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审查量子点在预防肿瘤学中的应用
量子点（QD）正在下一代太阳能电池中探索，因为与传统的太阳能相比，它们可以吸收较宽的光长[1]。在展示技术中用于改善LCD屏幕的颜色和性能，它们会产生更明亮，更节能的屏幕，并启用量子计算作为可能的Qubits，即量子信息处理的基本单元[2，3]。功能化的QD可用于药物输送系统中，以将治疗剂传递到体内的特定靶标。QD也用于各种化学和生物传感器，因为它们对环境变化敏感[4]。它们还充当生物学和医学成像中的荧光标签[5，6]。它们的亮度，光稳定性和可调发射使它们非常适合监测和成像生物分子，细胞和组织。尽管有所有这些优点，但一些QD，尤其是那些含有重金属（例如镉）的QD会引起毒性问题[7]。基于镉的QD先前被认为对细胞有毒。CDTE QD增加了小鼠肝细胞和增强的反应性
加州大学伯克利分校
图 4：体育场 QD 电位剖面示意图和相关模拟。（a）上图：MLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的 MLG 带和电荷中性点（𝐸 456）。下图：体育场 MLG QD 的示意图。（b）上图：BLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的带隙和三角扭曲的 BLG 带和𝐸 456。下图：体育场 BLG QD 的示意图。（c、d）对 (c) MLG 和 (d) BLG 体育场 QD 的电子局域态密度的数值紧束缚模拟。d𝐼/d𝑉。对角条纹在 (d)（具有间隙屏障壁）中可见，但在 (c)（具有无间隙壁）中不可见。 BLG 体育场的 TB 模型包括 𝛾 8 跳跃和空间均匀的 60 meV 间隙。这些参数的灵感来自我们之前对圆形 BLG QD 的实验表征 [9]，（另见 SI 第 6 节）。在 BLG 体育场 𝑑𝐼/𝑑𝑉 ? 图模拟中，仅考虑了子晶格 𝐴 > 的 LDOS 贡献。
建模III – V量子的电子和光学特性...
引言半导体量子点（QD）是一种定制的合成，相当于原子，在广泛的现代半导体设备中发现了用途1。纳米构造已经提供了广泛的电子和光学特性。本文将通过专注于当今研究的三个独特的Keystone系统的电子结构来证明其巨大的潜力2和可调节性3-5：（i）SB-INAS /GAAS SubMonolayer QD，（II）在1-x Ga x中为y SB 1- y SB 1-y /y /y /y /gap qds和（III）QD基于QD的量子量子cascade cascade lasscade lasscade lassersersers。（i）在过去的20年1，6中，INAS/GAAS QD一直是综合研究的重点，导致量子点激光器7和单光子发射器2，8。为提高QD密度和改善载体动力学，在GAA上开发了QD形成9、10：INAS的沉积量少于GAAS的QD形成9、10：在GAAS上的单层（ML）的沉积，然后重复多个时间，以重复多个时间
引用：Sharbirin AS，Kong RE，Mato WB等。通过与Ti 2 N
二维（2D）过渡金属二北元化（TMD）是原子上薄的半导体，在整个可见光谱中具有有希望的光学应用。然而，它们本质上弱的光吸收和低光质量量子产率（PLQY）限制了它们的性能和潜在用途，尤其是在紫外线（UV）波长光范围内。衍生自2D材料（2D/QD）的量子点（QD）提供有效的光吸收和发射，可以调节能量的光波长。在这项研究中，我们通过与2D/QD的杂交（尤其是Ni-Tride MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE QD（TI 2 N MQD）和nitride nitride QD）（GCD）（GCD）（GCD）（GCNQ）（GCNQ）（gcnqd），通过杂交与2D/QD杂交在UV范围内大大增强了单层（1L）二硫键（WS 2）的光子吸收和PLQ。With the hybridization of MQD or GCNQD, 1L- WS 2 showed a maximum PL enhancement by 15 times with 300 nm wavelength excitation, while no noticeable enhance- ment was observed when the excitation photon energy was less than the bandgap of the QD, indicating that UV absorp- tion by the QD played a crucial role in enhancing the light emission of 1L-WS 2 in our 0D/2D混合系统。我们的发现提出了一种方便的方法，用于增强1L-WS 2的光响应到紫外线，并为使用1L-TMD收集紫外线能量提供令人兴奋的可能性。
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。
研究主题征集 2024 年 11 月_更新于 2024 年 11 月 12 日
简称量子点LED 扩展标题基于胶体量子点的发光二极管描述光子纳米材料小组旨在利用胶体量子点（QD）的独特性质开发在可见光和短波红外光谱范围内工作的发光二极管。QD化学能够按需定制最终纳米材料的发光特性，结合溶液处理，能够低成本制造发光二极管（LED）。目前，该小组正致力于开发两种主要类型的基于QD的LED（小型或大型）：基于InAs或Hg基QD的短波红外LED（940 – 1600 nm）和利用CdSe、钙钛矿或Ga基QD的蓝光LED（400-450 nm）。博士候选人将专注于QD的合成及其精心设计的LED的实现，以获得高的外部量子效率和亮度。此外，博士候选人将对合成的
确定性 - Quantum-light-arrays-from-giant-silica shelled ...
摘要：胶体量子点（QDS）是具有光子量子信息技术中应用的单光子源的有前途的候选。但是，使用胶体材料开发实用的光子量子设备需要可扩展的确定性放置稳定的单个QD发射器。在这项工作中，我们描述了一种利用QD大小的方法，以促进单个QD的确定性定位到大型阵列中，同时保持其光稳定性和单光子发射属性。CDSE/CDS CORE/SHELL QD被封装在二氧化硅中，以增加其物理大小而不会扰动其量子限制的发射并增强其光稳定性。然后使用模板辅助的自组装将这些巨型QD精确定位在有序的阵列中，单个QD的产率为75％。我们表明，组装之前和之后的QD在室温下表现出抗束式行为，其光学特性在长时间后保留。一起，这种自下而上的合成方法通过二氧化硅壳和可靠的模板辅助自组装提供了一种独特的方法，可以使用胶体QD作为单光子发射器来生成可扩展的量子光子光子平台。
INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
单分散胶体量子点簇内的均匀共振能量转移
同质 FRET 过程依赖于供体发射和受体吸收之间的光谱重叠。只有当 QD 彼此足够接近时，才会发生这种情况。这就是我们添加 APTES 将它们聚集成簇的原因。因此，从小波长到大波长的相关能量转移导致 QD 群体的发射带红移。从现象学上讲，这种红移类似于我们在胶体悬浮液中增加 QD 浓度时观察到的红移。在这种情况下，QD 不会聚集且不会相互耦合，因此它们无法实现同质 FRET。然而，鉴于它们的高浓度，内滤波效应 (IFE) 开始发挥作用。每个 QD 仍然发光，但会显著吸收其他 QD 的光。这是一种纯粹的集体自吸收现象，在整个 QD 群体的规模上，依赖于吸收和发射之间的光谱重叠 [3]。给定等式。 (S13)，同源 FRET 可以正式描述为一种统计现象，涉及整个 QD 群体的吸收 A (λ) 和发射光谱 I 0 (λ) 之间的有效重叠，方式与 IFE 类似，只要 ∆ S ≳ δλ ，即 A (λ) ≈ I 0 (λ + ∆ S) 在重叠的光谱范围内（见图 S2）。出于这些原因，我们在此建议，首先，计算由于内滤波效应（IFE）引起的红移，其次，将结果推断到形式上类似的同源 FRET 情况。