XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System悬空
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
渡渡鸟之歌 - WordPress.com
我们只是丛林中天空中的一粒小点。下面，但不远的地方，是一片连绵不断的树冠，向四面八方延伸，消失不见：亚马逊森林。今天的云层低矮而灰暗，我们脚下的地形看起来极其荒凉，我们那架吵闹的小型双引擎飞机在五百英尺左右的空中顽强地飞行，这是一个危险的高度，空气像变酸的牛奶一样凝固。我们从马瑙斯市向北飞行。偶尔，飞机会向上倾斜二十或三十英尺。或者它会下沉。当我们试图将注意力集中在地面上时，它像风筝一样颠簸。根据我的经验，在这种情况下飞行大约一个小时，我的胃可以忍受。“如果飞行员迷路了，”汤姆·洛夫乔伊在引擎的男中音呜呜声中喊道，“我们可能会到达委内瑞拉。”然后他朝我露出了花栗鼠般的笑容。从我们悬空的位置看去，森林看起来只不过是平坦和叶绿素的宏伟抽象——神秘、单调、绿色。至少，这是第一眼看到的。但宏伟的抽象背后隐藏着丰富的细节，第二眼和第三眼我就能分辨出一些细节。绿色分解成数百种不同的色调，代表着数百种不同的树种。这里和那里，有一棵树的树冠点缀着它，树冠上盛开着鲜艳的黄色或洋红色。一些地方，蒸汽像棉花一样升起，那里是潮湿的气息。
基于二维材料的晶体管，用于未来集成电路
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点，但进一步缩放越来越具有挑战性，因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是，任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点，因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加，导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米，可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD)，其通式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属（例如，Mo 或 W），X 是硫属元素（例如，S、Se 或 Te）3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究，以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展，都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而，仍有许多挑战有待解决，这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中，我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长
NbP Weyl 半金属薄膜中费米能级的大偏移和简单表面态的抑制
利用其电子结构的特性来观察独特的物理现象，例如手性[15–17]和轴引力异常、[18]圆形光电效应、[19–20]手性声波、[21–22]表面态增强的埃德尔斯坦效应[23]或最近提出的手性霍尔效应。[24]大多数这些效应的观察取决于是否可以轻松访问WSM的拓扑电子态。在这方面，抑制非拓扑（平凡）表面态以及修改费米能级位置以获得所需费米面拓扑的能力将允许充分揭示拓扑表面态对物理可观测量的作用，此外，还可以按需构造费米面以利用电、声或光可测输出。到目前为止，电子结构的多样性是通过探索不同的 WSM 实现的，但对同一材料中拓扑能带形状和大小的真正控制仍然难以实现，主要是因为缺乏自下而上的超高真空合成方法，无法控制表面终止和费米能级位置，例如通过掺杂或应变。需要克服这一挑战才能实现费米能级设计的韦尔半金属异质结构，从而产生大量新平台来探索基于拓扑的基本现象和设备应用。在这项工作中，我们展示了 I 型韦尔半金属 NbP 电子结构的两种显著修改，这得益于成功的外延薄膜生长合成路线。 [25] 首先，由于表面悬空键被有序磷终端饱和，NbP 的蝴蝶结状（平凡）表面态被完全抑制，表现为（√2×√2）表面重构。其次，通过用 Se 原子化学掺杂表面，费米能级发生约 + 0.3 eV（电子掺杂）的大幅偏移，同时保留了原始的 NbP 能带结构特征，从而首次在实验中可视化了远高于 Weyl 点的拓扑能带色散，并强调了通过分子束外延过程中的表面化学掺杂可以实现的大费米能级可调性。我们的工作为实现最近的理论提议开辟了可能性，例如依赖于纯拓扑
EN25QX256A (2S)
写保护 (WP#) 写保护 (WP#) 引脚可用于防止写入状态寄存器。与状态寄存器的块保护 (CMP、TB、BP3、BP2、BP1 和 BP0) 位以及状态寄存器保护 (SRP) 位一起使用，可以对部分或整个内存阵列进行硬件保护。WP# 功能仅适用于标准 SPI 和双 SPI 操作，在四路 SPI 期间，此引脚为四路 I/O 操作的串行数据 IO (DQ 2)。保持 (HOLD#) HOLD# 引脚允许在设备被主动选择时暂停设备。当 QE=0（默认）和 HRSW=0（默认）时，HOLD# 引脚启用。当 HOLD# 被拉低时，CS# 为低，DO 引脚将处于高阻抗状态，DI 和 CLK 引脚上的信号将被忽略（无关）。当多个设备共享相同的 SPI 信号时，保持功能非常有用。 HOLD# 功能仅适用于标准 SPI 和 Dual SPI 操作，在 Quad SPI 期间，此引脚为 Quad I/O 操作的串行数据 IO（DQ 3）。 