机构名称：
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1973），他指出，当将金属和半导体放置在亲密接触中时，它们的表面都将被改变，尤其是通过电子从金属穿透到半导体表面的能力，通过隧穿进入禁止的能量隙。这种效果改变了电荷分布，因此可以以质量上很大的结果来解释界面处的电场。逐渐清楚地表明，定量的效果不足以解释地表状态的数量或空间分布。Thanailakis的结果（J.Phys。C. 8,655; 1975年），是确定这一点最重要的之一。我们现在提出了最新建议，并得到了斯坦福大学Spicer及其小组的广泛和令人印象深刻的实验数据的支持。最新纸（Spicer等人物理。修订版Lett。 44，420; 1980）阐明了他们在许多复合半导体中提出的屏障形成的机制。 这些材料在禁止能量隙中没有内在的表面状态。 也就是说，在这些材料的分裂表面上，Fermi能量被发现Lett。44，420; 1980）阐明了他们在许多复合半导体中提出的屏障形成的机制。这些材料在禁止能量隙中没有内在的表面状态。也就是说，在这些材料的分裂表面上，Fermi能量被发现
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