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摘要 与传统电路相比，量子电路对外部波动表现出前所未有的敏感性，在毫米大小的区域中，只需一个原子缺陷就能完全破坏设备性能。因此，为了提高设备一致性，必须找到减少缺陷数量的方法，从而降低实现容错大规模纠错量子计算的硬件门槛。鉴于这些缺陷的隐蔽性，理解它们所需的材料科学目前处于未知领域，必须开发新技术来将材料科学的现有能力与超导量子电路界确定的需求联系起来。在本文中，我们概述了表征与超导量子电路相关的材料缺陷的化学和结构特性的方法。我们介绍了最近的发展，从在操作技术（其中量子电路用作缺陷本身的探测器）到原位分析技术和成熟的非原位材料分析技术。量子电路社区现在越来越多地探索后者，以将特定材料特性与量子比特性能关联起来。我们重点介绍一些特定的技术，这些技术如果得到进一步发展，将特别有前景，并将为未来的量子材料分析技术工具箱做出贡献。
超导量子电路中材料缺陷的化学和结构识别
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