XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System工艺流程
网站特征 - Tailsafe.com
进一步、更详细和更有针对性的调查必须考虑调查的总体目标，例如风险评估、行动计划、改进的监测、补救问题、工艺流程的必要变化、可持续关闭等，以及工厂的当前运行状态，即它是活跃的设施还是关闭或废弃的工厂。考虑到场地状况和整体调查任务方面，对尾矿设施进行分类或归类是进一步调查的第一步（第 2a 阶段）。另一方面，采样策略和分析方法的选择取决于调查区域的扩展、尾矿的类型和成分以及预期的污染物（第 2b 阶段）。因此，必须选择针对运行状态、总体任务和尾矿材料的方法，换句话说，针对场地的方法。
用于量子信息应用的全耗尽绝缘体上硅器件中量子点的工业方法
使用在低温下运行的先进互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术实现基于量子点的电子自旋量子比特，可以实现大规模自旋量子比特系统的可重复和高通量工业制造。采用纯工业 CMOS 制造技术制造的硅基量子点架构的开发是朝着这个方向迈出的重要一步。本论文研究了意法半导体公司（法国克罗尔）的 28 nm UTBB（超薄体和埋氧化物）全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术的潜力，以实现明确定义的量子点，能够实现自旋量子比特系统。在此背景下，在 4.2 K 下对 FD-SOI 微结构进行了霍尔效应测量，以确定量子点应用的技术节点的质量。此外，还介绍了一种针对量子设备实施而优化的集成工艺流程，该工艺流程仅使用硅铸造方法进行大规模生产，重点是降低制造风险和总体交货时间。最后，设计了两种不同几何形状的 28 nm FD-SOI 量子点器件，并研究了它们在 1.4 K 下的性能。作为 Nanoacademic Technologies、Institut quantique 和 STMicroelectronics 合作的一部分，开发了 3D QT-CAD（量子技术计算机辅助设计）模型，用于建模 FD-SOI 量子点器件。因此，除了通过传输测量和库仑阻塞光谱对测试结构进行实验表征之外，还使用 QTCAD 软件对其性能进行建模和分析。这里介绍的结果证明了 FD-SOI 技术相对于其他量子计算应用方法的优势，以及在此背景下 28 nm 节点的已知局限性。该工作为基于较低技术节点的新一代FD-SOI量子点器件的实现铺平了道路。
硅光子学中的异质集成
摘要：硅光子学的应用范围正在从用于数据和电信的高速收发器迅速发展到适用于许多不同市场的广泛功能，尤其是在传感和计算领域。因此，对新构建模块和增强性能的需求正在加速和多样化。在这种背景下，新材料、芯片和薄膜芯片的异构集成正变得至关重要。但要实现满足这种多样化需求的工业供应链将具有挑战性，可能需要一种新的供应链模型，在参与各方之间建立专门的标准化和测试方法。这篇评论文章讨论了硅光子学中异构集成带来的机遇和挑战，特别是未来市场增长和异构集成工艺流程的设计。
微观领域的研究助理教授职位...
