XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System阈值电压
MIL-STD-883 (PDF)
1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.8 稳态寿命 1006 间歇性寿命 1007 一致寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.7 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.10 密封 1015.9 老化测试 1016 寿命/可靠性特性测试 1017.2 中子辐照 1018.2 内部水蒸气含量 1019.4 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.2数字微电路的剂量率翻转测试 1022 Mosfet 阈值电压 1023.2线性微电路的剂量率响应 1030.1预封装老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性寿命测试 1034 芯片渗透测试（针对塑料设备）
电路可靠性预测：设备时间相关的可变性特征障碍
I.必须采用一种可靠性的设计（RAD）方法来维持超级CMOS技术节点的系统可靠性。在那里，必须在早期/系统设计阶段进行优化的可靠性以及性能[1，2]。电路可靠性受到基础设备的时间依赖性变异性（TDV）的强烈影响。tdv被观察到设备电特性的移位（例如，测量为阈值电压的变化），与过程相关的偏移一起（即时间零变异性TZV）将对电路性能产生负面影响，并最终可能以电路故障结束[3，4]。因此，为了弥合设备和电路级别之间的缝隙，必须将精确描述设备TDV的紧凑型模型开发并实现到电路仿真工具中[5，6]。实际上，尽管没有完全应对所有挑战[9]，但诸如Relxpert [7]或Mosra [8]等几种CAD商业工具已经评估了IC可靠性。
分析不对称连接中的On-Off电流比...
当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
使用GSM和...
如今，成千上万的人遭受了地震遭受的痛苦。这主要是因为地震袭击而没有警告，并且对建筑物，道路，铁轨，工厂，水坝，桥梁等人类结构造成了巨大破坏，从而对人类财产造成了严重的破坏。地震造成的影响，尤其是在构造敏感的丘陵地区和山脉中引起的山体滑坡和碎屑落在人类定居点和下坡段上的运输系统上，从而对其造成了损害。地震的主要缺陷是它在没有警告的情况下罢工。因此，我们需要尽早照顾它。唯一的方法是避免灾难。地震发生后，我们的当局仅考虑并困扰和困扰危机和危机。因此，我们需要在地震发生之前检测地震。通过使用传感器，加速度计和网络，我们可以检测到地球下发生的振动。当系统的阈值电压越过地球的振动时，信号将通过GSM传递到中心站。
MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
统计策略来捕捉纳米 CMOS 逆变器中过冲效应和传播延迟时间之间的相关性
引言近年来，统计变异性 (SV) 对纳米 CMOS 电路时序的影响引起了广泛关注[1]–[8]。SV 使数字电路在关键路径延迟甚至功耗方面表现出非确定性性能，而不是确定性行为。SV 的主要来源包括随机掺杂波动 (RDF)、线边缘粗糙度 (LER) 和金属颗粒粒度 (MGG) [9]–[11]。这些来源影响器件电气性能指标，如阈值电压 (V th)、关态电流和亚阈值斜率 (SS)，进而对电路行为产生重大影响。特别是，文献 [12]–[20] 广泛研究了工艺和随机变异性对传播延迟时间的影响。在一项开创性的工作中，作者提出了一个半解析模型来预测由 V th 变化引起的逻辑电路延迟分布 [12]。不同技术节点下由 RDF 引起的传播延迟变化是综合的
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。
鳍宽度对三门电气参数的影响
三栅连接粉末的非平面3D结构使它们能够缩放到22nm及以后，并且具有更好的性能。但是鳍宽度的变化对设备性能有影响。在本文中，已经评估了各种鳍片宽度对无连接三栅极鳍片的影响。对不同的设备电气参数，例如电流，关闭电流，I ON /I OFF，阈值电压，子阈值斜率，DIBL，跨导率进行了不同的鳍宽度和分析。结果表明，对于长通道设备，以较高的I ON /I OFF和较小的子阈值斜率值，DIBL的较小值获得了更好的性能，而对于短通道长度设备，由于较小的鳍片宽度较小，由于较小的鳍片宽度，由于降低了较小的鳍片宽度，因此较小的下端斜率和DIBL和IN /I ON /I ON /I ON /I ON /I off比例提高。