机构名称：
¥ 3.0
图 4：体育场 QD 电位剖面示意图和相关模拟。（a）上图：MLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的 MLG 带和电荷中性点（𝐸 456）。下图：体育场 MLG QD 的示意图。（b）上图：BLG 体育场 QD 电位剖面示意图，描绘了 QD 内部和外部的带隙和三角扭曲的 BLG 带和𝐸 456。下图：体育场 BLG QD 的示意图。（c、d）对 (c) MLG 和 (d) BLG 体育场 QD 的电子局域态密度的数值紧束缚模拟。d𝐼/d𝑉。对角条纹在 (d)（具有间隙屏障壁）中可见，但在 (c)（具有无间隙壁）中不可见。 BLG 体育场的 TB 模型包括 𝛾 8 跳跃和空间均匀的 60 meV 间隙。这些参数的灵感来自我们之前对圆形 BLG QD 的实验表征 [9]，（另见 SI 第 6 节）。在 BLG 体育场 𝑑𝐼/𝑑𝑉 ? 图模拟中，仅考虑了子晶格 𝐴 > 的 LDOS 贡献。
加州大学伯克利分校
主要关键词
相关文件推荐
