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7 纳米 FinFET 技术中不同 SRAM 单元拓扑的全面分析
由于采用基于施密特触发器的反相器，与传统的 6T SRAM 单元相比，其 RSNM 明显更高。其他剩余的 SRAM 单元（例如传统的 8T、PPN10T、FC11T 和 ST11T）采用读取去耦技术，其中数据存储节点在读取操作期间与位线完全隔离，导致 RSNM 和 HSNM 的值相同。ST11T SRAM 单元在所有 SRAM 单元中显示最大的 RSNM，因为它的强大单元核心由交叉耦合的基于施密特触发器的反相器对形成。
正负界面陷阱电荷对M-FinFET性能的影响及其RF/线性分析
跨导测量栅极对漏极电流的控制能力，它与晶体管的增益有关。研究发现，G m 性能随栅极电压而变化，在低栅极偏压下观察到 G m 的峰值，因为存在图 5a 所示的陷阱（正陷阱和负陷阱），而由于迁移率下降，G m 在高栅极电压下下降。G d 随栅极电压的变化
使用 22FDX™ FD-SOI 和 12LP+/12LP FinFET 的 AI 边缘加速器
数据爆炸式增长和实时数据分析推动了对家庭安全摄像头、可穿戴设备和智能家电等边缘设备提高性能和能效的需求。专用 AI 加速器可应对这些挑战，通过实现本地处理而不是将数据发送到云端进行分析和响应，显著加快 AI 应用（如边缘推理）的速度。
四个周期垂直堆叠的SIGE/SI CHANNEN FINFET制造及其电特性
摘要：在本文中，为了解决sige通道鳍片效果晶体管（FinFET）的外延厚度极限和高界面陷阱密度，提出了四个周期的SIGE/SI CHANNEL FINFET。高晶体质量的四个周期堆叠的SIGE/SI多层外延，每个SIGE层的厚度小于10 nm的厚度在Si基板上实现，而没有任何结构缺陷影响，通过优化其外延的生长过程。同时，SIGE层的GE原子分数非常均匀，其SIGE/SI接口很清晰。然后，通过优化其偏置电压和O 2流量，可以通过HBR/O 2/He等离子体实现堆叠的SIGE/SI FIN的垂直文件。引入了四个周期垂直堆叠的SIGE/SI FIN结构后，其FinFET设备在与常规SIGE FINFET相同的制造过程中成功制造。与传统的SIGE通道芬法特（Sige Channel FinFet）相比，它可以达到更好的驱动电流I，子阈值斜率（SS）和I ON /I OFF比率电性能，其SIGE通道的鳍高度几乎等于四个周期的SIGE /SIGE /SIGE /SI频道中的SIGE总厚度。这可能归因于四个周期堆叠的SIGE/SI FIN结构具有较大的有效通道宽度（W EFF），并且在整个制造过程中可以保持质量和表面界面性能更好。此外，首先打开堆叠的SIGE/SI通道的Si通道也可能对其更好的电气性能有所贡献。这个四个周期垂直堆叠的SIGE/SI Channel FinFet设备已被证明是未来技术节点的实用候选人。
Zn2+诱导的K2MNFE（CN）6升高的相变
和循环寿命。但是，LIB遭受了李金属的易燃性，毒性，成本和稀缺性的问题。[4,5]基于水溶液和地球丰富元素的充电电池被认为是当前LIB的更可持续的替代品。水性金属离子电池本质上是安全的，环保的，便宜的，并且能够在大型电流下运行。[6–8]水锌离子电池（ZIB）是一种类型，具有高理论能力（820 mAh g-1）和金属锌的低电化学潜力（-0.76 v Vs标准氢气触发），[9-13]，但[9-13]，但对于ZIB的高度稳定的摩托模具仍是ZIB的高度稳定性。普鲁士蓝色类似物（PBA）具有X M [Fe（Cn）6] Y·N H 2 O（0 PBA的容量可以达到120 mAh g-1 [14-17]，并且由于存在两对氧化还原夫妻，并且稳定性非常出色，并且稳健的3D开放式框架结构允许插入各种碱离子离子而无需分解。 [18–20]但是，PBA仅为Zn 2 +阳离子（通常小于80 mAh g-1）提供相对较低的特性容量，而Zn 2 +的插入可以导致不受控制的相变和导致性能降级。 [9,21,22] Liu等。 首先提出了使用菱形Zn 3 [Fe（CN）6] 2（ZnHCF）阴极的ZiB，该阴极的容量低于65.4 mAh g -1，在100个周期后的能力保留76％。 [24] Mantia等。 [30]PBA的容量可以达到120 mAh g-1 [14-17]，并且由于存在两对氧化还原夫妻，并且稳定性非常出色，并且稳健的3D开放式框架结构允许插入各种碱离子离子而无需分解。[18–20]但是，PBA仅为Zn 2 +阳离子（通常小于80 mAh g-1）提供相对较低的特性容量，而Zn 2 +的插入可以导致不受控制的相变和导致性能降级。[9,21,22] Liu等。首先提出了使用菱形Zn 3 [Fe（CN）6] 2（ZnHCF）阴极的ZiB，该阴极的容量低于65.4 mAh g -1，在100个周期后的能力保留76％。[24] Mantia等。[30][23]合成了一个立方结构PBA（CUHCF）用于Zn 2 +存储，该阴极完成了100个循环，其容量为56 mAh g-1。表明，CuHCF中的容量衰减可以归因于相位转变为第二相，而该相位在电脑上的活性较小。[25,26]为了减少Zn 2 +插入产生的相变影响，研究人员采用了低甚至零Zn 2 +浓度的电解质，以使NIHCF // Zn，[27] Cuhcf // Zn，[28]，[28]，[28]和NAFE-PB // Zn [29] [29] [29] hybrid-ion-ion-ion-ion-ion-ion-ion-ion-ion。尽管如此，尽管这些阴极中的Zn 2 +的存储能力仍然很低，尽管通过增加扫描电压来改善周期寿命。
