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本研究主要集中于使用量子理论对低温 InP HEMT 高频电路进行分析，以发现晶体管非线性如何影响所产生模式的量子关联。首先，推导出电路的总哈密顿量，并使用海森堡-朗之万方程检查所贡献运动的动力学方程。利用非线性哈密顿量，将一些组件附加到 InP HEMT 的本征内部电路，以充分解决电路特性。附加的组件是由于非线性效应而产生的。结果，理论计算表明，电路中产生的状态是混合的，没有产生纯态。因此，修改后的电路产生双模压缩热态，这意味着可以专注于计算高斯量子不和谐来评估量子关联。还发现非线性因素（称为电路中的非线性分量）可以强烈影响改变量子不和谐的压缩热态。最后，作为主要观点，得出结论，虽然可以通过设计非线性分量来增强模式之间的量子关联；然而，由于 InP HEMT 的运行温度为 4.2 K，因此实现大于 1 的量子不和谐、纠缠微波光子似乎是一项具有挑战性的任务。
微波双模压缩态的量子关联...
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