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简化大型藻类生物聚合物加工技术在绿色材料应用方面前景光明
报告显示，截至 2019 年，马来西亚每年平均产生约 100 万吨塑料垃圾。全球研究人员广泛研究了各种来自天然和合成来源的可生物降解材料。在这些天然生物基生物聚合物中，大型藻类（例如海藻）近年来引起了广泛关注，因为与其他陆生植物相比，它具有多种优势。海藻的生长速度比陆生植物快 30 倍。海藻含有独特的藻胶，可以形成凝胶，但不幸的是，海藻的亲水性阻碍了其在应用上的进步。海藻生物聚合物的亲水性可以通过物理、机械和化学方法显著增强。使用伽马射线的物理技术证实了基质和填料之间的分子间键合增强，这有助于改善表面疏水性。通过添加有机生物填料，还可以利用机械技术来增强海藻生物聚合物的性能。同时，使用偶联剂处理（例如硅烷）的化学处理有助于修改羟基官能团以降低海藻生物聚合物的亲水性。一般来说，所有这些技术都增强了薄膜的拉伸、热和防水性能。这反过来又扩展了海藻在特殊应用中的可行性，例如农业覆盖、干粮和非食品包装。更多的研究包括海藻在生物医学应用中的应用，已经进行了广泛的研究。之所以选择海藻，是因为其可用性和可生物降解性。本次讲座首先批判性地强调了传统塑料、生物基塑料的最新问题以及大型藻类材料相关的挑战。之后，本次演讲重点介绍了我们为解决这一问题而进行的研究工作，这些研究工作采用了不同的修改和工艺技术。充分展示了加工材料及其潜在应用的确凿证据。关键词：大型藻类；绿色材料；生物聚合物；可持续包装；纤维素纤维。
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d v a n c e d p a c k a g i n g i s experiencing rapid growth due to the demand for high- performance computing in artificial intelligence (AI) applications and the automotive industry.鉴于对AI系统的需求很高，Foundry Leader TSMC报告说，它的目标是在2025年至2026年之前平衡供求，并希望2025年2025年能够为其在雪花上覆盖的芯片（cowos®®）技术的芯片上每月启动60,000个晶圆剂[1]。近年来，3D技术的进步包括死对，薄薄的晶圆，晶圆片和靠近垫层的架构。这些进步需要新的工艺技术和过程设备才能生产出高收率的3D功能。这些后端设备是在300mm晶片上制造的，所需的低缺陷水平以前仅限于前端过程。因此，新工具集需要具有低赤字才能获得高收益率，同时提供低廉的所有权。对3D的强烈需求已推动了超过2024年耗资50亿美元的高级包装的资本支出，并且随着对AI的需求驱动Advance Advance Advancing Forward的需求，该数字应在2025年继续增长。将芯片堆叠在2.5/3D包装中时，如图1所示，可以采用几种技术来连接设备，包括颠簸，微型颠簸，支柱，通过硅VIA（TSVS）和混合键合。这些可以直接连接到基板（3D）上的模具，或使用插入器（2.5D），例如玻璃，硅，印刷电路板（PCB）或有机。支持过程包括光刻和沉积（等离子体，溅射，电化学）。为创建设备而实施的湿过程，然后将它们连接到3D体系结构中，包括旋转涂料，开发，蚀刻，光线器，临时粘结材料去除和清洁。
超高密度 3D 集成电路的热支架
