在PT-对称周期性堆栈中电磁波的传播由介电介质分离,这些叠层由具有平衡损耗和增益的介电培养基分隔。确定了pt-对称半导体 - 电介电量堆栈的特征性分散性能的特征频率。考虑了层的损耗/增益水平和层厚度对带谱的演变的影响。在这里我们表明,有效的培养基方法无法充分描述PT-对称超晶体中的传播波。证明了PT-对称双曲系统中各向异性传递共振的存在和高度反射。检查了结构参数和入射角对散射基质的PT-对称性跃迁的影响。
先进的光纤解决方案一种直接且不显眼地编织到织物中的基于光纤的条形码可以通过自动分拣设备中的传统光谱仪快速读取,从而完成从初始制造到重复使用的整个循环。为了实现这种光纤条形码,林肯实验室国防织物发现中心和密歇根大学的研究人员设计了一种光子光纤,其可调整的周期性可以提供织物组成材料的光学特征。开发过程使用由交替层市售聚合物(即聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯)薄膜组成的预制件,将这些层热拉伸成层厚度小于 5 微米的微纤维。可以通过拉伸过程控制光纤的光子反射和吸收特性,以创建不同织物特有的聚合物组合。
将开发露天采石场,并逐步每年对旧采石场进行复垦。采石场的平均面积约为 5 公顷 (ha),采石场内的覆盖层厚度从 2.2 米到 9 米不等(平均 7.3 米),LBI 砂厚度从 9.1 米到 12.4 米不等(APEX 2021),根据钻孔日志数据,平均厚度为 10.5 米。每个采石场单元的采矿完成后,将每年进行复垦。该项目的使用寿命为 35 年,预计在前五 (5) 年内,每年将剥离平均 350,000 吨 (t) 的覆盖层,每年将开采超过 550,000 吨的沙子,预计年产量为 300,000 吨纯硅砂。覆盖层将堆放在采石场附近或用于填海。
摘要。Cleansky2项目Solifly正在为航空应用开发更多的结构电池。本文提出了结构整合的概念以及评估结构电池整合对CFRP固体层压板机械性能的影响的方法,考虑到结构电池插入的尺寸和形状以及通过层压层厚度的位置考虑到其位置。已经实施了有限元仿真的完全参数,计算有效的数值策略来评估机械性能,并且首次随着细胞几何形状和集成位置的变化,矩阵损伤的首次开始。使用数字图像相关性和声学发射,获得了SB细胞成分和细胞原型的第一个机械表征数据。讨论了对功能分离组件的SB集成概念的优势和权衡的初步评估。
摘要:电铸层厚度不均匀性是制约电铸微金属器件发展的瓶颈问题。微齿轮是各类微器件的关键元件,本文提出了一种提高其厚度均匀性的新制备方法。通过仿真分析研究了光刻胶厚度对均匀性的影响,结果表明随着光刻胶厚度的增加,电流密度的边缘效应减小,电铸齿轮的厚度不均匀性会减小。与传统的一步正面光刻和电铸方法不同,该方法采用多步自对准光刻和电铸工艺制备微齿轮结构,在交替光刻和电铸过程中间歇地保持光刻胶厚度的降低。实验结果表明,该方法制备的微齿轮厚度均匀性比传统方法提高了45.7%。同时,齿轮结构中部区域的粗糙度降低了17.4%。
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果,以确定INGAAS量子点(QDS)的振荡器强度和内部量子效率(IQE)。使用减少应变层,这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下,在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率,以评估振荡器的强度和IQE。为此,我们对QD样品进行测量,以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度,我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2,高IQE(85 6 10)的高IQE(85 6 10)。
硅通孔技术是一种有前途的、可优先实现三维集成电路(3-D IC)可靠互连的方法,可将多个芯片的热量沿垂直方向传递到热沉。本文提出了一种新的硅通孔(TSV)通用模型来研究3-D IC的热性能。首次研究了锥环TSV的传热特性。详细比较和分析了不同侧壁倾角和TSV绝缘层厚度对3-D IC散热的影响。正如预期的那样,我们提出的模型与现有模型的结果一致性很好,这表明考虑横向传热和TSV结构的模型可以更有效、更准确地预测温度分布。此外,研究发现锥环TSV具有更优异的散热性能。关键词 : 3-D集成电路,解析热模型,
摘要:本文利用有限元法(FEM)将PoP(Package on Package)用PCB分成单元和基板进行翘曲分析,分析层厚度对翘曲的影响,并利用田口法计算SN(信噪比)。分析结果显示,在单元PCB中,电路层对翘曲的贡献很大,其中外层的贡献尤其大。另一方面,基板PCB虽然电路层对翘曲的影响较大,但相对于单元PCB来说相对较低,阻焊剂的影响反而较大。因此,同时考虑单元PCB和基板PCB,PoP用PCB的逐层结构设计时,宜使外层和内层电路层较厚,顶层阻焊剂较薄,底层阻焊剂厚度在5μm~25μm之间。
对具有滑移效应的不规则尺寸薄片上的 3D MHD 非线性辐射混合纳米流体流动进行了数值研究。混合纳米流体由嵌入甲醇或甲醇 (MA) 中的氧化铜 (CuO) 和氧化镁 (MgO) 纳米颗粒组成。使用相似性将控制 PDE 改为 ODE,并使用射击方案获得数值解。通过图表和数值解释分析和反映了物质因素对传输现象的作用。同时给出了 CuO-MA 纳米流体和 CuO-MgO/MA 混合纳米流体的解。结果确定混合纳米流体和纳米流体的温度和流动边界层厚度并不是唯一的。与 CuO-MgO/MA 混合纳米流体相比,CuO-MA 纳米流体的传热作用较高。这得出结论,CuO-MgO 组合是一种良好的绝缘体。
摘要 磁性随机存取存储器 (MRAM) 现在可作为嵌入式存储器从主要的 CMOS 代工厂获得。在这项研究中,我们证明了与传统 STT-MRAM 中使用的磁性隧道结相比,略微改进的磁性隧道结可用于多种用途,即磁场传感和射频振荡器。为此,垂直各向异性磁性堆栈中的 FeCoB 存储层厚度调整为 1.3-1.4 纳米,更接近从垂直到平面内各向异性的过渡区域。可以使用两种使用相同堆栈的磁场传感配置,在小场范围内实现高灵敏度或在大场范围内实现较低的灵敏度。此外,还展示了射频振荡器 GHz 检测和生成。可以设想这种多功能堆栈的进一步应用,包括非易失性和可重新编程逻辑、特殊功能(如随机数生成器和忆阻器)。