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使用 SiC 掺杂 SnO 通道的高性能 P 型 TFT:通过优化掺杂和沉积后退火实现增强的迁移率和稳定性。Rauful Karim Khan 博士,日本九州大学工程科学学院先进材料科学与工程系助理教授。
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