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World File Search System掺杂
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
硼和氮掺杂碳的最新进展......
原子锁定硅中的位错，从而提高机械强度。[2,3] 用具有不同氧化态的各种元素掺杂硅的影响已得到充分证实。在碳材料中，通过化学取代可以带来物理和化学性质的显著变化。已知碳可以形成复合材料，并且可以掺杂各种材料，包括聚合物、金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、MXenes、金属有机骨架 (MOF) 等。[4–13] 然而，已经证明，用杂原子掺杂碳质材料可以改善各种性能，这是由于导电性增强、缺陷引入、孔隙率增强以及层间距离调整。近年来，一些报告强调了碳质材料在各种应用方面的进展，包括能源应用、传感应用和光伏应用。例如，2013 年，Thomas 和 Paraknowitsch 回顾了碳质材料的设计，并强调了它们在能源设备中的应用。[14] 根据该报告，S 和 P 掺杂导致碳基质中原子尺寸变化，引起结构扭曲和电荷密度改变
探索铬掺杂对电子的影响......
Cr% Δ E (meV) 稳定相 M Tot ( μB ) M Al ( μB ) M Cr ( μB ) M Sb ( μB ) 4 0.00026 铁 0.11671 0.00163 3.13973 -0.02824 8 0.00146 铁 0.23694 0.00338 3.1305 -0.05262 12 0.00313 铁 0.35691 0.00504 3.12125 -0.07593 16 0.00517 铁 0.47674 0.00663 3.11375 -0.09868 20 0.00753 铁0.59647 0.00817 3.10763 -0.12114 24 0.00095 铁磁 0.71616 0.00969 3.10249 -0.14348 此外，图3显示了Cr掺杂AlSb的配置，其表现出正的ΔE，表明其在铁磁状态下比在反铁磁状态下更稳定。图3中的分析表明，不仅杂质的3d态，而且Sb的4p态也对费米能级有显着贡献。AlSb和Cr的共掺杂表明铁磁稳定基于具有强pd杂化的双交换机制。此外，图3显示了计算出的Cr掺杂闪锌矿AlSb的居里温度（TC）。结果表明，这两种过渡金属在室温以上都有较高的TC值。值得注意的是，钒的TC高于钛，达到750K。而且，图上显示TC随掺杂浓度的增加而增加。
碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。
掺杂热塑性纳米复合材料作为添加剂
Pawan Verma、Jabir Ubaid、Kartik M Varadarajan、Brian L Wardle 和 S. Kumar* Pawan Verma 博士，德克萨斯 A&M 大学 Artie McFerrin 化学工程系，德克萨斯州大学城，77840，美国。 Jabir Ubaid 博士、S. Kumar 教授 英国格拉斯哥大学詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥，G12 8LT 电子邮件*：s.kumar@eng.oxon.org Kartik M. Varadarajan 教授 美国马萨诸塞州波士顿麻省总医院骨科外科，邮编 02114 Brian L. Wardle 教授 美国马萨诸塞州剑桥麻省理工学院航空航天系，邮编 02139 美国马萨诸塞州剑桥麻省理工学院机械工程系，邮编 02139 关键词：熔融共混、增材制造、压阻、自感应、矫形支架 摘要
掺杂YB的YA1O3的生长和特性为...
在这项研究中还研究了吸收和X（UV）射线激发发光特征。Yb 3+的电荷转移发光显示了最大值在345 nm和515nm处的双峰光谱，这拟合了所需的能量差约10000 cm“ 1” 1来自2 fs/2和2¥〜m yb的分离。激发光谱（em。= 350 nm）是圆形240 nm的峰值，这与观察到的吸收光谱是一致的。在360 nm处测得的80 K发光衰减显示了30 ns的主要衰减时间，而在室温下，由于发光猝灭，它缩短至0.8 ns。
18} $用PD和CO掺杂：T
我们对非磁性Skutterudite相关的Y 5 RH 6 SN 18超导体进行了系统研究，其中连贯长度尺度上的晶格疾病搭配搭配竞争越来越多，并产生了非均匀的，高温的超导相位，具有无序的增强型临界温度t。我们以前已经讨论过局部原子障碍的各种可能性。可能性之一是兴奋剂。我们目前的研究集中于Y 5 -δ的系列（RH 5。5 m 0。5）sn 18化合物（δ≪1），其中掺杂剂m = co，ir，ru和pd，当它们较小（CO）或大于RH时，它们比关键的firderd h c 2产生峰值效应。这种现象在AC敏感性的真实和虚构部分中表现为弱峰，并且在磁性方面更为明显。使用一个简单的理论模型，我们证明了该机制的有效性不仅取决于掺杂剂和宿主原子的差异的大小，还取决于掺杂剂是否较小还是更大。该预测与我们的实验数据之间的一致性强烈支持观察到的峰值效应的基于杂质的方案。磁磁性等温线（M = ir和ru），M的半径与R rh显示非常相似，但是，较弱的峰效应样行为，这主要是由于Y位点的空位δ，而相应的敏感性等距在H〜H C 2处显示出不同的峰值。我们还报告了y 5 rh 6 sn 18用PD和Co.这种依赖性χAC异常在本质上与峰值效应相似。但是，它不能归因于固定，并且似乎是系统的平衡属性。
表面掺杂促进三胞胎产生...
图4：用于700 nm泵以下的溶剂处理的双层膜的Ultrafast TA。a）ta表面，b）在选定延迟时间处的相应光谱。特征性的钙钛矿光漂白和光诱导的吸收特征分别标记为PB2，PB1和PIA1。底行中的光谱插图突出显示了rubrene在515 nm处的T 1→T N过渡，在550 nm处突出了rubrene和rubrene polaron。ta表面上的白色盒子和光谱中的灰色盒子表示激光散射过多。