与传统的 2D 计算系统相比，超密集 3D 集成电路（3D IC），例如单片 3D IC（图 1），可以为数据密集型应用带来巨大的能量延迟积（EDP）优势 [1,2]。为了实现这些优势，需要将多层逻辑和存储器（例如，逻辑和/或存储器设备的薄层，以及相关的信号/全局金属布线）以 3D 形式集成，并使用有限长宽比的后端制程（BEOL）层间过孔（ILV）建立超密集（例如，间距 ≤ 100 纳米）垂直连接 [3]。现有的 BEOL 布线结构已经在使用这种纳米级 ILV。3D IC 变得至关重要，因为工艺技术小型化的根本限制使得传统的缩放路径更加困难。但是，必须克服重大的热挑战才能在多个 3D 层上实现高速和高功率计算引擎 [4-5]。如果没有新技术，未来 3D IC 的上层最高温度将大大超过可靠运行所需的上限（例如 [6] 中的 125°C）。我们使用图 1 中的单片 3D IC 来了解 3D 层中的温升和热耗散（详细分析见第 III 部分）。图 1 中的 N 层中的每一层都包含一层高速、高功率硅逻辑器件（例如，计算引擎）和由铜布线和超低κ 层间电介质 (ILD) 组成的 BEOL 层（例如，用于信号布线）。各层通过超密集 ILV 电连接。在某些设计中，每层还存在硅存储器、存储器访问设备和额外的 BEOL。3D IC 由附加的散热器进行外部冷却，散热器将产生的所有热量以散热器比传热系数 h（W/m 2 /K）散发到环境中。最高温度 T j 取决于散热器、环境温度和 N 层的热特性。散热器创新（如 [7]）只需散热器上 10°C 的温升（即 h= 10 6 W/m 2 /K）即可消除 1000 W/cm 2 的热量，尽管
英特尔创新 2023 主题演讲幻灯片
本演示文稿包含前瞻性陈述，包括有关英特尔的业务计划和战略、流程和产品路线图、当前和未来的技术以及预期由此带来的收益。此类陈述涉及许多风险和不确定因素，可能导致我们的实际结果与明示或暗示的结果大不相同，包括：对我们产品的需求的变化；产品组合的变化；我们制造业务的复杂性和固定成本性质；我们行业的激烈竞争和快速的技术变化；在研发和我们的业务、产品、技术和制造能力方面的大量前期投资；新产品开发和制造相关风险的脆弱性，包括产品缺陷或勘误表，特别是在我们开发下一代产品和实施下一代工艺技术时；与高度复杂的全球供应链相关的风险，包括中断、延迟、贸易紧张或短缺；销售相关风险，包括客户集中度和使用分销商和其他第三方；我们产品中的潜在安全漏洞；网络安全和隐私风险；投资和交易风险；知识产权风险以及与诉讼和监管程序相关的风险；许多司法管辖区不断变化的监管和法律要求；地缘政治和国际贸易条件；我们的债务义务；大规模全球运营的风险；宏观经济条件；COVID 19 或类似疫情的影响；以及我们 2023 年 7 月 27 日发布的收益报告、我们最近的 10-K 表年度报告和我们向美国证券交易委员会提交的其他文件中所述的其他风险和不确定性。本演示文稿中的所有信息均反映了截至本新闻稿发布之日的英特尔管理层观点，除非另有说明。英特尔不承担更新此类声明的责任，并明确表示不承担任何更新此类声明的责任，无论是由于新信息、新发展还是其他原因，除非法律可能要求披露。产品、服务和技术性能因使用、配置和其他因素而异。对研究结果的引用，包括与产品、服务或技术性能的比较，都是估计值，并不意味着可用性。所描述的产品和服务可能包含缺陷或错误，这可能会导致与已发布的规格有偏差。
异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。
MEMS（微机电系统）简介
1.简介 本报告涉及微机电系统（MEMS）这一新兴领域。MEMS 是一种工艺技术，用于创建结合了机械和电气元件的微型集成设备或系统。它们采用集成电路 (IC) 批处理技术制造，尺寸范围从几微米到几毫米。这些设备（或系统）能够在微观尺度上进行感应、控制和驱动，并在宏观尺度上产生影响。MEMS 的跨学科性质利用了来自广泛而多样的技术领域的设计、工程和制造专业知识，包括集成电路制造技术、机械工程、材料科学、电气工程、化学和化学工程，以及流体工程、光学、仪器仪表和封装。MEMS 的复杂性还体现在包含 MEMS 设备的广泛市场和应用范围内。MEMS 可应用于汽车、医疗、电子、通信和国防等各个领域。当前的 MEMS 设备包括安全气囊传感器的加速度计、喷墨打印机头、计算机磁盘驱动器读/写头、投影显示芯片、血压传感器、光开关、微型阀、生物传感器以及许多其他以高商业量生产和出货的产品。