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World File Search System一维
双层一维对流 - 扩散 - 反应 -
摘要：本文对两层的一维传热问题进行了理论分析，其中涉及扩散，对流，内部热量产生或损失，依赖于每一层温度以及由于外部来源而产生的热量产生。此外，还考虑了材料之间界面处的热电阻。感兴趣的情况是数学建模的，使用傅立叶技术发现了显式的分析解决方案，并制定了收敛的有限差异方案以模拟特定情况。该解决方案与先前的结果一致。包括一个数字示例，该示例显示了所获得的结果与问题的物理学之间的连贯性。这项工作中得出的结论扩展了对两层传热的理论理解，也可能有助于改善多层工程系统的热设计。
氨-空气火焰条件下等离子流的一维建模
摘要 本文对氨-氧-氮-水混合物中的流光进行了自洽一维建模。开发并验证了一种包含物质输运、静电势和详细化学性质的流体模型。然后使用该模型模拟由纳秒电压脉冲驱动、在不同热化学条件下由一维层流预混氨-空气火焰产生的雪崩、流光形成和传播阶段。成功证实了 Meek 标准在预测流光起始位置方面的适用性。由于电离率不同，流光形成和传播持续时间随热化学条件的不同而存在显著差异。热化学状态还影响击穿特性，通过保持背景减小电场恒定来测试击穿特性。详细的动力学分析揭示了 O（1 D）在关键自由基（如 O、OH 和 NH 2 ）生成中的重要性。此外，还报道了 NH 3 的解离电子激发对 H 和 NH 2 自由基产生的贡献。不同热化学状态下各种非弹性碰撞过程的电子能量损失分数的空间和时间演变揭示了燃料解离所消耗的输入等离子体能量以及雪崩和流光传播阶段主要过程的巨大变化。本研究报告的方法和分析对于开发用于氨点火和火焰稳定的受控纳秒脉冲非平衡等离子体源的有效策略至关重要。
非线性量子光子量，带有锡面中心与一维钻石波导
单光子和固态颜色中心之间的非线性相互作用是量子科学中许多应用的核心[1,2]，例如实现量子互联网[3,4]。尤其是，钻石中的彩色中心已启用了这个方向的高级演示，显示了多键量子网络操作[5,6]，内存增强的通信[7]和可扩展的芯片载荷混合动力集成[8]。Among the diamond color centers, the tin-vacancy center (SnV) has recently emerged as a promising qubit platform, as it combines the inversion symmetry of group-IV color centers [9,10] , allowing for integration in nanophotonic structures, with good optical properties [11 – 14] and above-millisecond spin coherence at temperatures above 1 K [15,16] .将光子整合与自旋和光学控制结合的设备可以用作实现自旋photon大门的未来可伸缩构建块[17]。在通往这种可扩展的片上整合的路径上，将发射剂掺入纳米光子波导中[12,18]，可以探索相干的发射极 - 光子相互作用，典型的波导 - 耦合系统[19,20]。与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。 在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图所示 1（a）。 感谢有效的耦合，双面访问和实时与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图1（a）。感谢有效的耦合，双面访问和实时
一维格子规范理论中的非介子量子多体疤痕
我们研究了与动态自旋 1 2 链耦合的 1D Z 2 格子规范理论的量子多体疤痕中的介子激发（粒子-反粒子束缚态），该链作为物质场。通过引入物理希尔伯特空间的弦表示，我们将疤痕态 j Ψ n;li 表示为所有具有相同弦数 n 和总长度 l 的弦基的叠加。对于小 l 疤痕态 j Ψ n;li，物质场的规范不变自旋交换关联函数随着距离的增加呈指数衰减，表明存在稳定的介子。然而，对于大的 l ，关联函数呈现幂律衰减，表示非介子激发的出现。此外，我们表明这种介子-非介子交叉可以通过淬灭动力学检测到，分别从两个低纠缠初始态开始，这在量子模拟器中是实验可行的。我们的研究结果扩展了格点规范理论中量子多体疤痕的物理学，并揭示了非介子态也可以表现出遍历性破坏。
量子力学中一维时间分数阶薛定谔问题的解析研究
本研究对量子力学中出现的一维时间分数阶非线性薛定谔方程进行了分析研究。在本研究中，我们建立了 Sumudu 变换残差幂级数法 (ST-RPSM) 的思想，以生成具有分数阶导数的非线性薛定谔模型的数值解。提出的思想是 Sumudu 变换 (ST) 和残差幂级数法 (RPSM) 的组合。分数阶导数取自 Caputo 意义。所提出的技术是独一无二的，因为它不需要任何假设或变量约束。ST-RPSM 通过一系列连续迭代获得其结果，并且得到的形式快速收敛到精确解。通过 ST-RPSM 获得的结果表明，该方案对于非线性分数阶模型是真实、有效和简单的。使用 Mathematica 软件以不同的分数阶级别显示一些图形结构。
补充信息具有锡空位中心的非线性量子光子学与一维金刚石波导耦合
