机构名称：
¥ 1.0
特拉维夫大学材料科学与工程系，拉马特阿维夫 6997801，以色列 摘要 先进的 2D 材料（如 MXenes）表现出卓越的电气、机械和热特性，使其成为集成电路架构中理想的替代品，而传统金属元件则受到持续小型化和功率限制的挑战。在这项工作中，我们介绍了一种可扩展的方法，通过结合光刻和旋涂技术来制作 10 纳米以下 MXene 薄膜图案。这种方法可确保形成均匀的微图案，而创新的、简单的 HCl 处理步骤可有效清除盐残留物，这是 MXene 合成中反复出现的问题。所得 MXene 薄膜厚度约为 6-7.5 纳米，光学透明，能够精确地进行微图案化，横向分辨率低至 2 µm。严格的分析表明，这些薄膜表现出卓越的导电性，并且 MXene-Si 结具有高光敏性。所提出的方法与现有的微电子制造装置无缝集成，标志着 MXene 在柔性、透明和可穿戴电子产品（从互连线和电极到高灵敏度光电探测器）中的应用取得了重大进展。
马克西姆·索科尔
主要关键词
相关文件推荐
