜斯库巴大学生命与环境科学教师 Korea 14 5 Division of Invertebrate Zoology, American Museum of Natural History, New 15 York, USA 16 6 Research Center for Advanced Analysis, National Agriculture and Food 17 Research Organization, Tsukuba, Japan 18 7 RIKEN iTHEMS, Wako, Saitama, Japan 19 8 Graduate School of Agriculture, Kyoto University, Kyoto, Japan 20 9 Department of Biology and Ecology, Faculty of Science, University of Ostrava, 21捷克共和国奥斯特拉瓦22 10计算科学中心，日本杜斯库巴大学23 24 *信函的作者：marek.elias@osu.cz（M.E.），25
薄数据，厚度描述：在局部土地使用模拟中建模社会环境解决问题的轨迹
摘要。许多学习技术现在能够基于用户活动来支持内容的用户自定义和体验的自动个性化。但是，自定义和个性化之间存在一个权衡：教育者或学习者对定义体验的参数的控制权越多，开发学习分析模式的困难就越困难，可以可靠地评估学习并相应地适应系统。在本文中，我们提出了一种新颖的量化宽松方法，用于自动为土地利用计划模拟IPLAN生成学习分析模型，该模型使用户能够构建对社会环境问题的自定义局部模拟。特别是，此方法采用数据模拟和网络分析来使用日志数据构建一个测量空间。此空间可用于在无法提前指定规范性测量标准的上下文中分析用户的问题解决过程。这样做，我们认为即使没有丰富的定性数据，也可以开发和采用量化宽松的方法，从而促进基于用户在数字系统中的活动的相对较薄的记录，促进了复杂过程的厚度（ER）描述。
家族的百科全书A局部在细胞器中的DNA聚合酶：细菌的进化贡献，包括原始细节
DNA聚合酶以半辅助方式从脱氧核糖核苷酸合成DNA，并作为DNA复制和修复机械的核心。在真核细胞中，分别有2个含有基因组的细胞器，线粒体和质体，它们分别源自字母杆菌和蓝细菌。除了罕见的基因组占用线粒体和质体的病例外，两个细胞器必须由核编码的DNA poly蛋白酶提供，这些核编码的DNA poly将其定位并在其中进行维护以维持其基因组。由于有2个未解决的问题，细胞器DNA聚合酶的演变尚未完全理解。首先，在整个真核生物中尚未阐明细胞器DNA聚合酶的多样性。第二，目前尚不清楚最初在内共生细菌中使用的DNA聚合酶何时会导致线粒体和质体，因为已知的细胞器DNA聚合酶显示出与现有的alphaprototototototototototototototototeberacteria或cyanano bacteria相关的细胞器DNA聚合酶。在这项研究中，我们从不同的真核生物中鉴定出134个家族A DNA聚合酶序列，该序列被分类为10种新型类型，并探讨了它们的进化起源。实验室进一步检查了选定的DNA聚合酶的亚细胞局部定位。此处介绍的结果表明，细胞器DNA聚合酶的多样性已受到从系统发育范围宽细菌的多次转移poli基因的塑造，并且它们在真核生物中的发生还受到继发性质体质体性内孢子酶的影响。最后，我们提出的是，最后一个真核共同祖先可能拥有2种线粒体DNA聚合酶，POP，并且是原始线粒体DNA聚合酶I，RDXPOLA的直接后代的候选者，RDXPOLA，RDXPOLA在这项研究中已确定。
加热器大小对具有强烈局部加热
强制对流沸腾是一种有效的冷却技术，用于热载应用中的温度管理。由于对计算能力的不断增长的需求，微电子的快速发展在科学家和工程师面前设定了有效的微处理器的有效温度控制的任务[1，2]。此类应用的三维集成微处理器中的体积热通量已经达到10 kW/m 3 [2]，并且此类处理器中的热通量分布可能非常不平衡。除此之外，已经开发了基于GAN晶体管的新一代电力电子产品，它具有高密度能量转换所需的特征，这将需要密集的冷却，[3]。在通道和微型通道中沸腾的流量已经积极研究[4-5]。例如，在[6]中，研究了具有均匀加热壁的微通道中的纵横比的影响，作者发现该比率对传热系数有很大的影响。在[7]中，研究了硅微通道水槽中的饱和水的饱和水，并研究了微通道的持续液压直径和不同的长宽比。已发现纵横比对传热特征有很大影响。然而，墙壁过热的关键问题，流动的固有不稳定以及在常规连续平行的微通道中的关键热通量值低，为在具有高热量磁通量的设备中实际应用的微通道散热器实际应用带来了严重的问题，[8]。在[9]中，研究了通道高度对传热的影响和具有不均匀加热（流量宽度大于加热器宽度）的平坦微型通道中的临界热通量。然而，尽管加热器与通道宽度之比的影响尚不清楚，尽管它可能对微型和微通道的沸腾传热效率产生重大影响。
使用East
我们报告了通过连续硼（b）粉末注射启用的实验高级超导tokamak（EAST）中对边缘区域模式（ELMS）的强烈抑制。边缘谐波振荡在B粉末注入过程中出现，提供足够的颗粒传输以保持恒定密度并避免在ELM稳定的等离子体中积累杂质。准稳态的ELM抑制放电以适度的能量限制改善和在广泛的条件下：加热能力和技术变化，〜3.5元素的电子密度范围，氘或氦离子物种，以及带圆环磁场的任何方向。ELM抑制在阈值边缘B强度以上，并在B注射终止的0.5 s内停止。与ELM抑制作用相反，伴随着NSTX和EAST的LI粉末注射期间的回收减少[R. Maingi等人，Nucl。融合58（2018）024003]，由于保留氢而导致的回收减少是不需要用B粉注射的ELM抑制的，为将其作为未来融合设备的ELM控制工具铺平了道路。关键字
通过无掩模局部原子层沉积图案化纳米级金属氧化物薄膜进行纳米制造
摘要 ：改进的露天空间原子层沉积 (SALD) 头用于在各种基底上制造复杂氧化物图案。共反应物保持在周围大气中，设计了一个由三个同心喷嘴和一个前体出口组成的简单注入头。可以轻松且可逆地修改金属前体出口的直径，从而可以直接形成具有不同横向尺寸的图案。成功证明了无掩模沉积均匀和同质的 TiO 2 和 ZrO 2 薄膜，横向分辨率从毫米到几百微米范围可调，同时将膜厚度保持在几纳米到几百纳米范围内，并在纳米级控制。这种局部 SALD 方法称为 LOCALD，还可以在结构化基底上进行层堆叠和沉积。