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B.Tech（ECE）第 6 学期第 3 单元 VLSI 技术（BEC-35）

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4. “硬抗蚀剂”（抗蚀剂的化学惰性部分）应与基底或 PR 下面的层牢固结合。5. “软抗蚀剂”（PR 的化学活性部分）应易于从晶圆表面去除。

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去除晶圆活性表面基底抗蚀剂部分抗蚀蚀剂惰性硬抗从晶圆易于化学 PR 下面的

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