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上午 8:15 AP+EM+PS+TF-MoM-1 解锁原子画布：区域选择性沉积在下一代存储设备中的应用和挑战，Ebony Mays，美光科技邀请半导体行业正处于人工智能驱动革命的风口浪尖，推动集成电路设备的缩放和密度趋势。随着我们深入研究电路架构的 3D 转换，我们被迫寻找解决内存和存储瓶颈以及容量需求的解决方案。这种必要性正在推动新一波架构、材料和工艺技术创新，以满足功率、性能和成本需求。在极高的纵横比下控制原子级材料沉积和去除的推动比以往任何时候都更加重要。在这种背景下，区域选择性沉积 (ASD) 成为应对这些不断发展的挑战的有力工具。随着新材料在更高纵横比下的应用，我们必须继续扩展我们的工具箱，为 ASD 添加新的前体和沉积技术。本次演讲将讨论在内存设备制造应用中使用 ASD 所面临的一些挑战和障碍。演讲还将重点介绍这些领域的创新和合作机会，强调未来技术创新的必要性。半导体行业的未来取决于我们在这些关键领域的创新和合作能力。
2024 年 11 月 4 日星期一上午 - AVS 研讨会
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