XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemthin
对薄膜的既定方法的研究...
随着我们日常生活中电子设备的不断小型化，与传统的块状元件相比，用于此类设备的各种功能材料的薄膜越来越受到青睐。各种气相法已被发现能够沉积优质薄膜，并且在整个涂层行业中已得到广泛认可。然而，它们与超高真空系统和复杂而昂贵的仪器有关，并且可能涉及有毒或腐蚀性的化学前体。人们已经设计出替代的制造方法，例如电喷雾沉积、溶胶-凝胶法和分子前体法，它们代表了活跃的研究领域。分子前体法相对较新。然而，人们发现它能够有效地制造各种金属氧化物和金属的薄膜。本章详细讨论了制造薄膜的一些方法。还讨论了每种方法的实际应用难易程度和相对成本效益，以及所制造薄膜的质量和类型。根据本作者的最新研究成果，介绍了利用分子前体法制备和表征高导电性和良好粘附性的金属铜薄膜。
薄膜光刻和图案化工艺
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
用于薄膜，等离子体和表面工程
新的EQP系列包含一系列高性能四极分析仪，适合各种等离子体分析任务。具有6 mm四极杆直径的EQP-6，质量范围为300和510 AMU，并基于Hiden Triple Filter Analyzer。EQP-9提供了最广泛的质量范围选择，用于高稳定性和质量传播。提供的范围是50、300、510、1000和5000 AMU。顶级范围是旗舰EQP-20，配备了行业前20毫米杆直径四极杆和独特的可切换双RF区域模式。EQP-20设计用于超高的质量分辨率实验，例如HE和D 2分开，以及最高200 AMU的超高稳定性分析。能量范围为100 eV作为标准，1000 eV是可选的。
疾病与缺陷之间的细线
Zixi Zeng 1 Shen Wai国际学校摘要：鉴于不断发展的诊断标准和文化规范，本文探讨了精神科医生在精神疾病和性格缺陷之间遇到的困难。从历史的角度来看，它评估了精神病分类的基本理论以及社会期望对精神疾病描述的影响。通过对遗传和环境因素之间的相互作用的分析，强调了导致精神疾病和人格结构发展的复杂影响。本研究还研究了决策技能在与精神疾病区分的人格特征中所发挥的作用。最后，它强调了通过计算模型对精神病患者和非患者的神经激活模式进行更多研究和比较的必要性，以增强诊断精度。关键词：精神病学，DSM-5，精神疾病，人格缺陷，文化规范，决策，神经可塑性。2024年8月14日； r于2024年8月26日； 2024年8月29日cecceed©作者2024。在www.questjournas.org上开放访问
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
Timken 微型和薄壁轴承目录
• 除非 Timken 另有指示，否则产品应保存在原包装中，直到准备投入使用为止。• 请勿移除或更改包装上的任何标签或模板标记。• 产品应以适当的方式存放，以免包装被刺穿、压碎或以其他方式损坏。• 产品从包装中取出后，应尽快投入使用。• 从散装容器中取出非单独包装的产品时，应在取出产品后立即重新密封容器。• 请勿使用已超过 Timken 保质期指南声明中定义的保质期的产品。• 存储区域温度应保持在 0º C (32º F) 至 40º C (104º F) 之间；应尽量减少温度波动。• 相对湿度应保持在 60% 以下，且表面应保持干燥。
薄膜技术在航天器系统中的应用
尽管真空沉积薄膜通常被视为纯光学领域，但光学薄膜技术在美国太空计划中的应用可以追溯到 1957 年末至 1958 年初的先锋一号任务，当时该技术用于航天器的热控制。从更广泛的意义上讲，无论是用于温度控制还是光学应用，薄膜表面涂层的重要性都源于其与太空环境的直接接触，以及来自太阳、地球或更具选择性的目标的辐射能。在光学应用中，薄膜涂层启动了对到达的电磁波的信息内容进行重新形成的进程，或者通过与严酷的太空环境的辐射交换定量定义了涂层表面的使用寿命。当然，除了真空沉积薄膜之外，其他表面处理也用于热和光学空间应用，但本文将重点介绍真空沉积薄膜的独特特性及其在特定空间相关应用中的优势。
Timken 微型和薄壁轴承目录
铁姆肯公司建议对其成品（轴承、部件和组件，以下称为“产品”）遵循以下存储指南：• 除非铁姆肯公司另有指示，否则产品应保存在原包装中，直到准备投入使用为止。• 请勿移除或更改包装上的任何标签或模板标记。• 产品应以不会刺穿、挤压或以其他方式损坏包装的方式存储。• 产品从包装中取出后，应尽快投入使用。• 从散装容器中取出非单独包装的产品时，应在取出产品后立即重新密封容器。• 请勿使用已超过铁姆肯公司保质期指南声明中定义的保质期的产品。• 存储区域的温度应保持在 0º C (32º F) 和 40º C (104º F) 之间；温度波动应尽量减少。• 相对湿度应保持在 60% 以下，表面应保持干燥。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率