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World File Search System串联电阻
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
各向异性热传输在可调的自组装纳米晶超晶体中
*通信：james.utterback@sorbonne-universite.fr摘要实现具有内置纳米级热流动性的可调功能材料是一个重大挑战，可以推进热管理策略。在这里，我们使用时空分辨的热反射率在各向异性AU纳米晶体的自组装超晶体中可视化侧向热传输各向异性。相关电子和热反射显微镜表明，纳米尺度的热量主要沿各向异性纳米晶体的长轴流动，并且在晶粒边界和弯曲的组件上进行了这种情况，而弯曲的组件则干扰热流动。我们通过组成纳米棒的长宽比来精心控制各向异性，并且它超过了纳米双锥体超晶体的纵横比和某些纳米排列。有限元模拟和有效的培养基建模合理地将出现的各向异性行为合理化，以简单的串联电阻模型，进一步提供了一个框架，以估算热各向异性作为材料和结构参数的函数。胶体纳米晶体的自组装有望在使用这种重要材料类别的广泛应用中引导热流的有趣途径。关键字纳米级热传输，胶体纳米晶体，超晶，各向异性，热质融合，时空显微镜
绿色能源和传感器系统卓越中心印度工程科学技术学院，shibpur完整课程结构和
模块1：太阳能单元1半导体和连接的基础，P-N连接的I-V特征。太阳能电池结构，发光电流，光IV特性，太阳能电池参数，光谱响应和量子效率，串联电阻的影响和分流电阻对太阳能电池I-V特性的影响，温度和光强度的影响，阴影的影响，阴影的影响，损失，太阳能细胞中的损失。模块2：半导体中太阳能Cell-2生成重组的基本面； Shockley，阅读和大厅表达；表面和界面重组； Schockley-Queissser效率模块的极限-3：硅太阳能电池的生产，丝网印刷太阳能电池，掩埋的接触太阳能电池，高效率太阳能电池，后方接触太阳能电池。模块4：太阳能电池生产线硅源材料，晶片，清洁，纹理，扩散，等离子体隔离，抗反射涂层，屏幕上打印的前后触点，测试和模块制造模块5：测试和测量量的测试和测量量，测量太阳能电池效率，外部量子效率，IM量度，IM量度（EQE），i QE效率（EQE），EQE，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率（EQE）量子效率分析，终生测量
TM1934-规格表下载.pdf
低功耗CMOS工艺 OUT输出口耐压24V VDD内置5V稳压管，串联电阻后支持6-24V电压 15mA固定恒流输出 PWM亮度控制电路，256级亮度控制 精确的电流输出值 最大误差（通道间）：±3% 最大误差（芯片间）：±5% 单线串行级联接口 单线两通道串行级联接口：芯片数据接口可以通过命令配置DI或者FDI引脚输入，正常模式下输入接口互相切换，DI工作模式下DI引脚输入数据，FDI工作模式下FDI引脚输入数据，D0引脚转发级联数据，该信号不会因为某一芯片的异常而影响其它芯片的正常工作 振荡方式：内置RC振荡，根据数据线上的信号进行时钟同步，在接收到当前单元的数据后自动重新生成后续数据并通过数据输出端送到下一级，信号不随级联距离的增大而失真或衰减 内置上电复位电路，上电复位后所有寄存器均清零初始化 数据传输速率800KHz 封装方式：SOP8和SOT23-8
li-ion构建块，带有Sony/Murata VTC6数据表
温度传感器是从细胞端子中分离出来的，可以通过单独的电路安全地读取信号。但是，使用标准堆栈测量IC非常方便，通常用于电池监视和平衡。图6给出了具有广泛可用LTC6803的电路示例。要测量温度，在IC上激活平衡开关。这样做后，CN+1和CN之间的电压差为温度。在这种测量过程中，传感器电流从细胞正选项卡到串联电阻器到传感器，然后转移到IC的内部平衡FET，然后通过另一个串联电阻到细胞为阴性。因此，在这种情况下，使用330Ω电阻为传感器形成680Ω电阻。当禁用开关时，可以测量电池电压。请注意，在添加电容器进行过滤测量时，应格外小心，因为这可能导致传感器中的过电流状态。还要注意，不得启用相邻的平衡开关，因为这也会导致过电流。如果选择了这样的技术，则应一次在每个第二个单元格上进行两个循环进行测量（例如：1、3和5，2、4和6）。建议使用单独的IC进行电池管理和温度测量，但是，通过额外的谨慎和智能工程，可以使用单个IC进行电池电压测量，温度测量和平衡：如果添加了额外的出血电阻和MOSFET，则可以在温度测量过程中平衡细胞。
