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高通量线性分子束外延系统可降低 GaAs 光伏电池的制造成本：GaAs 是否足够便宜
完整作者列表：Lee, Byungjun；密歇根大学，EECS Fan, Dejiu；密歇根大学，EECS Forrest, Stephen；密歇根大学，EECS
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
用于量子计量的外延石墨烯器件的低接触电阻
我们研究了 SiC (0001) 上 Ti / Au 与单层外延石墨烯的接触，以用于量子电阻计量。使用量子霍尔范围内的三端测量，我们观察到接触电阻的变化范围从最小值 0.6 Ω 到 11 k Ω 。我们发现高电阻接触的主要原因是双层石墨烯对量子霍尔电流的干扰，同时忽略了界面清洁度和接触几何形状对我们制造的设备的影响。此外，我们通过实验展示了提高低电阻接触（< 10 Ω）可重复性的方法，适用于高精度量子电阻计量。C 2015 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 3.0 未移植许可证获得许可。[http：//dx.doi.org / 10.1063 / 1.4928653]
SiC 上的外延石墨烯：结构修改... - arXiv
这是作者创作的、未经复制编辑的一篇文章的版本，该文章已被《J. Phys.: Condensed Matter》接受发表。 IOP Publishing Ltd 对此版本手稿或由此衍生的任何版本中的任何错误或遗漏不承担任何责任。记录版本可在线获取：http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/27/18/185303。 SiC 上的外延石墨烯：通过基板预处理改变结构和电子传输性能
低载波SiC 上的高密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
SiC 上的低载流子密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化