MEMS 被认为是 21 世纪最有前途的技术之一，它有可能通过将硅基微电子技术与微加工技术相结合，彻底改变工业和消费产品。它的技术和基于微系统的设备有可能极大地影响我们所有人的生活和生活方式。如果说半导体微加工是第一次微制造革命，那么 MEMS 就是第二次革命。本报告介绍了 MEMS 领域，分为四个主要部分。第一部分向读者介绍了 MEMS、其定义、历史、当前和潜在应用，以及 MEMS 市场现状和小型化问题。第二部分介绍了 MEMS 的基本制造方法，包括光刻、体微加工、表面微加工和高纵横比微加工；还介绍了 MEMS 设备的组装、系统集成和封装。最后一部分阐述了 MEMS 行业在实现 MEMS 商业化和成功方面面临的挑战。2.第三部分回顾了 MEMS 传感器和执行器的范围、可以用 MEMS 设备感知或作用的现象，以及基本感知和执行机制的简要说明。微机电系统 (MEMS)
stmicroelectronics建立了世界上第一个“实验室fab” ...
production, and advance the adoption of piezoelectric (Piezo) MEMS in new applications like AR/VR, medical, and 3D printing First wafers expected in Q2 2021, with volume production forecast at the end of 2022 Singapore, October 28, 2020 – STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications and一位是微电机电系统（MEMS）技术的世界领导者，宣布与新加坡研究所的A*Star的IME合作，以及日本领先的日本制造工具供应商Ulvac共同设置并运营8英寸（200mm）R＆D R＆D系列R＆D系列R＆D Line以ST ST中的Piezo Mems技术专注于ST中现有的Singapore in Singapore的Piezo Mems技术。这款“实验室中的R＆D R＆D系列”是世界上第一个此类R＆D系列，将三个合作伙伴与压电材料，Piezo Mems Technologies和Wefer-Fab工具的领先和互补能力汇集在一起，以增强创新并加速新材料，工艺技术，最终产品，以及最终的行业客户的开发。实验室中的实验室由St Ang Mo Kio校园内的一个新的洁净室区域组成，并将托管来自三方的工具和专用资源，其中包括MEMS研发以及过程科学家和工程师。IME在压电设备设计，过程集成和系统集成中的知识库和工业驱动器将为线路的开发增加价值。ime还将贡献最先进的工具，以帮助确保在同一位置的平稳产品流入生产。新的R＆D系列还将利用现有的ST资源，从同一校园的St Wefer Fabs的规模经济中受益。”预计“实验室中的实验室”设施已准备就绪，并在第二季度2021年使用第一晶片和2022年底的数量生产。“我们希望与IME和ULVAC建立世界领先的压电MEMS材料，技术和产品的研发中心，我们已经与之合作了很长时间。这个世界首先将在我们的新加坡网站上托管，这是ST的战略地点。“实验室中的实验室将为我们的客户提供更容易从可行性研究到产品开发和大容量制造的能力。
结合金属沉积的分析成本模型
