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DSP32C 数字信号处理器
简介................................................................................................................................................................ 1 描述................................................................................................................................................................ 1 架构................................................................................................................................................................... 5 控制运算单元 (CAU)...................................................................................................................................... 5 数据运算单元 (DAU)..................................................................................................................................... 5 内部和外部存储器...................................................................................................................................... 5 串行 I/O 单元 (SIO)...................................................................................................................................... 6 并行 I/O 单元 (PIO)...................................................................................................................................... 6 存储器配置............................................................................................................................................. 6 存储器寻址.............................................................................................................................................
耐久性下降后的 1T-NOR 闪存
a 意法半导体，法国鲁塞 b 艾克斯-马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国 摘要 在本文中，我们对 100 万次编程/擦除 (P/E) 操作后的 1T-NOR 闪存电气特性进行了 TCAD 模拟。由于 TCAD 模拟，提出了空间缺陷分布来解释耐久性下降的原因。工艺模拟基于意法半导体生产的 90 nm 节点嵌入式非易失性存储器技术 (eNVM)。编程和擦除期间使用热载流子注入 (HCI) 和高级隧道模型，而闪存性能下降则通过位于 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 内部的缺陷来考虑。获得的循环前后编程窗口以及消耗电流的结果与实验结果高度一致。此外，在此框架内，可以正确重现 100 万次循环后无应力闪存侧的 IV 特性，如文献中先前报道的那样。 1. 引言电荷存储浮栅存储器Flash-EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）或简称Flash，可以说是迄今为止市场上最成功的非易失性存储器之一，每年仍有数十亿个单元被处理，预计到2028年，复合年增长率（CGAR）将达到14.4% [1]。它的可靠性（主要包括耐用性和数据保留率）在过去几十年中得到了广泛的研究[2-4]。在本文中，我们使用技术计算机辅助设计（TCAD）来模拟100万次循环后的1T-NOR闪存编程窗口关闭。TCAD是一种基于物理的数值建模方法，用于精确模拟微电子器件的制造工艺和电气特性，该工具已成功用于器件性能优化和可靠性提高[5,6,7]。与[8]类似，Flash耐用性是通过缺陷建模的；然而，在本文中，我们采用了 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 体氧化物中的非均匀缺陷分布以及不同类型的缺陷。这种方法与 [4] 中报道的实验结果一致。
壳聚糖和纳米 - 硅二氧化二氧化二氧化构混合物的抗微生物活性，导致从
番石榴的后衰减后，主要是由储存时间中的微生物物种引起的。因此，分离出可能导致番石榴后腐烂的真菌和细菌物种分离并评估低分子量（LMW）壳聚糖与纳米二氧化物（Nano Sio 2）的抗菌和抗真菌能力（LMW）壳聚糖结合使用。这项研究成功地隔离了四种真菌物种，即热孢子虫，cladosporium sphaerospermum，Aspergillus wentii，colletototrichum acutatum和三个细菌种类，不，无论是azotobacter sp。发现，有0.04％纳米SIO 2和1％低分子壳聚糖44.5 kDa的混合物能够以最高的抗菌区直径和生长真菌的最低直径进行测试。这项工作为延长番石榴的延长货架寿命的潜在化合物。
使用残余气体分析仪进行 NF3 和 F3NO 等离子体的氧化硅蚀刻工艺
摘要：NF 3 的使用量每年都在显著增加。然而，NF 3 是一种温室气体，具有极高的全球变暖潜能值。因此，开发一种替代 NF 3 的材料是必需的。F 3 NO 被认为是 NF 3 的潜在替代品。在本研究中，研究了替代温室气体 NF 3 的 F 3 NO 等离子体的特性和清洁性能。对 SiO 2 薄膜进行了蚀刻，分析了两种气体（即 NF 3 和 F 3 NO）等离子体的直流偏移，并进行了残留气体分析。基于分析结果，研究了 F 3 NO 等离子体的特性，并比较了 NF 3 和 F 3 NO 等离子体的 SiO 2 蚀刻速率。结果表明，两种气体的蚀刻速率平均相差 95%，从而证明了 F 3 NO 等离子体的清洁性能，并证实了用 F 3 NO 替代 NF 3 的潜在益处。
iclass SE多类读取器RP10（900p）-Securitas
Typical Read Range iCLASS SE®: 6.4 cm, SE for DESFire® EV1: 2.5 cm, SE for MIFARE® Classic: 5.8 cm (13.56 MHz Single Technology ID-1 Credentials (Cards) – SIO Model Data) iCLASS SE: 2.5 cm, SE for MIFARE Classic: 1.3 cm (13.56 MHz Single Technology Tags/Fobs – SIO Data Model) HID Prox / AWID: 5.1 cm, Indala Prox: 2.5 cm, EM4102: 8.9 cm (125 kHz Single Technology ID-1 Credentials (Cards) – Respective Prox Data Model) HID Prox / AWID: 2.5 cm, Indala Prox: 1.3 cm, EM4102: 3.3 cm (125 KHz Single Technology Tags/Fobs – Respective Prox Data Model)
在...