样品制作工艺从对 < 100 > 表面取向的电子级金刚石衬底 (元素 6) 进行植入前表面处理开始。首先将样品衬底放入湿式 Piranha（H 2 SO 4 (95 %): H 2 O 2 (31 %) 比例为 3:1）无机溶液中，在 80 ◦ C 下清洗 20 分钟，然后通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻 (ICP/RIE) Ar/Cl 2 等离子体化学配方进行表面约 5 µ m 蚀刻，以去除衬底表面残留的抛光诱导应变。再进行约 5 µ m ICP/RIE O 2 化学等离子蚀刻，以去除前面蚀刻步骤中残留的氯污染[1]。接下来，将样品在 Piranha 溶液中进行无机清洗（80 ◦ C 下 20 分钟），并注入 Sn 离子（剂量为 1e11 离子/cm 2，能量为 350 keV）。在通过真空退火（1200 ◦ C）激活 SnV 中心之前，进行三酸清洗（比例为 1:1:1，HClO 4（70%）：HNO 3（70%）：H 2 SO 4（> 99%））1.5 小时，以去除任何残留的有机污染，然后在退火步骤后进行相同的湿式无机清洗程序，以去除在金刚石基材退火步骤中形成的任何表面石墨薄膜层。为了评估 SnV 中心是否成功激活，在悬浮结构纳米制造之前对样品进行表征。波导结构的纳米加工遵循参考文献[2-6]和[1]中开发的基于晶体相关的准各向同性蚀刻底切法的工艺。图S1中显示了该方法的示意图。
基于多层设计的角等离子体的高性能生物传感器：增强一维设计灵敏度的新材料
在感应介质的折射率中。5通过金属/介电板的界面通过金属/介电板的界面诱导金属的自由电子振动性，而这反过来，这又，它因能量传递而沿界面开始旋转，从而使Indistion Em Wavis携带以免费的电子表面携带，因此，该金属的自由电子均促进了金属的自由电子，从而诱导了金属的自由电子，从而诱导金属的自由电子，从而诱导金属的自由电子，从而诱导金属的自由电子，从而使Indistion Em the Em em the Emalons携带的是金属的携带。6沿金属和电介质之间界面的自由电子的集体传播称为表面等离子体波（SPWS）。7 SPWS和Evanescent Wave之间的耦合是由于相匹配而导致的，这是实现SPR条件的必要条件。8，这种情况的实现导致结构6 - 8的重复响应的谐振倾角，因为表面波的激发是直接通过3D梁的激发而引起的。有不同的激发技术，例如Kretschmannconguration，其中，棱镜用于表面等离子体的激发，ottoconguration，ber耦合，以及在全球研究人员使用的耦合方案。9在所有这些耦合方案中，Kretschmanncon基于guration基于辅助的耦合方案是最受欢迎的耦合方案，是通过在TM极极化的入射波中通过TM极极化的入射波涂上（AU）和银色（AG）的新型金属（例如（AU）和银色（Ag）的新型金属（例如（AU）和银色（Ag）），通过涂层新型金属（例如（AU）和银色（Ag），来激发evaneScent波。10黄金通常是理想的选择，因为它的能力
一维符号替代系统的近似
在研究来自准晶体的薛定谔算子时，人们常常通过周期晶体近似底层动力学结构来研究它。这种方法的例子可以在早期的著作中看到，例如 [ OK85 、 MDO89 、 SB90 、 TFUT91 、 TCL93 ] 和最近的 [ SJ08 、 TGB + 14 、 EAMVD15 、 TDGG15 、 CRH19 、 BBDN20 ]。这是使用具有开放、周期或扭曲边界条件的有限体积近似值来完成的，同时试图最小化边界条件的影响。在本文中，我们处理具有周期势的无限近似值，用于估计来自无限晶格 Z 上非周期原子配置的薛定谔算子。使用 Bloch-Floquet 理论可以相对容易地理解这些无限周期近似值，该理论允许我们通过具有扭曲边界条件的有限体积算子来研究它们。例如，请参阅 [ MDMPAR06 ] 或 [ SV05 ]。我们考虑的薛定谔算子是紧束缚模型的简单情况，由下式给出
最小值使用具有一维潜在变量的浅生成模型
在我们看来，可以根据其数据生成过程将普遍使用的深层生成模式分为两种方法。第一种方法涉及为函数g：r d 0→r d构建估计值ˆ g，通常称为发电机。然后，从已知的D 0尺寸分布（例如标准正常或均匀）中绘制样品z，ˆ g（z）被视为估计分布中的样品。因此，ˆ g（z）的分布（或deNSISTIS）是P 0（或p 0）的间接估计器。变化自动编码器（VAE）（Kingma和Welling，2014; Rezende等，2014），正常化流量（NF）（Dinh等，2015; Rezende and Mohamed，2015）和生成的对抗性网络（GAN）（GAN-LOW-LOW-LOW。 Al。，2017年）是重要的例子。
在半导体中的一维电子定位与电磁腔
一维（1D）固体的电导率相对于其长度表现出指数衰减，这是定位现象的众所周知的表现。在这项研究中，我们介绍了将一维半导体插入单模电磁腔所产生的电导率改变，并特别集中在非排定掺杂的状态上。我们的方法采用了绿色的功能技术，适用于对腔体激发状态的非扰动考虑。这包含相干的电子腔效应，例如零点爆发场中的电子运动，以及在隧道过程中的不一致的光子发射过程。跨腔的电子传递的能量谱发育与虚拟光子发射，沿谐振水平的通过以及光子重吸收相关的FANO型共振。FANO共振的质量因素取决于中间状态是否耦合到铅，当该状态深入障碍潜力中时达到最大值。耦合到空腔也提高了浅结合状态的能量，使它们接近传导带的底部。这种作用导致低温下电导率的增强。