Phuong Vuong,Suresh Sundaram,Vishnu Ottapilakkal,Gilles Patriarche,Ludovic Largeau等。蓝宝石底物方向对III-硝酸盐的范德华外观对2D六边形硝酸硼的影响:对光电设备的影响。ACS应用的纳米材料,2022,5(1),pp.791-800。10.1021/acsanm.1c03481。hal-04460183
半导体光电设备,能够以紧凑且高效的方式将电力转换为光线或相反的光线为电力,代表了有史以来最先进的技术之一,该技术具有广泛的应用范围内的现代生活。近几十年来,半导体技术已从第一代狭窄带隙材料(SI,GE)迅速发展为最新的第四代超宽带隙半导体(GAO,Diamond,Aln),其性能增强以满足需求的增长。此外,将半导体设备与其他技术合并,例如计算机辅助设计,最先进的微/纳米织物,新型的外延生长,已经显着加以促进了半导体Optoelectronics设备的发展。在其中,将元浮面和半导体的光电设备集成,为电磁反应的芯片控制打开了新的边界,从而可以访问以前无法访问的自由度。我们回顾了使用集成的跨侧面的各种半导体光电设备在芯片上控制的最新进展,包括半导体激光器,半导体光发射器,半导体光电镜像和低维度的半导体。MetaSurfaces与半导体的集成提供了晶圆级的超级反理解决方案,用于降低半导体设备的功能,同时还提供了实施实际应用中实现实际应用中的实用平台。
Ambikapur-497001,印度Chhattisgarh,4 M.Sc.-Student,化学系,Pt。Ravishankar Shukla大学,Raipur,Chhattisgarh摘要:这项研究研究了掺杂的钛酸钡(Batio 3)陶瓷的结构,介电和光学性质,突显了它们用于高级电子应用的潜力。钛酸钡是一种突出的铁电材料,以系统的方式与各种元素一起掺杂,以改善其功能属性。通过X射线衍射(XRD)的方式描述了晶体结构和相位发展,展示了掺杂如何影响晶格参数和相位稳定性。介电特征,例如损失切线和介电常数,揭示了掺杂剂对介电行为和铁电特性的影响。光学研究,包括UV-VIS光谱法检查了带隙和光透射率,这对于光电子用途至关重要。发现,靶向掺杂可以有效地改变钛酸钡陶瓷的结构,介电和光学特性,使其非常适合电容器,传感器和其他电子设备。这项研究为优化钛酸钡陶瓷提供了宝贵的见解,以在各种技术应用中实现卓越的性能。也已经观察到某些掺杂剂减少了带隙的能量,从而导致更好的光学透明度和可调折射率,这对于光电应用非常有价值。关键字:钛盐(Batio 3),掺杂陶瓷,介电特性,光学特性,1。引言钛酸钡(Batio 3)钙钛矿结构的陶瓷,由于其出色的介电,铁电和压电性特性,一直是电子应用中的基础材料[1]。这些独特的特征使Batio 3在各种电子设备中必不可少,包括多层陶瓷电容器(MLCC),热敏电阻,执行器和传感器[4]。该材料的高介电常数和可调节的铁电特性对电容器特别有益,在该电容器中,有效的能量存储至关重要[10]。但是,随着电子技术的发展,越来越多的需求以进一步增强和优化Batio 3的内在特性,以满足
a 美国西北大学 Querrey Simpson 生物电子研究所,伊利诺伊州埃文斯顿 60208,美国 b 美国西北大学生物医学工程系,伊利诺伊州埃文斯顿 60208,美国 c 澳大利亚弗林德斯大学弗林德斯健康与医学研究所医学与公共卫生学院 d 美国西北大学土木与环境工程系,伊利诺伊州埃文斯顿 60208,美国 e 大连理工大学工程力学系工业装备结构分析、优化与 CAE 软件国家重点实验室,辽宁大连 116024 f 美国西北大学神经生物学系,伊利诺伊州埃文斯顿 60208,美国 g 美国西北大学材料科学与工程系,伊利诺伊州埃文斯顿 60208,美国 h 韩国科学技术研究院生物医学研究部仿生中心,首尔 02792,大韩民国 i 电气工程系和计算机工程系,北卡罗来纳州立大学,北卡罗来纳州罗利市,27606,美国 j 机械工程系,西北大学,伊利诺伊州埃文斯顿市,60208,美国 k 先进自供电集成传感器和技术系统中心(ASSIST),北卡罗来纳州立大学,北卡罗来纳州罗利市,27606,美国 l 生物医学工程系,弗林德斯医疗中心,南澳大利亚贝德福德公园,澳大利亚 m 神经外科系,西北大学范伯格医学院,伊利诺伊州芝加哥,60611,美国 n 生物集成电子中心,西北大学,伊利诺伊州埃文斯顿市,60208,美国
