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研究相位内存材料（PCM-相变位置）的薄膜的性质，特别是在过去5年中，ge-sbte系统的连接，大量工作专门用于[1-3]。对PCM材料的兴趣增加是由于它们在电相存储器中的前景[4，5]，各种积分光学设备的光谱[6]和神经形态计算系统[7]。PCM设备的作用原理是基于薄膜的光学和/或电物理特性的显着变化，其相变为低能激光或电撞击暴露引发。例如，在工作[8，9]中检查的完全光学整合的高速能量依赖性记忆中，该层的薄射击波的相位状态发生了变化
确定光宽度的功能...
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