由于采用基于施密特触发器的反相器，与传统的 6T SRAM 单元相比，其 RSNM 明显更高。其他剩余的 SRAM 单元（例如传统的 8T、PPN10T、FC11T 和 ST11T）采用读取去耦技术，其中数据存储节点在读取操作期间与位线完全隔离，导致 RSNM 和 HSNM 的值相同。ST11T SRAM 单元在所有 SRAM 单元中显示最大的 RSNM，因为它的强大单元核心由交叉耦合的基于施密特触发器的反相器对形成。