在ER掺杂的磷酸盐玻璃中淬灭,用于紧凑的光激光器和放大器 / Pugliese,迭戈; Boetti,Nadia Giovanna; Lousteau,J。; Ceci Ginistrelli,Edoardo; Bertone,Elisa; Geobaldo,Francesco;米兰,丹尼尔。- 在:合金和化合物杂志。- ISSN 0925-8388。-657:(2016),pp。678-683。[10.1016/j.jallcom.2015.10.126]
摘要:RSA是最广泛采用的公钥加密算法之一,它通过利用模块化指数和大质量分解的数学属性来确保安全通信。但是,其计算复杂性和高资源要求对实时和高速应用构成重大挑战。本文通过提出针对RSA加密和解密的优化非常大规模的集成(VLSI)设计来解决这些挑战,重点是加速模块化凸起过程,这是RSA计算的核心。设计结合了蒙哥马利模块化乘法,以消除时间密集型的分裂操作,从而在模块化算术域中有效地计算。它进一步整合了诸如管道,并行处理和随身携带加盖之类的技术,以减少关键路径延迟并增强吞吐量。模块化启动是使用正方形和多种方法的可扩展迭代方法实现的,该方法针对硬件效率进行了优化。硬件原型是使用FPGA和ASIC平台合成和测试的,在速度,区域和功耗方面表现出卓越的性能。所提出的体系结构在保持安全性和可扩展性的同时,可以实现高速操作,使其适用于实时的加密应用程序,例如安全通信,数字签名和身份验证系统。与现有实现的比较分析突出了重大改进,将提出的设计作为下一代安全硬件加速器的可行解决方案。关键字:RSA算法,Verilog,FPGA
I.引言激光器是一种使用光学放大的设备,该设备基于电磁辐射的刺激发射来发光。最初旨在通过刺激的辐射发射来代替光放大,名称为“ Laser”是一种词典。[1] [2] Hughes Research Laboratories的Theodore Maiman于1960年根据Charles H. Townes和Arthur Leonard Schawlow的理论研究建造了第一个激光。[3]一致的光被激光发出,使它们与其他光源区分开。通过空间连贯性使激光切割和光刻等应用成为可能,这使激光器可以聚焦到小区域。此外,它可以实现准直,从而使激光束在长距离上保持狭窄,并且在LIDAR(光检测和射程)和激光指针应用中很有用。由于激光的出色时间连贯性,可以通过激光发射高度狭窄的频谱。作为一种替代性,可以利用时间连贯性来创建具有广泛光谱的飞秒持续时间的超短光脉冲。激光器在切割和焊接材料,激光盘驱动器,激光打印机,条形码扫描仪,DNA测序仪器,光纤和自由空间光学通信,半导体芯片制造(光刻术(光刻),激光手术和皮肤处理以及切割和焊接供应中。它们也用于激光照明显示器,用于娱乐目的,在军事和执法设备中用于标记目标以及测量速度和范围。一些汽车前大灯已经使用了此类设备。[17]为了将荧光作为白光源激发,还使用了在蓝色至近紫外线范围内运行的半导体激光器,以代替发光二极管(LED)。这允许由于激光的辐射更大,并消除了LED经历的下垂,因此允许发射较小的区域。[4] [5] [6] [7]术语“通过刺激辐射的发射微波放大”(Maser)是指第一个通过刺激发射使用扩增的设备,并且它在微波频率上起作用。[8]最初称为光学masers,这些相同的光学设备后来被缩写为激光,在“光”一词被用缩写为“ Microwave”一词。[9]如今,所有这些设备(例如红外,紫外线,X射线和伽马射线激光器)的运行频率高于微波(约300 GHz及以后),称为激光器,而在Microwave或下无线电频率下运行的频率则称为激光器。[10] [11]在现场,lase是一种反向形成动词,意味着发出连贯的光,尤其是指引用激光的增益培养基时。[12]据说激光在运行时正在激光。[13]自然存在的相干排放也被称为masers或激光器,如原子激光和天体物理玛莎中。[14] [15]尽管该术语建议,但单独生成灯的激光实际上是光学振荡器,而不是光学放大器。[16]一个有趣的观察结果是,将这种现象称为“通过刺激放射的光放大”作为激光缩写为“光放大”。[15]由于原始的首字母缩写作为通用名词的广泛用法,现在也称为激光放大器。
Lingjun Shu,Jingxuan Yin,Zhemin Gon,C Gao,Yongxing Liu等。设计了阴离子和阳离子共掺杂的Na3SB(WM)(X)S-4(M = Cl,Br,I)硫化物电解质,具有改善的电导率和稳定的界面质量。道尔顿交易,2023,10.1039/d3dt01151h。hal-04115631
