XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System外延
van der waals底物上3D半导体的催化介导的外观
在开发新的设备和功能时，在不同结构和键合的材料之间形成了良好的控制界面。特别重要的是二维材料和三维半导体或金属之间的外延或低缺陷密度接口，其中界面结构在场效果中影响电导率以及光电设备的电导率，纺丝和典型的超元诱导的纤维传递。外延，因此已经证明了范德华键入底物上的几种金属的界面结构。在这种底物上的半导体外延很难控制，例如在石墨烯上Si和GE的化学蒸气沉积过程中。在这里，我们展示了一种催化介导的het-伴随的方法，以实现三维半导体的外延生长，例如van der waals键入的材料，例如石墨烯和六边形硼硝基。外在通过固体金属纳米晶体从底物“转移”到半导体纳米晶体，很容易在底物上排列并催化半导体的对准核的形成。原位透射电子显微镜使我们能够阐明此过程的反应途径，并表明固体金属纳米晶体可以在温度明显低的温度下催化半导体的生长，而不是直接化学蒸气沉积或由液体催化剂液滴介导的沉积。我们将GE和SI增长作为模型系统讨论，以探讨这种异互隔开的细节及其对更广泛材料的适用性。
纳米Truc上的长叶刺激的有效的光生成
通过低温扫描隧道显微镜和光谱学的低温扫描隧道显微镜和光谱研究，已经研究了在RU（0001）上生长的纳米结构上的外延地石墨烯（纳米结构上的外延石墨烯）上的非成激素的表面光学。存在空间位于前体被吸附的区域中的空间位置，并在电磁频谱区域进行努力访问的区域，在那里进行N-π *跃迁，允许将前体转化为100％。在最新的理论计算的帮助下，我们表明，这种高收率是由于传入的光以及随之而来的电子转移到前体的无弹性散射机制的有效人数。我们的发现是实验证实，表面状态可以根据对小分子的早期理论预测在复杂分子系统的表面光化学中起重要作用。
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
BFG540/XR NPN 9 GHz 宽带晶体管
NPN 硅平面外延晶体管，适用于 GHz 范围内的宽带应用，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1、CT2、DECT 等）、雷达探测器、卫星电视调谐器 (SATV)、MATV/CATV 放大器和光纤系统中的中继放大器。
脑机接口赋能医疗大健康 - myqcloud.com
脑机接口（ brain-computer interface ， BCI ）是在大脑与外部设备之间建立直 接交互的通信和控制通道。行业起步最早可追溯至 1924 年，经历了前期 的理论探索期、科学论证期，目前已进入成果落地时期。脑机接口最早在 20 世纪未提出，目的是帮助残疾人重新行走或支配上肢，技术发展至今已 更能应用于正常人的生活和生产。随着脑机接口、人工智能、生物医学工 程、神经工程与康复工程、认知神经科学与心理科学等的发展， BCI 的内 涵和外延在不断丰富。近年来，脑机接口技术在医疗领域不断取得新成果， 尤其在临床康复领域，目前以脑功能评估为目的的脑机交互检测，以解码 交流与设备控制为目的的脑机接口应用，以功能重塑康复为目的的脑机训 练反馈等领域的探索及应用越来越深入。随着技术的应用领域不断拓宽， 未来将逐步应用于游戏娱乐、学习教育、智能家居和军事领域。
氢化物气相外延生长的 GaN 中铒的能级
掺铒GaN（Er：GaN）由于其优于合成石榴石（如Nd：YAG）的物理特性，是固态高能激光器（HEL）新型增益介质的有希望的候选材料。Er：GaN在1.5μm区域发射，该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延（HVPE）技术合成的Er：GaN外延层进行的光致发光（PL）研究。HVPE生长的Er：GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线，这对应于GaN中Er3+从第一（4I13/2）和第二（4I11/2）激发态到基态（4I15/2）的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。https://doi.org/10.1063/5.0028470
2021 再相聚
VCSELs and ToF Modules for 3D Sensing 用于三维传感的VCSEL和ToF模块 Xiaochi Chen 陈晓迟 General Manager, Vertilite Co., Ltd 总经理，常州纵慧芯光半导体科技有限公司 Application of Compound Semiconduc- tor in Millimeter Wave Communication 化合物半导体的毫米波通信应用 Chunjiang Li 李春江 Vice General Manager, Chengdu HiWafer Semiconductor Co., Ltd. 副总经理，成都海威华芯科技有限公司 NAURA Solutions for Si Epitaxy and SiC Growth Applied for Power Devices NAURA 的Si外延和SiC材料在功率器件领域的 解决方案 Boyu Dong 董博宇 Vice president&CVD Business Unit General Manager, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd 副总裁兼 CVD 事业部总经理，北京北方华创微 电子装备有限公司 Advanced Plasma Processing Solutions for High Performance VCSELs and EELs: Feature Etching and Thin Film Deposi- tion. Enabling Cost Down Per Wafer and Critical Device Performance 先进等离子加工技术于高性能VCSEL和EEL的 解决方案：特征蚀刻和薄膜沉积。降低晶圆成 本及关键设备性能
用于集成硅基应用的外延 GeSn 合金的热电效率：通过拉曼测温法评估晶格热导率
重复使用 存放在 White Rose Research Online 中的项目受版权保护，保留所有权利，除非另有说明。您可以下载和/或打印这些项目用于个人学习，或国家版权法允许的其他行为。出版商或其他权利持有人可能允许进一步复制和重复使用全文版本。这由 White Rose Research Online 记录中该项目的许可信息指示。