RESET（RESET#） RESET# 引脚允许在设备被主动选择时对其进行复位。当 QE=0（默认）和 HRSW=0（默认）时，RESET# 引脚被禁用。 硬件复位功能仅适用于标准 SPI 和 Dual SPI 操作，在 Quad SPI 期间，此引脚为 Quad I/O 操作或 Quad Output 操作的串行数据 IO（DQ3）。对于 SOP16 封装，RESET# 引脚是专用的硬件复位引脚，与设备设置或操作状态无关。如果不使用硬件复位功能，此引脚可以悬空或连接到系统中的 V CC 。将 RESET# 设置为低电平最短 1us（t HRST ）将中断任何正在进行的指令，使设备处于初始状态。 RESET# 恢复高电平后，设备可以在 28us（t HRSL ）内再次接受新指令。
硫退火对石墨烯对过渡金属生长的影响
Dichalcogenides (TMDCs) Ahmad Nizamuddin bin Muhammad Mustafa Sami Ramadan 1 , Peter K. Petrov 1 , Huanyu Zhou 1 , Giuseppe Mallia 1 , Nicholas Harrison 1 , Yasir Noori 2 , Shibin Thomas 2 , Victoria Greenacre 2 , Gill Reid 2 , Philip N Bartlett 2 , Kees de Groot 2 , Norbert Klein 1 1 Imperial College London, London, United Kingdom 2 University of Southampton, Southampton, United Kingdom a.bin-muhammad-mustafa21@imperial.ac.uk Two-dimensional (2D) heterostructures composed of graphene and Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs) have garnered significant attention owing to their unique physics and potential applications in diverse设备。TMDC，包括MOS 2，WS 2，Mose 2和WSE 2，由于其带隙范围和强烈的轻度 - 互动，因此对电子和光电应用受到了电子和光电应用的青睐。TMDC和石墨烯中都没有悬空键，允许在异质结构中无缝集成，与单物质构型相比，为出色的设备铺平了道路。在使用机械去角质堆叠单个层的同时，化学蒸气沉积（CVD），电沉积和原子层沉积的最新进展为大面积的生长和可伸缩性提供了希望[1] [2]。但是，需要在生长后或生长后的高温暴露，可能会改变石墨烯的特性。我们研究了硫退火对石墨烯对TMDCS生长的电和结构特性的影响。在各种条件下，在温度范围为300-800°C的温度下进行系统退火。参考我们的发现表明，真空退火在石墨烯中诱导蚀刻，这会因硫种类的存在而加剧，从而导致电性能显着降解（图1）。值得注意的是，用自组装单层涂层的石墨烯会减轻这种降解，从而使高质量TMDC在石墨烯上沉积。MOS 2和WS 2对石墨烯的电沉积，然后进行硫退火后处理证明了该策略的功效。这项研究阐明了硫退火在影响石墨烯质量中的关键作用，并为TMDC在石墨烯上的生长铺平了道路，用于高性能电子应用。
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
NASA-MSFC的空间应用的高级陶瓷技术
简介使用常规方法的陶瓷加工技术应用于最先进的陶瓷，称为智能陶瓷或智能陶瓷或电陶瓷。[1,2]考虑到所得产品的经济方面和相称的好处，本研究中排除了溶胶 - 凝胶和湿化学加工途径。在本研究中还排除了使用陶瓷成分在制造使用真空涂料单元的涂料或设备中。基于目前的信息，预计与化学途径处理相比，常规处理方法可以提供相同的性能陶瓷。当烧结温度，加热和冷却坡道，峰值温度（烧结温度），浸泡时间（保持时间）等时，这是可能的。被认为是可变参数。此外，烧结操作之前的可选钙化步骤仍然是重要的变量参数。这些变量参数构成烧结的曲线，以获得烧结的产品。也可以与烧结曲线的变量结合使用，以获得归因于钙化步骤的多个烧结曲线的相同产品。总体而言，对潜在的热和电绝缘涂层，微电子和集成电路，离散和集成设备等进行了最先进的陶瓷技术。在太空计划中的应用程序。陶瓷系统是随机定向的单个/多相多晶半导体。聚集的粉末不能有效地填充空间。这些系统基于氧化物或非氧化物或两者组成的某种杂化复合材料。轻巧的陶瓷材料不断搜索各种空间应用，作为传感器，微电器设备和电路，绝缘子，涂料，辐射屏蔽，能量转换，机械和结构支持等。利用传统的陶瓷加工方法，然后强调与钙化步骤结合烧结，以更好地执行陶瓷体。可以看到传统的陶瓷加工方法是制造积极稳定设备，防止涂料，不降解的绝缘子和结构等的经济途径。因此，智能陶瓷意味着在严重或敌对的应用领域成功使用的有效陶瓷物体而不会失败或寿命增加。陶瓷的加工/制造陶瓷加工技术涉及使用高温窑进行常规烧结的浆液和喷雾干燥的颗粒准备。本研究中未包括微波烧结和激光烧结。浆料制剂取决于原料，因为颗粒的表面电荷起着构成Zeta电位的重要作用。ZETA电位是由每个粒子从悬空键中造成的集量表面电荷产生的。电荷密度的性质决定了浆料的p h，因此与Zeta电位有关。通常，高ZETA电位表示分散良好的浆液，而低Zeta电位表示弱或强烈倾斜的浆液。此外，颗粒的聚集也是范德华表面力引起的严重问题。絮凝和聚集会导致最终产物的微观结构中的空隙。