- 压电能量收集器的数值和分析能量性能建模； - 基于压电的 μEnergy 收集器布局设计； - 准备技术文件（带有制造配方的工艺流程）； - 在高洁净度实验室中制造 μ-电子设备（在洁净室工作，处理专门的和先进的制造基础设施/机器）； - 对制造的设备进行电气（交流和直流下的 IV、CV 和 4 线电阻测量）和分析（扫描电子和光学显微镜、轮廓仪、椭圆偏振仪、AFM）特性描述； - 分析和数据处理； - 编写技术和实验报告； - 在公认的科学期刊上准备自己的和为共同的科学出版物做出贡献； - 在国内和国际科学会议框架内准备自己的和为共同的科学传播做出贡献； - 主管分配的职责范围内的其他任务。
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
评估和预测火电厂设备可靠性的蒙特卡罗方法
摘要 本文介绍了开发一种评估和预测锅炉厂和蒸汽轮机技术状况的方法的结果。所提出的方法基于故障的广义实验数据，通过蒙特卡罗模拟预测火电厂主要元件和部件的损坏。所提出的方法考虑了工艺流程的复杂性、周转时间、故障率和剩余金属寿命状况。它允许开发评估每个元素安全性的方法，以获得可靠且具有代表性的故障统计样本，以评估火电厂锅炉和蒸汽轮机的可靠性。根据结果，在100 MW条件下，蒸汽锅炉和涡轮机的故障运行概率为0.037。所得结果可用于建立预测模型，为延长火电厂锅炉房和蒸汽轮机元件的运行状态提供方法。可用于实施数字能源系统项目，用于监测和诊断火电厂的主要电力设备。
物联网
总体来说，“工业4.0”概念为打造“精益生产”提供了机遇；该概念设定的任务是优化工艺流程的管理，以减少事故发生，延长运行设备的使用寿命，有时也被表述为“从定期预防性维护到基于条件的维护的过渡”。因此，优化（改进）控制的任务被添加到第四代自动化过程控制系统的任务中。这种自动化过程控制系统被称为先进过程控制系统（APC）。 TP控制系统必须包含足够强大的长期预测分析手段。在工业生产中，要分析缺陷的出现、脆化、结构件中钢化学成分的变化（可能导致其破坏）、沉积、颗粒狭窄、由于磨料抛光导致的管道壁厚减小（可能导致破裂）等参数，评估振动及其对结构性能、连接等的影响。如果整个生产都由过程控制系统控制，这样的解决方案就称为4+代过程控制系统。
未来一线人才计划
数字控制室从根本上将操作员的工作从重复的手动工作中转移出来。新方法集成了自动化，重新设计了车间工艺流程，采用了无接触式 WIP 控制，并将 IIoT 信号和警报整合到指挥中心。该计划提高了 OEE 并减少了流程中断，将劳动生产率提高了 21%；同样，它将设备故障诊断时间从 2 小时缩短到 10 秒，准确率超过 90%。支持 ML/AI 的预测性维护为操作员和技术人员提供了规范解决方案，从而缩短了响应时间。指挥中心为实现 91% 的参与度得分做出了贡献。该系统为操作员和技术人员提供了一条向上的职业道路——46% 的工作角色已被重新定义，37% 的工作角色向上移动以涉及更高的技能水平。
结合热扫描探针光刻和干法...
图 1：灰度 t-SPL 与干法蚀刻的组合。电介质中灰度纳米图案放大工艺流程的横截面说明。（a）在薄电介质膜（在我们的例子中为 SiO 2 或 Si 3 N 4 ）上旋涂热敏抗蚀剂 PPA。（b）使用加热的纳米尖端在薄 PPA 层上制造二元和灰度纳米结构（有关纳米尖端的详细信息，请参阅补充图 S2）。（c）将纳米结构从 PPA 转移到 SiO 2 或 Si 3 N 4 。（d）通过深度放大将写入 PPA 中的纳米结构完全转移到电介质膜中。垂直峰峰深度放大（∆ z 电介质/∆ z 抗蚀剂）是由 CHF 3 /SF 6 等离子体中抗蚀剂和基板之间的蚀刻速率差异造成的。图像未按比例绘制。
布拉索夫特兰西瓦尼亚大学公报 II 系列：林业 • 木材工业 • 农业食品工程 • 第 17(66) 卷第 2 期 – 2024 ht
摘要：本项科学研究旨在研究商用发酵剂对罗马尼亚传统半硬质奶酪 Telemea 品质的影响。在将发酵剂应用于加工之前，我们对发酵剂进行了彻底的表征，特别关注了它们在加工过程中和加工后对食品的影响。使用两种商用发酵剂（MA11 和 WHITE FLORA 1）与第三种商用发酵剂（MO536CRYO）相结合，获得了不同类型的实验奶酪：MO536CRYO+MA11 和 MO536CRYO+WHITE FLORA 1。分析重点关注可能影响奶酪品质的两个因素：发酵剂的类型（中温和嗜热乳酸菌）和添加到牛奶中的发酵剂数量。从相同的原料牛奶开始，应用类似的工艺流程，接种 MO536CRYO+WHITE FLORA 1 的奶酪与其他生产的奶酪相比，表现出更优异的物理化学、微生物学和感官特性。关键词：发酵剂、乳制品品质、Telemea 奶酪、物理化学参数、微生物参数。