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ACSL-6xx0：多通道双向、15 MBd 数字逻辑门光耦合器数据表
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离的、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术，以单片形式集成多个光耦合器。这些设备在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
如果没有芯片间通信，量子计算机能否扩展？
摘要 — 量子计算是一项非常有前景的技术，近年来取得了令人瞩目的进展，但目前尚不清楚如何扩展量子计算以满足其最强大应用的需求。尽管量子比特的制造和控制需要不断取得进展，但量子计算的可扩展性也将取决于全面的架构设计，该设计考虑采用分布式多核方法替代传统的单片版本，因此包括通信视角。然而，这不仅仅是引入单纯的互连。相反，它意味着在量子计算机结构中整合完整的通信堆栈。在本文中，我们提出了一种包含量子计算和量子通信的双全栈架构，我们使用这种架构通过结构化设计方法来解决单片与分布式问题。为此，我们重新审视不同的量子计算层，通过强调开放的设计变量和性能指标来捕捉和建模它们的本质。使用现有量子计算机的行为模型和实际测量，模拟结果表明多核架构可以有效释放量子计算机的全部潜力。
![arXiv:2301.12244v1 [physics.ins-det] 2023 年 1 月 28 日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\53cad4028c1e90ff996137e7966171a403a89757.webp)
arXiv:2301.12244v1 [physics.ins-det] 2023 年 1 月 28 日
单片有源像素传感器 (MAPS) [ 1 ] 将传感器包含在与电子元件相同的 CMOS 基板中，它具有工业标准 CMOS 处理的所有优点，避免了粒子物理实验中常用的凸块键合混合像素传感器的生产复杂性和高成本，因此特别具有吸引力。今天，MAPS 代表着一项成熟的技术，其性能可与混合硅像素传感器相媲美。事实上，MAPS 已经在大型 LHC 实验中使用[ 2 ]。CERN 高亮度 LHC 项目期间预计将出现大量事件堆积，这需要几十皮秒的计时能力[ 3 ]。这种计时水平将在 ATLAS [ 4 ] 和 CMS [ 5 ] 升级探测器中通过大约 1 毫米粗空间粒度的计时层实现。在开发这项成熟技术的同时，粒子物理学界正在尝试为未来项目开发具有高空间分辨率和同等计时能力的硅传感器。在 [6] 中可以找到对当前这方面努力的最新回顾。该研究小组正在尝试开发具有皮秒时间能力的 MAPS。利用商用 SG13G2 IHP 130 nm 工艺 [7]，我们制作了一系列单片原型，这些原型具有速度极快且噪声极低的 SiGe HBT 前端电子器件，使用没有内部增益层的标准 PN 结传感器可实现低至 36 ps 的时间分辨率 [8-12]。这条研究路线源于 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目 [13]，该项目利用新型多 PN 结 PicoAD 传感器 [14]，通过连续深增益层提供的信噪比增强实现皮秒级的时间分辨率。[15] 和 [16] 报告了使用 PicoAD 概念验证单片原型获得的结果。最近，MONOLITH 项目的第二个单片硅像素矩阵原型采用 SG13G2 IHP 工艺生产。ASIC 包含 [ 12 ] 前端电子器件的改进，旨在提高操作能力。在制造实现增益层的特殊 PicoAD 晶圆的同时，还使用厚度为 50 µm 的外延层晶圆（电阻率为 350 Ω cm）生产了带有标准 PN 结传感器的版本。在本文中，我们展示了使用不带内部增益层的第二个 MONOLITH 原型获得的测试光束结果。
适用于 X 波段 AESA 雷达应用的 10W GaN on SiC CPW MMIC 高功率放大器，PAE 为 44.53%