灯笼（III）氢氧化物纳米颗粒和光敏感硅杂音中的聚乙烯功能化石墨烯量子点纳米复合材料
摘要：灯笼在光电子中主要用于掺杂剂，以增强半导体设备的物理和光学特性。在这项研究中，灯笼（III）氢氧化物纳米颗粒（LA（OH）3 NP）用作聚乙基亚胺（PEI）功能化的氮（N）掺杂的石墨烯量子点（PEI- N GQD）的掺杂剂。通过绿色新颖方法在单一步骤中从LA（NO）3中制备3个NPS掺杂的PEI- nps-n GQD纳米复合材料，并以傅立叶转换红外光谱（FT-IR）为特征（TEM）。 在n型Si晶圆上沉积，洛杉矶（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQDS纳米复合材料形成Schottky Diodes。 I -V特性和二极管的光响应是根据照明强度在0-110 mW cm -2和室温下的照明强度的函数。 发现二极管的直接拟合比和理想性因子降低，而Schottky屏障和串联电阻随着增强的照明而增加。 作为光电探测器，LA（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQD/N-SI异质结的表现出3.9×10 - 3 AW - 1在22 mW cm-2下，在-0.3 V偏见下，在22 mW cm-2下，最大检测到8.7×10 8 JONES的最大检测，并在8.7×10 8 JONES中进行了研究。呈现LA（OH）3 NPS掺杂的PEI-N GQD的结构，电气和光电特性，表明这些纳米复合材料对于光电应用程序有望有望。通过绿色新颖方法在单一步骤中从LA（NO）3中制备3个NPS掺杂的PEI- nps-n GQD纳米复合材料，并以傅立叶转换红外光谱（FT-IR）为特征（TEM）。在n型Si晶圆上沉积，洛杉矶（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQDS纳米复合材料形成Schottky Diodes。I -V特性和二极管的光响应是根据照明强度在0-110 mW cm -2和室温下的照明强度的函数。发现二极管的直接拟合比和理想性因子降低，而Schottky屏障和串联电阻随着增强的照明而增加。作为光电探测器，LA（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQD/N-SI异质结的表现出3.9×10 - 3 AW - 1在22 mW cm-2下，在-0.3 V偏见下，在22 mW cm-2下，最大检测到8.7×10 8 JONES的最大检测，并在8.7×10 8 JONES中进行了研究。呈现LA（OH）3 NPS掺杂的PEI-N GQD的结构，电气和光电特性，表明这些纳米复合材料对于光电应用程序有望有望。关键字：稀土元素，灯笼（III）氢氧化物掺杂，石墨烯量子点，绿色方法，纳米复合二极管，光敏性
完全芯片电感器的概述
摘要。本文着重于被动设备的完全集成，尤其是使用图案化接地屏蔽（PGS）和完全集成的电容器的完全集成电感器的多层堆叠（MLS）结构。不同结构的比较集中在集成电感器的主要电参数上（例如诱导𝐿，电感密度𝐿𝐿，质量因子𝑄，最大质量因子的频率最大频率最大，自动恢复频率FSR和串联电阻𝑅DC）和其他非电力参数（例如，所需的区域，制造过程，权限等）在结构比较过程中同样重要。根据制造过程提出了过去几年报告的最显着结果的电感结构。最终的几何和电气特性是在大型元素中，以综合被动装置的制造过程。这项工作概述了集成电感器的概述和最先进的作品，以及用于制造的制造过程。本文的第二个目的是将我们先前工作中提出的结构插入过去7年中报告的其他结果中。使用拟议的解决方案，可以在标准技术中报道的类似的解决方案中获得最高的电感密度= 23.59 nh/mm 2和第二高质量的FACTOR𝑄= 10.09，该解决方案也适合在高级技术节点中生产的集成感应器。
