本研究研究了脉冲CF 3 I/C 4 F 8 /Ar/O 2 电感耦合等离子体用于低k刻蚀,研究了C 4 F 8 /Ar/O 2 中添加CF 3 I对等离子体特性和低k材料刻蚀特性的影响。随着混合气体中CF 3 I/(CF 3 I + C 4 F 8 )比例的增加,等离子体中CF 3 自由基增多,CF 2 自由基减少,其中CF 3 自由基和CF 2 自由基分别与刻蚀和聚合有关。因此,SiCOH的刻蚀速率随CF 3 I比例的增加而增大。然而,当CF 3 I比例为0.5时,等离子体中的CF 2 /F通量比和聚合物层上的C/F比最高,因此对非晶碳层和光刻胶的刻蚀选择性在比例为0.5时最高。 SiCOH 损伤随 CF 3 I 比率的增加而减小,并且 SiCOH 损伤似乎非常低,特别是当 CF 3 I 比率≥0.5 时,Si–CH 3 键损失低、F 渗透低、表面粗糙度低。因此,与仅使用 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物相比,将 50% CF 3 I 混入 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物中不仅可以产生相对于掩模材料的高蚀刻选择性,而且还可能减少蚀刻损伤。
利用三维受限磁控溅射源 (L-3DMS) 在低于 100 C 的温度下成功沉积了超薄锡掺杂结晶氧化铟 (ITO) 薄膜 (≤ 50 nm)。在低处理温度下沉积的超薄 ITO 薄膜的电阻率和迁移率分别约为 ∼ 5 × 10 − 4 · cm 和 > 30 cm 2 /Vs (厚度为 30 nm)。据信,利用 L-3DMS 沉积的超薄 ITO 薄膜的高质量与 L-3DMS 的高密度等离子体和低放电电压改善了 ITO 薄膜的结晶度和氧空位有关,这使得能够在低处理温度下形成晶体结构。关键词:透明导电氧化物 (TCO)、3-D 受限磁控溅射、ITO 薄膜、高等离子体密度、晶体结构、低温。
1相对论量子力学1 1.1 DIRAC方程和矩阵。。。。。。。1 1.1.1狄拉克矩阵的结构。。1问题1:自由狄拉克粒子在旋转下是否服从符号?。。。。。。。。。。4 1.2 Pauli方程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 1.2.1 Dirac方程及其解决方案。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 1.2.2 Pauli方程的推导。 6 1.3 dirac理论中氢原子的光谱。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 1.3.1Schrödinger理论中的氢样原子。 。 。 。 。 。 。 。 8 1.3.2狄拉克理论中运动方程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。4 1.2 Pauli方程。。。。。。。。。。。。。。。5 1.2.1 Dirac方程及其解决方案。。。。。。。。。。。。。。。。5 1.2.2 Pauli方程的推导。6 1.3 dirac理论中氢原子的光谱。。。。。。。。。。。。。。。。8 1.3.1Schrödinger理论中的氢样原子。。。。。。。。8 1.3.2狄拉克理论中运动方程。。。。。。。。。。。。。。。9 1.3.3狄拉克理论中的能量谱11 1.3.4相对论频谱数字。。。。。。。。。。。。。。。。13 1.4 klein悖论 - 从潜在障碍物中反映了dirac的反射。。。。。。。13 1.4.1溶液的自由狄拉克粒子。13 1.4.2从潜在的屏障中反射大量狄拉克。。。16 1.4.3从潜在的屏障中反射无质量的零部分。。。24 1.5 Zitterbewegung。对速度运算符的追求。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 1.5.1海森伯格图片。。。。。。。。27 1.5.2速度操作员。。。。。。。。。28 1.5.3物理状态的速度运算符的期望值。。30
摘要氧化锌(ZnO)纳米颗粒是具有广泛应用潜力的多功能材料。此RE搜索的目的是合成ZnO纳米颗粒,利用甲醇中的Indigofera Tinctoria叶提取物作为一种生态友好的还原和稳定剂。合成在提取物质量方面的变化,即1 g(z1),5 g(z5)和10 g(z10),以评估提取物浓度对纳米颗粒特性的影响。ftir,XRD,SEM,XRF和UV-VIS DRS用于表征样品。FTIR分析结果显示,波数为422-430 cm -1处的典型ZnO峰。 XRD分析表明,纳米颗粒具有带有空间群p63mc的六边形wurtzite晶体结构。 随着提取物浓度在折痕中的浓度下降,总计16.55 nm(Z1),15.21 nm(Z5)和13.75 nm(Z10)。 带隙能量从3.19 eV(Z1)增加到3.21 eV(Z10),表明在较高的提取浓度下光活性增加。 通过SEM进行的形态分析表明,所有样品均表现出准球形形状。 eds表征显示仅识别Zn和O元素。 XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性,ZnO含量为98.99%。 这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解,可用于各种功能材料和技术应用。