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使用单一温度进行孵化
环境监测 (EM) 计划是制药生产中一项重要的 GMP 控制。它必须快速检测出偏离既定警报/行动限度的情况，这些情况可能会损害设施的控制状态。从环境压力中恢复的能力取决于两个主要因素：培养基的类型和质量以及培养温度（主要是两个连续的温度）的适宜性。在日常环境监测中实施单一培养温度是一项具有挑战性的任务，业内仍在讨论这一问题。最近的举措，如 PDA“一种培养基，一种温度”，提出了一种简化培养方案的方法，即使用在 25-30°C 范围内的单一温度下培养的 TSA。在 bioMérieux“体外研究”1 中，该研究检查了不同温度下各种微生物的生长情况，可以检测到所有细菌的通用温度为 25°C。bioMérieux 使用真实的 EM 样本进行了一项新研究，以比较单温培养和双温培养的性能。海报展示了所获得的结果并强调了单一温度孵化对于常规使用的适用性，同时也表明独特温度的选择可以加快检测时间并改善 EM 测试的结果时间。
基于多晶硅波导的光学温度传感器
摘要：传统温度检测在传感精度和响应时间方面存在局限性，而基于热光效应的芯片级光电传感器可以提高测量灵敏度并降低成本。本文介绍了基于多晶硅（p-Si）波导的片上温度传感器，展示了双微环谐振器（MRR）和非对称马赫-曾德尔干涉仪（AMZI）传感器。实验结果表明，基于AMZI和MRR的传感器的灵敏度分别为86.6 pm/K和85.7 pm/K。本文提出的温度传感器与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造技术兼容。得益于高灵敏度和紧凑的占地面积，这些传感器在光子电子应用领域显示出巨大的潜力。
超低温度LA2O3/ ... div>的实验研究
在本文中，提出了一个LA 2 O 3 /HFO 2双层偶极 - 偶极 - 第一（DF）工艺，并通过超低温度PVD PVD介电层压板进行了研究，以实现较低的栅极有效工作功能（EWF），以实现整体岩石3D-IC（M3D）应用。全面研究了超低温度LA-偶极子对EWF调制和界面特性的影响。发现平移电压（V FB）用较低的1nm La 2 O 3厚度呈60 mV，这提供了满足SI传导带边缘EWF调制的有效方法。此外，LA 2 O 3 /HFO 2 BI-LAYER DF工艺抑制了电子陷阱 /逐渐陷阱密度（非）和界面陷阱密度（DIT），以提高设备性能。这些结果在低热整合中表现出有希望的双层DF工艺，用于高级IC技术。
冷却还是不冷却？温度网络通过DRO
温度参数在训练和/或推理大型基本模型（LFM）（例如大语言模型（LLMS）和剪辑模型）中起着重要作用。，它调整了LLMS中的软马克斯函数的逻辑，这对于接下来的令牌生成至关重要，并且可以扩展训练夹模型的对比损失中的相似性。一个重要的问题仍然存在：“学习一个新网络以预测任何输入数据以增强LFM的个性化温度是否可行？”在本文中，我们提出了一个原则上的框架，用于学习一个小型但可推广的预测网络（TEMPNET），以改善LFM。我们的解决方案由一个新颖的学习框架组成，其强大的损失受到约束的分布强劲优化（DRO）和具有理论灵感的正确设计的fempnet。tempnet可以通过大型基础模型从头开始训练，也可以单独学到了审议的基础模型。它不仅用于预测个性化温度以促进LFM的训练，而且可以推广到新任务。我们在LLM和夹子模型上进行的实验表明，Tempnet极大地改善了现有解决方案或模型的性能，例如表1。可以在https://github.com/zhqiu/tempnet上找到重现本文实验结果的代码。
二维材料的温度打印和涂层
（或溶剂混合物），可进一步加工成可印刷或可涂覆的油墨。这些悬浮液的行为通常用 Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek (DLVO) 理论描述，[3] 这意味着悬浮液中纳米片的浓度有一个上限，超过该上限悬浮液就会变得不稳定。[4] 尽管如此，高浓度悬浮液（油墨）对于形成渗透粒子网络是必要的，[5] 并且满足高通量印刷和涂层方法的流变学要求（例如高粘度）。无论浓度如何，悬浮液在热力学上都是不稳定的，并且粒子倾向于通过聚集来降低其表面能。[6] 为了降低沉降速度，必须最小化溶剂和 2D 材料之间的表面能差异，[3] 这使得分散介质的选择限制为少数溶剂，而这些溶剂的溶解度范围可能不适合后续加工。在传统的油墨配方中，为了解决上述问题，将二维材料悬浮液加工成可印刷或可涂覆的油墨，需要使用表面活性剂、粘合剂和流变改性剂等添加剂。[7–10] 例如，需要高浓度的聚合物粘合剂（如70 mg mL-1乙酸丁酸纤维素）来将石墨烯油墨的粘度提高到适合丝网印刷的水平。[11] 由于典型的添加剂会对电子性能产生不利影响（例如，
场外每小时疫苗温度记录
正在提供的疫苗：____________________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________________
SENSYLINK微电子（CT75）数字温度...
1.1 温度数据的数字输出 ............................................................................................................................. 12 1.2 温度高于 128 .................................................................................................................................. 12 1.3 寄存器映射 ............................................................................................................................................. 13 1.4 寄存器描述 ............................................................................................................................................. 13 1.4.1 Temp_Data，温度数据 ............................................................................................................. 13 1.4.2 Config，配置设置寄存器 ............................................................................................................. 13 1.4.3 Low_Temp_Set，设置低温限制寄存器 ............................................................................................. 15 1.4.4 High_Temp_Set，设置高温限制寄存器 ............................................................................................. 15 1.5 SMB US 数字接口 ............................................................................................................................. 16 1.5.1 从机地址................................................................................................................................ 16 1.5.2 超时 .......................................................................................................................................... 16 1.5.3 SMBus 协议 .............................................................................................................................. 17 1.5.4 与 I2C 兼容 ............................................................................................................................. 17 1.5.5 广播呼叫 ...................................................................................................................................... 17 1.5.6 高速 (Hs) 模式 ............................................................................................................................. 17 1.6 警报输出 ............................................................................................................................................. 18 1.6.1 比较器模式 (ALTM = 0) ............................................................................................................. 18 1.6.2 中断模式 (ALTM = 1) ............................................................................................................................. 18 1.6.3 SMBus 警报响应地址 (ARA) ............................................................................................................. 19
根据沉积温度确定 Cu3N 质量
氮化铜（Cu3N）是一种在微电子和可再生能源领域有良好应用前景的材料，其质量在很大程度上取决于沉积条件，其中温度是一个关键参数。本研究采用反应溅射技术在环境温度至 300°C 的温度下沉积 Cu3N 薄膜。通过 XRD、VIS-NIR 光谱法和霍尔效应测量评估了薄膜的结构、光学和电学特性。为了确定薄膜的质量，使用了三个关键指标：位错密度、Urbach能量和载流子迁移率，这项工作的主要目标是在不损害材料化学完整性的情况下找到这些指标的最佳值，因为特性表明，在高温下，结构和电学变化表明Cu3N部分分解为金属铜。
