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2. 等离子体 180 GBd 4:1 MUX-驱动器-发射器 图 1(a) 所示的 EPIC 发射器组件由一个 1.5x3 mm 2 SiGe BiCMOS 芯片组成，该芯片带有单片集成等离子体调制器，安装在一个 5x7 cm 2 PCB 上。电子层堆栈由 IHP 采用改进的 SG13G2 工艺制造。电光层由 ETH 采用基于电子束光刻的工艺制造。有关该工艺的更多详细信息，可参见 [10]。使用的有源电光材料 BAHX 是最近报道的高性能 BAH13 材料 [11, 12] 的可交联变体，该材料经过静电极化和交联 [13]。该组件与 RF 连接器、带状电缆、光纤和无源散热器连接。图 1(e) 给出了输出级的放大图。
180 GBd 电子等离子体 IC 发射器
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