灵活的混合光电集成集成在实现低温性方案基板上的高性能设备的低成本制造之前,面临着几个基本挑战。这些低成本基板通常会带来严格的处理要求,从而导致关键的制造问题。新兴技术,例如激光或基于灰灯(所谓的光子)后加工后处理的烧结,可替代传统烤箱的热敏感底物处理。1 - 8通过仔细调整每种材料的加工条件,可以在同一设备上独立处理多个薄LM,而无需高速退火和高速。用金属纳米颗粒制成的薄lm需要用少量的高功率密度脉冲来处理高密度导电lms。9,10对于陶瓷材料,较大的低功率脉冲倾向于改善
Sushil Kumar Mandal教授Santosh Kumar Mahto博士。 Jitendra Kumar Mishra博士Shashi Kant Sharma博士Jayadeep Pati博士Dhananjoy Bhakta博士Bharat Singh d博士。 Rashmi Panda Priyank Khare博士Nishit Malvia博士Kirti Kumari博士d。 Tarun Biswas d。 nidhi kushwaha Rajiv Kumar博士Rishikesh D博士D. Manju Mathew博士Shashi Kant博士Puja Ghosh博士Priyabrat Garaanayak博士Shahid Hassan Shahid Hassan Shalini Mahato Shalini Mahato博士Shalini Mahato Mahato Mahato Dr.Sushil Kumar Mandal教授Santosh Kumar Mahto博士。 Jitendra Kumar Mishra博士Shashi Kant Sharma博士Jayadeep Pati博士Dhananjoy Bhakta博士Bharat Singh d博士。 Rashmi Panda Priyank Khare博士Nishit Malvia博士Kirti Kumari博士d。 Tarun Biswas d。 nidhi kushwaha Rajiv Kumar博士Rishikesh D博士D. Manju Mathew博士Shashi Kant博士Puja Ghosh博士Priyabrat Garaanayak博士Shahid Hassan Shahid Hassan Shalini Mahato Shalini Mahato博士Shalini Mahato Mahato Mahato Dr.
液晶显示屏(LCD)是平板显示器或其他电子调制的光学设备,它使用液晶与极化器结合的光调节性能。液晶不会直接发出光,而是使用背光或反射器来产生颜色或单色的图像。LCD可用于显示任意图像(如通用计算机显示)或具有低信息内容的固定图像,可以显示或隐藏,例如预设单词,数字和七个段显示器,如数字时钟。他们使用相同的基本技术,除了任意图像是由小像素的矩阵制作的,而其他显示器具有较大的元素。LCD可以根据偏振器的排列通常在(正)或OFF(负)上。例如,带有背光的字符正面LCD在背景的背景上具有黑色字母,并且字符负LCD具有黑色背景,字母的字母与背光相同。光学滤镜被添加到蓝色LCD上的白色,以使它们具有特征性的外观。
光电设备是基于光电转换效应制造的,该效应是现代光电技术和微电子技术技术的开发研究领域[1]。在21世纪,全球光电设备制造业已取得了快速发展,而光电设备的市场逐年增长。光电设备被广泛用于各种场,例如光学显示,有机太阳能电池,激光和波导。它们是信息技术的重要组成部分[2,3]。为了扩大应用程序方案并提高光电设备的性能,许多学者已经在相关领域进行了研究。本期包括12篇论文,这些论文涉及光电设备算法,材料和结构中的各种挑战和机遇。例如,在光学显示的字段中,可以通过优化算法来改善电子纸的响应时间和亮度[4]。在太阳能电池和波导的场中,可以通过设计新的光电材料和设备结构来改善太阳能电池和波导传输距离的转换率[5,6]。本期特刊的最新研究进展如下。