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全球小芯片和先进封装的最新行业报告
➢ 半导体封装用玻璃基板所要求的特性及玻璃中介层的发展趋势！ ➢ 三大半导体厂商的背面电源技术优缺点、其经营策略、量产计划如何？ ➢ 晶圆代工厂、EMS、无晶圆厂、OSAT、半导体制造设备相关公司的经营战略！ ➢ 采用小芯片的二维和三维异质集成的特点和应用！ ➢ 2.5D、3D封装所需的材料特性！重新分布层、封装材料、底部填充材料等等！ ➢ FOWLP/PLP制造工艺类型、相关公司以及贴装封装元件的要求！ ➢ 全球 HBM 市场份额争夺战愈演愈烈，日本企业面临巨大商机！ ➢ 探讨了底部填充所需的性能和技术趋势、市场预测以及各企业的市场份额！ ➢ 设计和质量要求满足芯片在镀铜布线制造中的需求！ ➢ 探讨了混合键合的方法、优势和挑战以及各公司产品的特点和技术策略！
STARRY NITE 多项目晶圆计划申请...
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议，合作者将有一段预定的时间（“设计期”），使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后，合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计，以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档，以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片，诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意，诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试；整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意，美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权
开发下一代光子集成电路
开发下一代光子集成电路 在过去二十年里，硅光子学 1,2 已经从学术研究转向广泛的工业应用。然而，尽管硅光子学 3 取得了商业上的成功，被用于数据中心的收发器，但硅并不是光子学和光学的理想材料。硅的带隙为 1 eV，因此不能用于可见光的生成和处理 4,5 ；另外，硅不能承受高光功率。同样，即使在最先进的全球代工厂的硅光子商业生产线中，使用数十亿美元的制造设备，损耗水平也只有每厘米 1dB。事实上，在芯片中获得超低损耗是极具挑战性的。对如此低损耗的追求不仅仅是一项学术努力：从历史上看，高锟的工作还为损耗仅为 1dB/km 的光纤奠定了基础，这导致了 2008 年诺贝尔物理学奖并彻底改变了通信领域 6 。然而，直到最近，低损耗集成光子电路的进展几十年来一直停滞不前——在 dB/cm 的水平。然而，芯片上的超低传播损耗对于众多未来应用至关重要。
ASX 公告 (ASX
Archer 已经建立了一个 gFET 性能数据集，用于代工厂批次间重复性，并研究了设备在测试条件和时间段内的稳定性。这些数据集是 Biochip gFET 用于慢性肾病血钾检测可行性开发计划的关键输入。该团队通过开发第一版电气调节程序实现了这一目标，该程序将各个 gFET 设置为高测试间重复性条件。该程序将扫描电压重复性提高了 10 倍，直接转化为更好的钾测量精度。这对于实现慢性肾病血钾水平所需的高精度测量至关重要。Biochip 团队的示例结果显示了传感器对相关范围的钾浓度的电气响应，如图 1 所示。该团队在建立重复性和灵敏度基线方面取得了进展。在接下来的几个月里，工作将针对影响这一点的因素，并通过传感器操作、制造和设计不断改进，以满足钾精度规范。例如，当要检测传感器的 20mV 响应时，测量变化需要远小于 20mV。图 1 中的初始数据显示了这些指标迄今为止的进展。
用于 CMOS 光子学的低压、高亮度硅微型 LED
摘要——采用 CMOS 工艺实现的硅光子学已经改变了计算、通信、传感和成像领域。尽管硅是一种间接带隙材料，阻碍了高效发光，但在高压反向击穿雪崩模式下工作时在发射宽带可见光的硅 pn 结领域已经进行了大量研究。在这里，我们展示了在开放式代工厂微电子 CMOS 工艺 55BCDLite 中实现的正向偏置硅微发光二极管 (micro-LED) 的高亮度近红外 (NIR) 光发射，无需任何修改。在室温连续波操作下，对于直径为 4 µ m 的器件，在低于 2.5 V 的电压下，在中心波长为 1020 nm 处实现了超过 40 mW/cm 2 的外部发光强度。这是通过采用具有保护环设计的深垂直结来实现的，以确保载流子传输远离器件表面和非辐射复合通常占主导地位的材料界面。在这里，我们还展示了仅使用标准多模光纤和单片集成 CMOS 微型 LED 和探测器的完整芯片到芯片通信链路。
定制 IC 的 Chiplet 解决方案
摘要：芯片被视为克服摩尔定律放缓和优化集成电路设计超越单芯片物理边界的战略选择。业界已报道了使用芯片和先进封装解决方案进行有效系统设计的几个例子。这些设计为方法和工具提供了巨大的机遇，但也带来了挑战。添加多芯片选项大大增加了设计空间，必须开发新的分区和评估工具。EDA 行业已经为设计师提供了部分集成的解决方案，但还需要做更多的工作来提供无缝的环境。那么基于芯片的设计是否是我们对集成系统设计的一次革命？多芯片模块在 20 世纪 80 年代甚至更早的时候就引起了业界和学术界的关注。然而，在那个时期诞生的几家初创公司没有留下任何重大遗产就倒闭了。与多芯片模块相比，基于芯片的设计是一种渐进式创新吗？与过去相比，现在哪些机会引人注目？基于芯片的设计是否会产生专门从事这项技术的新公司，这些公司将提供类似于我们在代工厂看到的技术服务？ EDA 行业在促进生态系统方面将发挥什么作用？