1. 简介和文献综述 金属增材制造 (MAM) 是一种 3D 打印技术，对各个行业（例如航空航天、生物医学、能源）影响最为显著 (Armstrong 等人，2022 年)。根据 ASTM/ISO 52900:2021（ISO ASTM 标准 2021），MAM 分为以下类别：材料挤出 (MEX)、材料喷射 (MJ)、粘合剂喷射 (BJ)、粉末床熔合 (PBF)、定向能量沉积 (DED)、板材层压 (SL) 和瓮聚合 (VPP)。PBF 是最广泛的工艺技术，因为它成熟且精度高 (Mandolini 等人，2022 年)，覆盖了 85% 的 MAM 市场 (AMPOWER GmbH & Co 2020 年)。另一方面，PBF 机器复杂且价格昂贵。最近，金属 MEX（M-MEX）因其以下优点而备受关注：成本低（例如台式系统）、设备简单（用户友好性）、潜在危害少（例如没有金属粉末损失）、电源有限（与 PBF 或 DED 相比）和环境可持续性增强（Suwanpreecha 和 Manonukul 2022；Bianchi 等人 2022）。另一方面，M-MEX 的主要缺点涉及线材（例如粘合剂类型的选择）及其生产工艺（例如合适的混合程序）。要求保证线材的高质量，以保证 3D 打印部件的最终形状、尺寸、尺寸和属性（Suwanpreecha 和 Manonukul 2022）。 M-MEX 也称为 mFFF（金属熔丝制造，（Bankapalli 等人，2023 年））、FDMet（金属熔融沉积，（Bankapalli 等人，2023 年））、金属 FDM（Ramazani 和 Kami，2022 年）、MF3（金属熔丝制造，（Singh 等人，2020 年）），其灵感来自 MIM（金属注射成型）和 FFF（熔丝制造）（Bankapalli 等人，2023 年）。这项技术的快速增长得益于 FFF 和 MIM 的大量投资。事实上，除了绿色部件的制造方法外，材料 MEX 与 MIM 相似（就整个过程而言）。M-MEX 可以制造出性能接近（或相同）于 MIM 的零件。就设计自由度而言，金属 MEX 更具吸引力，因为它不需要模具。 M-MEX 原料由金属粉末和聚合物粘合剂组成（图 1）。通过将原料挤压到构建平台上来创建 3D 对象（绿色部分）。需要脱脂以去除部分聚合物材料。烧结是最后一个过程，通过以下方式完全致密化部件
数字时代中小企业的竞争策略
1 印度尼西亚东爪哇省泗水艾尔朗加大学经济与商业学院。 * 通讯作者。电子邮件：nistifadah@yahoo.com.au 摘要 信息和通信技术 (ICT) 为数字时代的经济交易发展提供了新的视角。经济交易变得更高效、更快捷、更便宜 [1]。ICT 和互联网的使用鼓励在线交易比传统交易更负责任。在数字时代，企业家必须能够发展他们的能力，掌握知识、ICT 和互联网技能 [2]。与此同时，印度尼西亚的企业家大多是中小企业，他们存在弱点，其中之一就是缺乏技术能力。因此，问题表述如下：(a) 这些中小企业如何利用这个数字时代的机遇和挑战；(b) 在 ICT 使用量巨大的情况下，中小企业应该实施什么策略来在数字时代竞争。分析结果表明，在数字时代，ICT 和 IoT 可以加速业务发展。因此，不实施它的中小企业将会受到干扰。 关键词：中小企业，竞争战略，ICT，数字时代 1.引言 信息和通信技术 (ICT) 的存在为数字时代的经济交易发展提供了新的视角或范式 [1]。除了使用传统方法外，经济交易也越来越多地使用 ICT 和互联网。因此，企业家必须具备知识，并能够在这个数字时代使用 ICT 来经营他们的业务 [2]。利用互联网网络可以获得许多商业机会和好处 [3]，例如，由于更容易获得原材料而降低生产成本，缩短营销渠道或通过使用互联网网络扩大市场。在这个时代，生产效率和效益可以提高。因此，如果企业家能够利用 ICT，他们就可以提高竞争力。企业家使用 ICT 的能力在这个数字时代是必需的，而竞争越来越激烈。无法利用 ICT 的公司将面临干扰 [4]。因为此时，企业必须通过工作模式和供应链的变化来提高运营效率。企业需要能够更快、更便宜地提供服务。目前，大多数企业还没有准备好面对这些变化，尤其是中小企业（SME）。因此，传统企业将很难与那些已经数字化的企业竞争[5]。在印度尼西亚，大多数企业家被归类为微型、小型和中型企业家（MSME）。印度尼西亚多达99%的企业家都是微型、小型和中型企业家[6]。这类企业家的特点是资金有限、管理、和生产工艺技术。营销方法是