FTIR分析结果显示,波数为422-430 cm -1处的典型ZnO峰。XRD分析表明,纳米颗粒具有带有空间群p63mc的六边形wurtzite晶体结构。随着提取物浓度在折痕中的浓度下降,总计16.55 nm(Z1),15.21 nm(Z5)和13.75 nm(Z10)。带隙能量从3.19 eV(Z1)增加到3.21 eV(Z10),表明在较高的提取浓度下光活性增加。通过SEM进行的形态分析表明,所有样品均表现出准球形形状。 eds表征显示仅识别Zn和O元素。 XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性,ZnO含量为98.99%。 这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解,可用于各种功能材料和技术应用。通过SEM进行的形态分析表明,所有样品均表现出准球形形状。eds表征显示仅识别Zn和O元素。XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性,ZnO含量为98.99%。这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解,可用于各种功能材料和技术应用。这些结果还为开发绿色合成方法开发了纳米材料具有特征的纳米材料的机会,可以根据应用需求进行定制。
抽象的微流体技术促进了对流体混合和组件之间相互作用的精确控制,包括自组装和降水。它为准确制造颗粒提供了新的选择,并具有推进微/纳米颗粒药物输送系统(DDSS)的重要潜力。已经探索了各种微通道/微流体芯片以构建微/纳米颗粒DDS。通过微流体技术对粒径,形态,结构,刚度,表面特征和弹性的精确操纵依赖于特定的微通道几何设计以及外源能量的应用,并依赖于流体运动的原理。因此,这可以对关键质量属性(CQA)(例如粒径和分布,封装,效率,药物负荷,体外和体内药物输送率,ZETA电位和靶向功能),用于微型/纳米型ddss。在这篇综述中,我们对微流体技术进行了分类,并探讨了过去5年(2018 - 2023年)的新型微通道结构的最新研究发展及其在微型/纳米型DDS中的应用。此外,我们阐明了微流体技术的最新操纵策略,这些技术影响了与微/纳米/纳米细胞DDSS CQA相关的基础结构。此外,我们还提供了有关新型微/纳米颗粒DDS的背景下微流体技术所面临的工业应用和挑战。
将介绍在Polimi开发的医学成像应用中开发的ASIC。sipms读数的整体闪烁体读数允许伽马射线的光谱和相互作用测量位置,这也可以在模拟通道中的主动增益控制机理,在较大的动态范围内。尤其是在迅速-gamma测量中应用剂量治疗中的剂量验证。新的Anna ASIC实现了一个集成的神经网络,该神经网络直接处理从检测器的模拟信号,朝着闪烁体中相互作用的伽马射线位置的芯片重建。
差不多十年前,即 2011 年 5 月,我们向 2011 年 USENIX 安全热点话题研讨会 (HotSec) 提交了第一篇关于新兴增强现实 (AR) 系统的安全性和隐私的论文 [ 15 ]。1、2 虽然论文被拒绝了——修改版后来作为 2014 年 4 月《ACM 通讯》杂志的封面文章发表 [ 16 ] ——但它开启了我们为期 10 年的研究轨迹,预测、研究和设计如何缓解 AR(和 / 或 MR、XR、VR 3)中的安全性、隐私和安全问题。与此同时,商业化的 AR/MR/XR/VR 平台相继面世并持续发展,包括 2013 年的谷歌眼镜、2016 年的微软 HoloLens 和 Meta 2、2018 年的 Magic Leap One、2019 年的微软 Hololens 2 以及 2020 年 Facebook 的 Oculus Quest 2。
本文对机器人技术和工业应用中微机械系统(MEMS)的当前应用进行了综述。mems在我们的日常生活以及自动线和工业应用方面广泛用作执行器或传感器。建立新的聚合物和复合材料的交集,例如硅和微型制造技术进行微型缓存和微型组装,带来了MEMS设备的应用和效率的重新增长。mems表示,尺寸降低,更高的可靠性,多功能性,cus tomized Design和功率使用情况方面有很大改善。在机器人技术和工业应用中使用的各种设备和技术的演示以及硅在传感器开发中的使用和作用中进行了说明。还讨论了一些未来的趋势及其观点。
数字经济是未来全球经济发展的趋势,发展数字经济不仅高度体现中国的五大发展理念,而且对深化供给侧结构性改革、推动实施创新驱动发展战略具有重要意义,从而提升我国竞争新优势。本文在了解国内数字经济研究现状后,结合数字经济的内涵与特征,从技术、经济、环境三个维度选取基础指标,构建评价指标体系,对2009—2018年中国数字经济发展质量进行研究,分析当前中国数字经济发展存在的不足,提出有效的推进策略,以推动数字经济高质量增长。
量子点(QDS)是指具有量子实现效应的零维分号材料,通常由IV,II – VI,IV – VI或III – V元素组成,其大小约为1 nm – 10 nm。由于电子和孔的波函数在空间上结合到小于散装材料的BOHR半径的大小,因此出现了能级的量化,这与粒子中的A-box模型类似。[1,2] QD的离散能级产生原子,例如发射频谱宽度,导致高颜色纯度。[3 - 6] QD的能级分布可以通过其组成和大小来控制,这使得它们的发光能够连续调节以覆盖整个可见光带,从而在发射显示的范围内具有巨大的潜力。[7 - 10]