机构名称：
¥ 1.0
此过程允许缝隙在晶体结构内移动。充当空缺（空位） +Q（孔，空，空心）的粒子。孔密度由（Houles/cm 3）图标表示。如上所述，每个断裂键形成两个负载颗粒：1个电子和1个孔。原始（未加成的，“固有”）变为硅的n = n i =，电子和孔密度的产物
elm201 katihalelektronë叶
主要关键词
相关文件推荐