电子纸是通过反射显示图像显示的新设备,这是光电设备的重要分支[7]。最广泛使用的电子纸是电泳显示(EPD)。修饰的蓝色颗粒具有较高的Zeta电位和电泳迁移率。他等人。目前,将离子液体用作电泳颗粒修饰的电荷控制剂,并将高电离1-丁基1-丁基-1-甲基磷脂单离子液体液体移植到杯赛上。然后,成功制备了蓝色的电泳颗粒[8]。制备过程很简单,并且生产成本很低,这有助于实现丰富的EPD颜色显示。此外,算法的优化也可以用于提高EPDS的性能。根据直流电流(DC)平衡的原理设计了驱动波形[9]。研究了统一参考灰度相的亮度曲线,并获得了其驱动时间;同时,根据原始灰度对擦除阶段的持续时间进行了重新设计。结果表明响应时间可以有效缩短。此外,可以通过将红色颗粒添加到EPD [10]来制备三色EPD。为了解决红色幽灵图像的问题,Wang等人。分析了灰度转化中红色颗粒的空间位置分布[11]。研究了红色幽灵图像产生的关键因素,并根据擦除和激活阶段的优化提出了驱动波形。在微胶囊顶部的残留红色颗粒在红色擦除阶段消除,并使用高频电压激活颗粒。红色幽灵图像有效地被抑制了。同样,一些学者发现黑色和红色颗粒可以通过阻尼振荡电压序列分离。红色颗粒被纯化,像素的红色饱和度增加[12]。但是,EPD具有低刷新
在光电探测器技术中,瓶颈被确定为能够检测低强度电磁辐射的新型材料的挑战,并且与综合电路(IC)制造也兼容。在各种金属氧化物半导体中,基于过渡金属氧化物(TMOS)材料更适合于由于其宽带,热稳定性和化学稳定性而导致的紫外线(UV)光电探测器应用。尤其是,三氧化钨(WO 3)已被证明是光子应用中最合适的候选者,包括电动型,光色素和气体传感器设备。在此,以增强性能增强的基于WO 3的光电探测器测试设备的开发已集中。WO 3薄膜以不同的氧局压(P O 2)的形式沉积在SIO 2 /Si底物上,并使用射频(RF)Magnetron溅射技术沉积在溅射压力条件下。在论文的第一部分中,溅射技术(如P o 2)中最重要的生长参数和用于沉积WO 3薄膜的溅射压力是根据光电探测器测试设备的性能进行了优化的。使用各种表征技术(包括X射线衍射(XRD),田间发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线光电学光谱(XPS),Ra-Many和Atomic Force Microscopy(AFM),对结构,形态和化学状态进行了分析。Ti/Wo 3/Ti测试磁发炉在382 nm的紫外线照明下显示出0.166 a/w的较高响应性,在非常低的功率密度为0.66 mW/cm 2的情况下。生长的WO 3薄膜用于使用钛电极(TI)电极的Fabiale Metal-Metal-Senemenductor-Metal(MSM)平面结构化光电探测器测试设备,并测量了光电探测器参数,例如光电构成,响应率,响应性,检测性,检测率和外部量子效率(EQE)。为了实现从紫外线到可见区域的多光谱吸收,在论文的第二部分中介绍了新的基于WO 3的异质结构。最初,溅射基于石墨烯的溅射(GR/WO 3)异质结构被制造以研究紫外可见的光电探测器性能。GR/WO 3异质结构在512 nm的可见照明下达到了0.085 A/W的最大响应性。然而,由于石墨烯的某些局限性,WS 2 /WO 3异质结构是通过化学蒸气沉积(CVD)技术将WS 2纳米结构在WO 3层上种植到WO 3层的方法。在这里,使用互插的银(AG)电极制造Ag /WS 2 /WO 3 /Ag光电探测器测试设备。由于WS 2的纳米结构和外部电子迁移率的形成,在紫外线和可见的照明下分别实现了2.94 A/W和2.01 A/W的高响应性。获得的结果测试是WS 2 /WO 3异质结构是宽带紫外可见光电探测器的有前途的候选者,并且可以使用其他TMO和TMD进行相同的策略,以实现光电式Decessices的高性能光电探测器。
protoelectronics设备固体中的能带,E-K图元素和化合物半导体半导体光电材料载体载体有效质量温度和压力的影响,压力和压力对带携带者对携带者的影响protoelectronics设备固体中的能带,E-K图元素和化合物半导体半导体光电材料载体载体有效质量温度和压力的影响,压力和压力对带携带者对携带者的影响