通过沉浸式虚拟现实（Virtual-HF）提高对心力衰竭患者康复的依从性：一种随机对照试验的方案
由于锂离子电池已经变得越来越普遍，因此由于其对系统的可用性和安全性的影响，估计其剩余使用寿命（RUL）已成为必要。rul对于建立预后价值而建立预测维护策略特别有用。电池降解模型还应结合不同用法和环境条件对电池性能的影响，以对RUL进行可靠的预测。电池降解行为必须通过加速降解测试来表征，该测试是根据最佳设计理论计划的，以预测统治并区分竞争模型。可以通过使用基于良好降解模型的增强学习方法来选择最佳的维护策略。本文介绍了所有这些方法的简要概述。单独地，它们在文献中得到了很好的代表，但是考虑它们是一种新颖的维护方法。由于电池经常在不受控制的环境中使用，因此这种方法的综合政策和模型学习方面似乎尤其有希望。锂离子电池的健康状况（SOH）在降低过程中呈指数衰减。可以使用各种方法来估计SOH参数，包括从放电能力或开路电压（OCV），传感器融合算法或间接处理等效串联电阻（ESR）的直接估计。几个因素导致电池降解，包括电池化学，尺寸和操作条件。重要的是要注意，总体趋势始终是特征的
基于脉冲宽度调制的直流电机闭环...
印度海得拉巴 Sridevi 女子工程学院 EEE 系。摘要 使用微控制器和脉冲宽度调制 (PWM) 技术调节直流电机的速度是本项目的主要目标。每个机器人项目都严重依赖直流电机控制。在许多应用中，旋转具有高或低速度限制的直流电机是必要的。我们为此采用 PWM 方法。在脉冲宽度调制 (PWM) 电路中，可以通过调整开关比将平均导通时间从零调整到百分之百，从而产生方波。这允许改变对负载的功率输送。与电阻功率控制器相比，脉冲宽度调制 (PWM) 电路效率更高。当设置为 50% 的负载功率时，PWM 使用大约 50% 的全功率，几乎所有功率都流向负载。相比之下，电阻控制器使用大约 71% 的全功率，其中一半功率流向负载，另外 21% 的功率浪费在加热串联电阻上。脉冲宽度调制还有一个额外的好处，就是允许脉冲达到整个电源电压。这样，它们就能够更容易地克服电机内部的阻力，从而在电机中产生更大的扭矩。这个项目采用了使用嵌入式 C 指令编码的车载计算机。车载计算机可以与输入和输出模块通信。为了显示直流电机的当前速度，LCD 充当输出模块。可以使用控制按钮调整电机的速度。
[Z77'.,7' 777 - S3VI
- 威布尔形状参数 TCR - 电阻温度系数 C - 电容值 THS - 热点温度 CR - 循环速率 V - 电压 D - 缺陷密度 VA - 施加的最大电压 D056 - 空军维护数据库 VR - 额定电压 DIP - 双列直插式封装 X - 电介质厚度 DPDT - 双刀双掷 AT - 温度变化 Ea - 阿伦尼乌斯关系中使用的激活能 EMP - 电磁脉冲 ESD - 静电放电 F - 故障 FLHP - 全马力 FSN - 联邦库存编号 I 电流 IC - 集成电路 IPB - 图解零件故障 K - 玻尔兹曼常数 L - 电感 S - 故障率 LC - 生命周期 MCTF - 平均故障周期数 MLB - 多层板 MTTF - 平均故障时间 NOC - 未分类 P - 电源 PC - 印刷电路 PCB - 印刷电路板 PGA - 引脚栅格阵列 PPM - 百万分率 PWB -印刷线路板 0 - 热阻 QPL - 合格产品列表 R - 电阻（单位：欧姆） RF - 射频 RIW - 可靠性改进保证 S - 应力比 SIP - 单列直插式封装 SMC - 表面贴装元件 SMT - 表面贴装技术 SPC - 统计过程控制 SPST - 单刀单掷 SR 串联电阻 SSR 固态继电器 T - 温度 TA - 环境温度