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为了减轻这一步骤的影响，光刻掩模版通常会偏置，以使 RDL 线之间的间隙增加到铜种子厚度的两倍。这会影响光刻分辨率要求，因为线之间的较大间隙会缩小光刻胶线宽以保持相同的间距。例如，2µm L/S 铜互连，铜种子层为 2,500Å，需要 1.5µm 的光刻胶线宽，间距为 2.5µm。一旦种子金属被闪蚀刻，最终的互连将是 2µm L/S。这是由湿蚀刻的各向同性性质造成的。这种方法适用于较大的 RDL 尺寸，但需要能够成像较小几何形状的光刻系统才能满足最终的 L/S 尺寸。
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