聚合物也已成为有机热电学的潜在候选物,[7,8]有可能提供柔性,大面积和低成本的能源产生或加热 - 可吸引人的应用,例如,可穿戴能量收获,目前是传统的脆性和通常的毒性或稀有毒性或稀有层次的材料,这些材料目前是不可能的。ther- moelectric材料通过优异ZT = S2σT /κ的无量纲数进行评估,其中S,σ,T和κ分别代表塞贝克系数,电气有效性,绝对温度和热电导率。大多数连接的聚合物的特征是低κ值,从本质上有助于高ZT。通过P型共轭聚合物(例如ZT> 0.25)(PEDOT)(PEDOT)(pEDOT)等最广泛的热电研究证实了这一点。[9,10] P型和N型热电材料的性能应在任何实际应用之前彼此配对。ever,基于N型共轭聚合物的热电设备在功率因数方面仍然远低于其P型对应物(s2σ)。[11,12]因此,有效的发展
光代表一种非常通用的刺激,它用于控制变形聚合物中变形的用途可以利用要探索的多个参数(例如波长,功率和极化)来获得区分响应。聚合物,而依赖偏振的控制则可以利用二苯甲苯二异构化。随着由光热效应驱动的形状变化的聚合物在许多应用领域中越来越关注,探索极化以调节其响应可以扩大调谐参数空间并提供对材料光学特性的见识。在这项工作中,我们证明了光极化对少量推扣偶氮苯掺杂的液晶网络的变形。我们演示了如何增强聚合物基质中染料对齐方式如何导致正交极化的不同变形。这些结果证明了极化是一种方便的进一步自由度,除了光刺激的波长和强度。
摘要:在这项研究中,通过电化学方法制备了装饰的NF底物上的钴型Ni(OH)2。使用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),能量分散光谱(EDS),X射线光电学光谱(XPS)和X射线衍射(XRD(XRD)),使用扫描电子显微镜(AFM),能量分散光谱(EDS),X射线散射光谱(EDS)描述了制备材料的表面特性,粗糙度,化学成分和晶体结构。此外,使用衰减的总反射傅立叶变换红外光谱(ATR-FTIR)和拉曼光谱的光学表征技术用于确认PANI的聚合。结果表明,Pani和双金属氧化物/氢氧化物在Bare NF的平坦骨架上凝聚。在碱性培养基中进行氧气演化反应(OER)的Co-Ni(OH)2 /Pani-NF的电催化性能,并且表现出出色的电催化活性,表现出了出色的电催化活性,其过电势为180 mV@20 MA CM-2,带有Tafel Slope 62 mV dec-2 dec-2。TOF(10-2)值确定为1.58 V时为2.49 s-1,突出了Co-ni(OH)2 / pani-nf在催化OER时的内在活性升高。使用计时度测定法(CA)进行24小时的稳定性测试,以完成100 mA cm -2和循环伏安法(CV),对200个循环(CV)进行200个循环,扫描速率为5 mV s -1。结果表明,即使在暴露于这些条件之后,该材料即使在长期接触这些条件后仍保持其电化学性能和结构完整性。这些发现强调了Co-ni(OH)2 /pani-NF是OER的有效且有前途的电催化材料,有可能通过水电解来提高氢产生的效率。
摘要 - 用氧气和碳植入的氮化甘露的氮化岩在室温下显示载体介导的自旋机制。使用Tris(环戊二烯基)Gadolinium前体通过金属有机化学蒸气沉积生长的GD掺杂的GAN显示出普通的霍尔效应,并且在室温下没有浪漫主义。在o或c植入GD掺杂的GAN中,观察到表明载体介导的自旋和铁磁性的异常大厅效应。即使在植入后也保持良好的晶体质量。o和c偏爱间质站点,并在GD掺杂的GAN中占据了深层的受体型状态。由GD掺杂的GAN诱导的gadolinium诱导的室温自旋和铁磁性被占据间隙部位的O和C激活。载体介导的自旋功能的机制显示了对控制和操纵自旋作为氮化壳中的量子状态的潜力。这使gagdn:o/c成为室温旋转和量子信息科学应用的潜在半导体材料基础。在本文中,研究了使用离子植入,使用X射线衍射的结构表征在GD掺杂GAN中掺杂,并研究了使用高级HALL效应的自旋相关测量,并进行了相应的讨论。
Mbaye Dieng,Mohamed Bensifia,JérômeBorme,Ileana Florea,Catarina Abreu等。CVD石墨烯的湿化学非共价官能化:分子掺杂及其对电解质配备石墨烯现场效果晶体管晶体管的影响。物理化学杂志C,2022,126(9),pp.4522-4533。10.1021/acs.jpcc.1c10737。hal-03871463
追求高水平的掺杂而不会恶化结晶度是非常困难的,但对于释放材料的隐藏力至关重要。这项研究证明了通过激光至关重要的自由基,硼龙二氢化合物(BH 2)的激光振动激发(BH 2)在燃烧化学蒸气期间保持晶格完整性的有效途径。改进的钻石结晶度归因于硼氢化硼(BH)的相对丰度的激光,热抑制的热抑制,其过度存在会诱导硼隔离并扰乱结晶。BDD的硼浓度为4.3×10 21 cm -3,膜电阻率为28.1毫米·CM,孔迁移率为55.6 cm 2 v -1 s -1,超过了商业BDD。高导电和结晶的BDD在传感葡萄糖方面具有提高的效率,证实了激光激发在产生高性能BDD传感器方面的优势。在掺杂过程中重新获得激光激发的结晶度可以消除半导体行业的长期瓶颈。