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Sio2/nbox复合材料的合成和应用...
在这项研究中，通过高能机械铣削随后进行了热处理，合成了一种新型的SIO 2 /NBO X复合材料，旨在探索其作为环境修复的吸附剂的有效性。使用X射线衍射（XRD），X射线荧光（XRF），氮吸附 - 吸附等温线，热力计分析（TGA），傅立叶型红外光谱（FTIR）和扫描电子显微镜（SEM）（SEM）进行彻底表征。XRD分析证实了SIO 2 /Nbox复合材料的无定形性质，与SI相比，NB的显着存在（81.1％）（15.8％），如XRF分析所示。在水溶液中使用亚甲基蓝（MB）染料进行了吸附研究，评估受控条件下的吸附能力和动力学。该复合材料表现出快速吸附能力，遵循伪一阶动力学模型，在短时间内达到39.32 mg g -1。Langmuir等温模型拟合了吸附数据，表明最大容量为16.7 mg g -1。这些发现突出了SIO 2 /NBO X作为去除染料的有效吸附剂的潜力，这有助于环境友好的废水处理解决方案。
未来的半导体材料和工艺
横截面 HAADF-STEM 图像和相应的 EDS 图，显示了交替堆叠的 TiO 2 和 SiO 2 层以及单层 Al 2 O 3，全部通过等离子 ALD 在纳米级沟槽结构上生长。
用于绝缘体自旋电子学的 3d–5d 钙钛矿氧化物复合膜中绝缘亚铁磁性和垂直磁各向异性的出现
摘要：具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的磁绝缘体在探索纯自旋流现象和开发超低耗散自旋电子器件中起着关键作用，因此它们在开发新材料平台方面非常有吸引力。在这里，我们报告了具有不同晶体取向的 La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)-SrIrO 3 (SIO) 复合氧化物薄膜 (LSMIO) 的外延生长，该薄膜通过脉冲激光沉积的连续双靶烧蚀工艺制成。LSMIO 薄膜表现出高晶体质量，在原子级上具有 LSMO 和 SIO 的均匀混合物。观察到亚铁磁和绝缘传输特性，温度相关的电阻率与 Mott 可变范围跳跃模型很好地拟合。此外，LSMIO 薄膜表现出强的 PMA。通过进一步构建亚铁磁绝缘体LSMIO和强自旋轨道耦合SIO层的全钙钛矿氧化物异质结构，观察到显著的自旋霍尔磁阻（SMR）和自旋霍尔类异常霍尔效应（SH-AHE）。这些结果表明亚铁磁绝缘体LSMIO在开发全氧化物超低耗散自旋电子器件方面具有潜在的应用价值。关键词：钙钛矿氧化物，磁性绝缘体，垂直磁各向异性，自旋霍尔磁阻，自旋电子学■引言
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
采用交错小分子抑制剂和集成背蚀刻校正进行 SiO2 高通量区域选择性空间原子层沉积，实现低缺陷率
开发了一种首创的 SiO 2 区域选择性沉积工艺，包括在同一空间原子层沉积 (ALD) 工具中交替曝光小分子抑制剂 (SMI) 和背蚀刻校正步骤的薄膜沉积。这些方面的协同作用导致选择性 SiO 2 沉积高达 ˜23 nm，具有高选择性和高吞吐量，具有 SiO 2 生长区域和 ZnO 非生长区域。X 射线光电子能谱 (XPS) 和低能离子散射光谱 (LEIS) 均证实了选择性。已经通过实验和理论比较了两种不同的 SMI（乙基丁酸和新戊酸）赋予的选择性。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，使用两种 SMI 进行选择性表面功能化主要受热力学控制，而使用三甲基乙酸时实现的更好选择性可以通过其比乙基丁酸更高的堆积密度来解释。通过在其他起始表面（Ta 2 O 5、ZrO 2 等）上使用三甲基乙酸作为 SMI 并探测选择性，证明了羧酸抑制剂在不同基底上的更广泛用途。人们认为，当前的结果突出了 SMI 属性的微妙之处，例如尺寸、几何形状和堆积，以及交错的回蚀步骤，这些对于开发更有效的高选择性沉积工艺策略至关重要。
低介电常数堇青石-莫来石-玻璃基板在太赫兹频率下的结构、热学和介电性能
摘要：采用固相合成、研磨、压制和烧结工艺制备了含有堇青石、莫来石、SiO 2 玻璃和 SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 - BaO-ZrO 2 玻璃的玻璃陶瓷复合材料。使用加热显微镜、差示热分析、热重法、扫描电子显微镜、能量色散光谱、X 射线衍射分析、阻抗谱、透射法和时域光谱 (TDS) 检查了 Hz-MHz、GHz 和 THz 范围内的热行为、微观结构、成分和介电性能。获得的基板表现出 4.0-4.8 的低介电常数。自发形成的封闭孔隙取决于烧结条件，被认为是降低有效介电常数的一个因素。
支持信息纳米级横向 p–n ...
