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策略2026
1。简介SIOS是一个在Svalbard北极群岛及其周围的研究兴趣和基础设施的研究机构的国际联盟。在SIO内，研究人员通过共享数据和研究基础架构来建立一个有效的观察系统，该系统着重于对参数的长期监控，这些参数对于在全球环境变化的背景下对北极很重要。SIOS经过三年的临时阶段（2014年11月至2018年1月）和四年的准备阶段（2010年10月至2014年11月），于2018年1月进入了运营阶段。目前，该财团由来自10个国家 /地区的28个机构组成。SIOS已获得资金来支持中央枢纽SIOS知识中心，直到2026年底。SIO的策略是基于愿景，任务陈述和三个行动支柱。一个关键要素是Sios Science Wheel的概念，该概念将大多数活动与开发观测系统的时间周期联系起来。从操作阶段开始，SIO的策略或多或少都没有改变。但是，自2018年以来，操作环境发生了变化。例如，SIO不再在ESFRI路线图上，而大流行尤其挑战了我们寻找新的工作条件。在2021年期间，启动了该策略的过程。SIOS知识中心已经收集了会员机构以及各种事件和问卷中的个人研究人员的信息和反馈。这些以及在运营阶段的前四年中学到的经验教训已被用来形成SIOS策略2026。
在巴基斯坦获得安全性
《国家免疫条例》，1981年（“ SIO”）规定，外国应享有巴基斯坦法院管辖权的普遍豁免权，但这种免疫力不适用于（a）（a）外国诉讼的诉讼程序，在外国诉讼中，诉讼已提交给法院的管辖权或（b）因外国或义务而受到外国义务的责任，以表现出来，以表现出来，或者是由外国义务或履行的，因为该诉讼是由外国人或（b）履行的，因为该诉讼是由外国人或（b）诉讼。巴基斯坦。虽然没有先例或案件提供有关放弃主权豁免权的结论性答案是有效的，但在巴基斯坦，外国国家的豁免权并非绝对，并且遵守SIO提供的例外。
研究Mote2场效应晶体管中的电荷陷阱
抽象的二维基于材料的现场效应晶体管有望在电子和光电应用中使用。但是，晶体管中存在的陷阱状态已知会阻碍设备性能。他们在通道中捕获 /释放载体，并导致转移特征的滞后。在这项工作中，我们在两个不同的栅极介电介质SIO 2和H-BN上制造了MOTE 2场效应的晶体管，并研究了温度依赖性的电荷捕获行为在其传递曲线中的滞后。我们观察到，带有Sio 2后挡栅介电的设备受Sio 2绝缘子陷阱和MOTE 2的影响，后者在310 K以上的温度下变得突出。在传导带边缘以下389 MEV处的捕获能级。从发射电流瞬态测量中观察到了传导带边缘以下396 MeV的类似能级。从以前的计算研究中，我们预计这些陷阱状态将成为柜员的空缺。我们的结果表明，可以通过仔细选择栅极绝缘体来减少MOTE 2处效应晶体管中的电荷陷阱，从而为设备制造提供指南。
用于中红外应用的光子锗平台
基于GE的集成光子回路过去10年中，基于锗(Ge)的光电元件得到了发展，拓展了硅(Si)光子回路的潜力。光电探测器、调制器和Ge-on-Si激光器已经在中红外区得到演示。Ge的主要优势在于它的透明窗口大，波长范围从1.8至14μm，并且与CMOS兼容。Ge和SiGe合金很快被视为开发集成光子元件的首选材料。厚Ge和SiGe层(高达40%的Ge)通常在工业外延集群工具中通过化学气相沉积在200mm和300mm Si(001)晶片上生长。关于Ge和SiGe生长的更多细节可以在参考文献[1]中找到。 SiGe 或绝缘体上的 Ge（如 SiN）晶片可从之前的外延中制造出来。在这种情况下，需要将两个晶片键合在一起：第一个晶片具有 Ge 或 SiGe 外延层，上面覆盖有 SiNx 层和薄 SiO 2 层，第二个晶片是氧化 Si 晶片。在 SiO 2 到 SiO 2 键合之后，起始
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在这里，我们提出了一种自动干燥方法，用于在目标样品中指定的设备上传输石墨烯碎片（称为石墨烯优惠券）。在我们的方法中，首先将源基板上的石墨烯（SI基板上的300nm SIO 2）进行了图案化。然后将沟槽蚀刻在Sio 2层中，距离石墨烯图案10 µm。随后，定义了保护石墨烯优惠券并向硅底物形成系的光孔掩模（TI35E）。（图1A，B分别显示顶部和侧视图）。然后将样品浸入缓冲的氧化物蚀刻中，以低估300 nm SiO 2层，并释放具有抗性顶部的石墨烯优惠券。然后将准备好的源样本和目标样品加载在传输打印机（X-Celeprint，µTP-100）中的专用阶段。图1C显示了传输打印机，包括源和目标样本的源和目标阶段以及清洁板。转移是使用连接到邮票支架中的玻璃板上的PDMS邮票完成的。此邮票持有器具有准确移动到阶段上方的能力。
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。
AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
用于经济实惠的放射治疗的玻璃
基于 Al O -SiO -YO 体系的玻璃成分选自 Al O -SiO -YO 相图（图 1）的玻璃形成区，其标准是 YO 负载量最大以及玻璃具有良好的耐热性和耐化学性。采用高纯度初始化学成分（Al O（纯度 99.9%，New Met）、SiO（纯度 99.5%，Leico）和 YO（纯度 99.9%，Otto Kemi））制备优化成分 40Y O -20Al O -40SiO（wt.%）的玻璃。对每种氧化物的称量精度为 ±0.002 克。在制备过程中采取措施避免任何交叉污染。使用标准熔融淬火技术制备玻璃。将所有成分混合并彻底研磨，并在 110°C 下放置一夜，以去除混合和研磨过程中吸收的任何水分。将配料放入 Pt-Rh 坩埚中，在电加热升降 (RL) 熔炉中以 1650°C 加热。搅拌熔体并在熔化温度下保持足够的时间，以均匀混合并去除所有气泡以获得透明熔体。之后，将熔体从炉中取出，并用最佳温度淬火
从 KCl 电化学合成纳米硅——...
摘要：目前硅及硅基复合材料在微电子及太阳能器件中得到广泛应用，同时随着锂离子电池容量的不断增大，对硅的纳米纤维及各种颗粒形貌提出了更高的要求。本文研究了低氟KCl–K 2 SiF 6 和KCl–K 2 SiF 6 –SiO 2 熔体电解生产纳米硅，在恒电位电解条件下（阴极过电压分别为0.1、0.15、0.25 V vs.准参比电极电位），研究了SiO 2 添加对电解硅沉积物形貌和成分的影响。将所得硅沉积物从电解液残渣中分离出来，经扫描电镜和光谱分析，制备锂离子电池复合Si/C负极，采用恒电流循环法测量所制备负极半电池的能量特性。循环表明，基于由 KCl–K 2 SiF 6 –SiO 2 熔体合成的硅的 Si/C 复合材料具有更好的容量保持率和更高的库仑效率。在 200 mA · g − 1 下进行 15 次循环后，在 0.15 V 过电压下获得的材料显示容量为 850 mAh · g − 1 。