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摘要 — 本摘要介绍了一种基于低温逆变器的两倍电流再利用和 40 纳米 CMOS 双噪声消除低噪声放大器 (LNA)。所提出的 LNA 由三级组成：基于电流再利用逆变器的输入级，具有分流电阻反馈和自体偏置 (SBB)，可在低温下缓解 V th 增加并提高 r out。第二级是双辅助噪声消除级，带有额外的电流再利用并联晶体管，可增强跨导并抑制主放大器和辅助放大器的噪声。最后一级是共源后置放大器，可进一步增强增益。在 4 K 下，LNA 实现了 31 dB 的测量峰值增益 (S 21)，具有从 10 MHz 到 2.6 GHz 的大 3-dB 带宽，在 0.6 GHz 下，功耗为 8.6 mW，最小 NF 为 0.1 dB（对应于 6.8 K 的噪声温度 TN）。该电路占用的核心面积为 0.117 mm 2 。
0.01 至 2.6 GHz 两倍电流重用双噪声...
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