摘要：最近，结果表明，添加SIO 2和Al 2 O 3的Bi 2 O 3玻璃的纳米结晶导致δ-样BI 2 O 3相的稳定至少至室温，这显着在其稳定性范围以下显着。在这项研究中，我们研究了与Sio 2，Geo 2，B 2 O 3和Al 2 O 3合成的生物塑料玻璃的性质。证明，使用标准熔炉途径可以使用所有这些系统的玻璃化。此外，我们使用热分析和高温XRD的原位实验研究了原始眼镜中的结晶过程。表明，可以稳定固定在残留的玻璃矩阵中到室温的δ -bi 2 o 3的等级结构。类似δ相的外观的温度范围很大程度上取决于玻璃的标称组成。我们假设实现效果取决于残留玻璃基质的局部特性及其引入能力的能力，以拉伸纳米晶体中δ-样BI 2 O 3相的结构。
无氧化硅的湿化学表面功能化
硅是迄今为止微型电源行业中最重要的半导体材料，主要是由于Si/Sio 2接口的高质量。因此，需要化学官能化Si底物的应用集中在SIO 2表面的分子移植上。不幸的是，存在与氧化硅（SIO 2）上接枝的许多有机层的均匀性和稳定性的实际问题，例如硅烷和磷酸盐，与SI-O-SI和SI-O-P键的聚合和水解有关。这些问题刺激了在无氧化物Si表面上接管功能分子方面的努力，主要是在潮湿的化学过程中。因此，本综述直接集中于从H端的Si表面开始的无氧化物Si表面的湿化学表面功能化。首先总结了无氧化物H-终止SI的主要制备方法及其稳定性。官能化被分类为通过功能性有机分子（例如氢硅烷化）和其他原子直接取代的H-终止的间接取代（例如卤素）或小型官能团（例如哦，NH 2）可用于进一步反应。重点放在最近发现的方法上，以在其他无氧化物，无h端和原子平坦的Si（111）表面上产生官能团的纳米图案。这种模型表面特别有趣，因为它们使得能够获得表面化学反应的基本知识。关键字硅表面，氢终止，有机官能化，自组装单层，表面激活，纳米图案缩写SI，硅； Sio 2，氧化硅；山姆，自组装的单层； XPS，X射线光电子光谱； FT-IR，傅立叶变换红外； AFM，原子力显微镜； nn，最近的邻居； nnn，下一个最近的邻居； RT，室温； TFT，薄膜晶体管； ALD，原子层沉积； MPA，甲膦酸； ODPA，八烷基膦酸； DFT，密度功能理论； KMC，动力学蒙特卡洛； ML，单层； H，氢； T-bag，通过聚集和生长束缚；哦，羟基； UHV，超高真空； MOF，金属有机框架； SURMOF，表面金属有机框架； lbl，逐层； PL，光致发光； F，氟；
关于反应性粉末混凝土孔隙率的定量分析
Quartz Flour（M400）CAO SIO 2 Al 2 A al 2 a 3 Fe 2 O 3 mgo na 2 o k 2 o k 2 o s so 3 p 2 o 5 tio 2 zno mno mno cr 2 o 3 cuo pb pb blaine透气激光衍射
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
M. Garín、R. Khoury、I. Martín、Erik Johnson。通过纳米颗粒定向毛细管凝聚进行纳米级直接蚀刻。纳米尺度，2020 年，
* 通讯作者：moises.garin@uvic.cat 我们报告了一种通过在纳米颗粒/基底界面的弯月面中毛细管冷凝在纳米尺度上局部输送气相化学蚀刻剂的方法。该过程简单、可扩展且不需要对纳米颗粒进行功能化。此外，它不依赖于材料的任何特定化学性质，除了溶液是水性的和所涉及表面的润湿性之外，这应该使其能够应用于其他材料和化学品组合。具体而言，在这项工作中，我们通过使用暴露于 HF 蒸汽的自组装单层聚苯乙烯颗粒定期对 SiO 2 层进行图案化来演示所提出的工艺。然后使用图案化的 SiO 2 层作为掩模来蚀刻 Si 中的倒置纳米金字塔图案。已经证明了硅纳米图案化适用于从 800 nm 到 100 nm 的颗粒尺寸，对于 100 nm 纳米颗粒，实现了尺寸小至 50 nm 的金字塔。