可重新配置的非均匀功率组合V波段PA，+17.9 dbm PSAT和26.5％的PAE在16 nm Finfet CMOS
摘要 - 本文介绍了双模式V波段功率放大器（PA）的设计，该功率放大器（PA）使用负载调制提高了功率退回（PBO）时的效率。PA利用可重新选择的两/四向电源组合器来实现两种离散的操作模式 - 满足功率和后退功率。Power Combiner采用了两种技术来进一步提高PBO的PA效率：1）使用具有不均匀转弯比的变压器的使用，以减少对两种模式和2模式之间的PA内核的阻抗差异的差异）使用拟议的开关方案，以消除与背部功率模式相关的泄漏电感（bpm）。两阶段PA的峰值增益为21.4 dB，分数BW（FBW）为22.6％（51-64 GHz）。在65 GHz时，PA的P SAT为 + 17.9 dBm，OP 1 dB为 + 13.5 dBm，峰值功率增加了效率（PAE），在全功率模式下为26.5％。在BPM中，测得的P SAT，OP 1 dB和峰值PAE分别为 + 13.8 dBm， + 9.6 dBm和18.4％。在4.5 dB后退时，PAE的点数增加了6％。PA能够在平均P OUT/PAE分别 + 13 dbm/13.6％的情况下扩增6 GB/S 16-QAM调制信号，EVM RMS为-20.7 dB。此PA在16 nm的FinFET中实施，占0.107 mm 2的核心面积，并在0.95-V电源下运行。
SandersonFarms.Sample.Project.pdf - 战略俱乐部
简介 Sanderson Farms, Inc. 成立于 1947 年，是一家完全垂直整合的家禽加工公司，从事新鲜和冷冻鸡肉的生产、加工、营销和分销。Sanderson Farms 总部位于密西西比州劳雷尔，是一家财富 1000 强公司。Sanderson Farms 在美国五个州和 17 个不同城市拥有 15,000 多名员工，是美国第三大家禽生产商。Sanderson Farms, Inc. 成立于 1955 年，于 1987 年首次公开募股，其普通股在纳斯达克证券交易所交易，股票代码为 SAFM。Sanderson Farms, Inc. 通过成为高质量食品的成功生产商和营销商并为食品行业提供优质服务来实现股东价值最大化。
MnFe2O4 磁性纳米粒子的尺寸相关磁性和电容性能
采用简单的化学氧化法在优化的实验条件下制备 MnFe 2 O 4 磁性纳米粒子 (MNPs)。通过在化学反应过程中引入铁离子作为尺寸减小剂来减小粒径。MnFe 2 O 4 MNPs 的饱和磁化强度在 45 到 67 emu/g 之间调整。透射电子显微镜 (TEM) 显微照片证实了粒度分布的变化。用较高浓度的铁离子制备的较小尺寸 MnFe 2 O 4 MNPs 实现了 415 F/g 的最高比电容。结果表明，铁离子可用于通过化学氧化法控制铁氧体的尺寸，并且尺寸减小的 MnFe 2 O 4 MNPs 可能是电化学超级电容器应用的合适选择。2020 Elsevier BV 保留所有权利。
使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元格
摘要 - 具有超低泄漏和出色稳定性的静态随机记忆细胞是当代智能设备中设备上层的记忆的主要选择。本文介绍了一个新型的8T SRAM细胞，其泄漏降低并证明是稳定性的。所提出的SRAM单元使用堆叠效果来减少泄漏和传输门作为访问晶体管以增强稳定性。已经根据功耗和静态噪声边缘（RSNM，HSNM和WSNM）分析了所提出的具有堆叠晶体管的拟议的8T SRAM细胞的性能。在22 nm技术节点时，发现基于FIN-FET的8T细胞的功耗为572 PW，与基于CMOS的8T细胞相比，该因子几乎降低了一个因子。此外，对于基于FinFET的新型8T SRAM细胞在22 nm技术节点的情况下，发现功耗被发现减少了一倍。𝟓×𝟏𝟎𝟏𝟎𝟐𝟐𝟐。WSNM，HSNM和RSNM的8T SRAM细胞在0.9 V电压电压下观察到具有FinFET逻辑的8T SRAM细胞的240 mV，370 mV和120 mV。与常规的6T填充细胞相比，所提出的细胞显示了20％，5.11％和7％的WSNM，HSNM和RSNM，这是分数的。还分析了SNM的灵敏度，并报告了温度变化的敏感性。此外，获得的结果证实了所提出的SRAM细胞的鲁棒性，与近期作品相比。
基于沟道的FinFET温度特性...
本文介绍了 FinFET 的温度灵敏度以及基于晶体管 Fin 宽度将 FinFET 用作温度纳米传感器的可能性。使用多栅极场效应晶体管 (MuGFET) 仿真工具来检查温度对 FinFET 特性的影响。首先模拟了不同温度和通道 Fin 宽度 (WF = 5、10、20、40 和 80 nm) 下的电流-电压特性，本研究采用了二极管模式连接。在工作电压 V DD 为 0–5 V 时，在最大 ∆I 下，FinFET 具有最佳温度灵敏度。根据结果，温度灵敏度随通道 Fin 宽度 (5-80 nm) 的整个范围线性增加，此外，较低的栅极 Fin 宽度 (WF =5nm) 可以在较低的工作电压 (V DD =1.25 V) 下实现更高的灵敏度。