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AIT 的科学家们创造了 ESP7660-SC 和 ESP8660-SC 系列等 DAF，以满足市场对更高生产率的需求，这些 DAF 可在无压力下更快地固化，在高达 250°C 的温度下实现更快的引线键合，并在高达 200°C 的温度下进行成型操作。AIT 的 ESP7455-HF 和 ESP8450-HF 还利用聚合物分子工程吸收键合界面应力，提高了堆叠芯片大型设备的可靠性。此外，这些薄膜在粘合和固化之前还能提高薄膜的完整性。凭借这些新进展，AIT 率先为最大的 450 毫米晶圆尺寸生产出 8-10 微米的绝缘 DAF。对于需要银填充导电 DAF 的功率器件，AIT 的 ESP8660-HK 已被证明在 20 微米的厚度下效果最佳。
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