图 S1。石墨烯/ -RuCl 3 器件制造。(A) 石墨烯/ - RuCl 3 器件组装的四个步骤图。在第一步中，使用 PC 涂层玻璃载玻片拾取 SiO 2 /Si 基板上剥离的 - RuCl 3。在第二步中，使用 -RuCl 3 /PC 转移载玻片拾取剥离的石墨烯。在第三步中，翻转转移载玻片并将 PC 从玻璃载玻片上分层并放置在 SiO 2 /Si 芯片上。在最后一步中，使用微焊接方法将铟触点沉积在器件上。1 (B) 石墨烯/ - RuCl 3 器件的光学图像，其中石墨烯以红色勾勒出轮廓， -RuCl 3 以绿色勾勒出轮廓。(C) (B) 中所示堆栈的高对比度放大图像。 （D）沉积铟触点后的石墨烯/-RuCl 3 器件的光学图像。
结合热扫描探针光刻和干法...
图 1：灰度 t-SPL 与干法蚀刻的组合。电介质中灰度纳米图案放大工艺流程的横截面说明。（a）在薄电介质膜（在我们的例子中为 SiO 2 或 Si 3 N 4 ）上旋涂热敏抗蚀剂 PPA。（b）使用加热的纳米尖端在薄 PPA 层上制造二元和灰度纳米结构（有关纳米尖端的详细信息，请参阅补充图 S2）。（c）将纳米结构从 PPA 转移到 SiO 2 或 Si 3 N 4 。（d）通过深度放大将写入 PPA 中的纳米结构完全转移到电介质膜中。垂直峰峰深度放大（∆ z 电介质/∆ z 抗蚀剂）是由 CHF 3 /SF 6 等离子体中抗蚀剂和基板之间的蚀刻速率差异造成的。图像未按比例绘制。
SiO2/Si 中的机械光谱和内耗
开发了用于激发和记录厚度 h S 300 ÷ 500∙10 3 纳米和直径 D 60 ÷ 100∙10 – 3 米的 SiO 2 /Si 圆盘状晶片中的阻尼弯曲共振的方法、设计和制造了用于测量结构敏感内耗 (IF) Q – 1 的装置。开发了用于无损检测圆盘状半导体基板中结构缺陷积分密度 nd 和破损层深度 h bl 的技术。通过测量谐波频率 f 0 、f 2 下的 IF 背景 Q – 1 0，可以通过实验确定振动圆盘的节点线。这样就可以对寻找这些节点线的理论计算进行修正，同时考虑到圆盘的线性尺寸及其连接方法。研究了 X 射线和电子辐照 SiO 2 /Si 盘状晶片板后的温度中频谱 Q – 1 ( Т )。结果发现，在测量过程中，Si 结构缺陷的退火会改变温度中频谱 Q – 1 ( Т ) 的形状。在以速度 V Δ T/ Δ t ≤ 0.1 K/с 加热 SiO 2 /Si 晶片板时，可以观察到由点缺陷形成的中频峰 Q – 1 M 。这使得能够确定辐射缺陷各向异性复合体重新取向的活化能 H 。通过建立中频背景参数 Q – 1 0 的稳定性，可以确定半导体晶片板及其基于的器件的抗辐射性。所提出的方法可用作控制微电子用半导体晶片板晶体结构缺陷的无损方法。