2022 年度报告 - cloudfront.net
本 10-K 表包含前瞻性陈述，涉及许多风险和不确定性。诸如“加速”、“实现”、“目标”、“抱负”、“预期”、“相信”、“承诺”、“继续”、“可能”、“设计”、“估计”、“期望”、“预测”、“未来”、“目标”、“增长”、“打算”、“可能”、“或许”、“里程碑”、“下一代”、“目标”、“按计划进行”、“机会”、“展望”、“待定”、“计划”、“定位”、“可能”、“预测”、“进展”、“路线图”、“潜在”、“寻求”、“应该”、“努力”、“目标”、“将”、“即将”、“将”、“将”等词语及其变体和类似表达旨在识别此类前瞻性陈述。此外，任何提及我们战略及其预期收益的声明，包括我们的 IDM 2.0 战略、2022 年 2 月投资者会议财务模型、Smart Capital 战略、SCIP、我们与 Brookfield Asset Management (Brookfield) 的合作伙伴关系、向内部代工模式的过渡以及我们报告结构的更新；制造扩张和融资计划；投资计划和投资计划的影响，包括在美国和国外；未来的经济状况，包括区域或全球经济衰退或衰退；商业计划；内部和外部制造计划，包括未来的内部制造量和外部代工厂使用量；未来对 COVID-19 的响应和影响，包括制造、运输和运营限制或
印度政府
( SHRI JITIN PRASADA ) (a) 至 (c): 芯片初创 (C2S) 计划已由电子和信息技术部于 2022 年启动，作为能力建设计划，为期 5 年，旨在培养 85,000 名具有行业资质的 B.Tech、M.Tech 和 PhD 级别的人才，专门从事半导体芯片设计、超大规模集成 (VLSI) 和嵌入式系统设计领域。该计划采用综合方法，为学生提供芯片设计以及这些设计的制造和测试的完整实践经验。这是通过与行业合作伙伴合作开展的定期培训课程、为学生提供的指导和芯片设计、制造和测试资源来实现的，包括最先进的电子设计自动化 (EDA) 工具、访问半导体代工厂以制造他们的设计等。C2S 计划是一个持续进行的计划。针对到 2027 年培养 85,000 名人力资源的目标，迄今为止，共有 45,313 名 B.Tech、M.Tech 和 PhD 级别的人力资源已入学并正在接受该计划的培训。ChipIN 中心已在班加罗尔 C-DAC 设立，作为一站式中心，为全国的学术机构/研发组织和初创企业/中小微型企业提供以下支持：
DUNE 远探测器的 FBK SiPM 生产现状
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC)，其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下，FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM)，该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声，约为几 mHz/mm2，后脉冲概率低，并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内，NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发，通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备，目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备，并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK，我们开发了一个小型供应链，其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司，能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中，我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
用于氮化硅光子学的高效超材料工程光栅耦合器
摘要：氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而，标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器，较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度，从而导致较长的衍射结构，限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起，采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中，我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中，利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料，可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度，而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟，设计了一种超材料工程光栅耦合器，其耦合效率为 − 1.7 dB，工作波长为 1.31 µ m，1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法，可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。