本文介绍了一种用于雷达应用的新型 X 波段碳化硅 (SiC) 共面波导 (CPW) 单片微波集成电路 (MMIC) 高功率放大器 (HPA) 设计。在设计中，采用了 0.25 μ m γ 形栅极和高电子迁移率晶体管 (HEMT)，它们采用了碳化硅基氮化镓技术，因为它们具有高热导率和高功率处理能力。此外，在 8.5 GHz 至 10.5 GHz 的频率范围内，反射系数低于 -10 dB，可产生 21.05% 的分数带宽。此外，MMIC HPA 在 2 GHz 带宽内实现了 44.53% 的功率附加效率 (PAE)，输出功率为 40.06 dBm。此外，由于 MMIC HPA 具有高输出功率、宽工作带宽、高 PAE 和紧凑尺寸，因此非常适合用于 X 波段有源电子扫描阵列雷达应用。索引术语 — 有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达、共面波导 (CPW)、碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN)、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、高功率放大器 (HPA)。
基于流程的光子制造成本建模
摘要 — 组件的单片集成有望提高网络功能并降低封装费用。由于制造复杂性和器件间故障的叠加，集成还会降低产量。对于经济上优选的集成程度，人们缺乏共识。以前关于集成成本可行性的研究使用了高级估算方法。本研究则侧重于行业细节，基于从光电子供应链中的 20 家公司收集的数据，建立了基于流程的设备制造成本模型。所提出的模型允许定义流程组织，包括测试，以及每个步骤的加工条件、操作特性和自动化水平。本研究重点研究了在 InP 平台上集成 1550 nm DFB 激光器和电吸收调制器的成本影响。结果表明，无论生产规模如何，单片集成设计都比分立元件选项更具成本竞争力。主要的成本驱动因素是封装、测试和组装。利用模型预测背后的技术细节，组件对准、键合和金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 被确定为技术改进对降低成本最为关键的工艺。这样的结果应该鼓励探索进一步集成的成本优势，并专注于成本驱动的技术开发。
最先进的 (SOTA) 异构集成封装 (SHIP) 程序
SIP 正在成为新的 SOC • 模块化方法与单片方法 • 并非每个逻辑功能 (IP) 都需要在相同的工艺节点 (HI) 中进行设计 • 利用小芯片形式的 IP • 目前小芯片集成在硅中介层上；薄膜层压板正在兴起 • 包括最新的 IC 封装 2.5D、3D、FOWLP 技术 • 下一代所需的电路板设计专业知识
通过加强学习的偏好对齐...
学分：[1] Christiano等。，《神经》 17中的深入强化从人类的偏好中学习。[2] Ziegler等。，来自人类偏好的微调语言模型，在Arxiv'19中。[3] Ouyang等。，培训语言模型在Neurips'22中按照人为反馈的指示进行指示。[4] Rafailov等。，直接偏好优化：您的语言模型是秘密的奖励模型，在Neurips'23中。[5] Hong等。，ORPO：Arxiv'24中的无参考模型的单片偏好优化。
GSEF 项目类别 2025
研究各种材料在系统、设备和组件中的集成，这些集成依赖于它们独特和特定的属性。它涉及它们的合成和加工，包括纳米颗粒、纳米纤维和纳米层状结构、涂层和层压板、块状单片、单晶/多晶、玻璃、软/硬固体、复合材料和细胞结构。它还涉及各种属性的测量和长度尺度上结构的表征，以及工艺结构和结构属性相关性的多尺度建模和计算。
ECE/MSE/ME 6776：微电子系统封装...
• 设备和系统封装基础：技术和应用，第 2 版，Rao Tummala；（可通过 GT 图书馆 [AccessEngineering 数据库] 在线获取） • 将通过期刊和会议论文集补充课程 课程概述：课程概述：在过去 60 年里，单片硅集成电路 (IC) 通过摩尔定律以前所未有的创新速度发展。在这 60 年的大部分时间里，电子封装扮演着“次要角色”——封装是为了实现简单的空间转换和片外互连布线。然而，这种情况已经改变。今天，先进封装和异构集成已经发展成为摩尔定律下一阶段的关键推动因素。人们普遍认为，传统的单片集成已无法同时满足未来电子产品的性能、功率和成本需求，因此，催生了“先进封装”和“异构集成”这两个更为关键的领域。在本课程中，我们将探讨传统封装技术和基于 2.5D 和 3D 集成电路的新兴异构集成架构。本课程将探讨这些重要的新集成技术，并了解一些电气、热和热机械设计注意事项。鉴于当今 IC 设计和技术正在发生革命性的变化，课程材料非常及时且令人兴奋。评分：家庭作业：10%（根据努力程度评分）考试：两次课堂考试，每次 22.5%（总计 45%）项目：书面提案：30%