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- 凭借论文“基于氧化铪的电阻式随机存取存储器的紧凑模型”，荣获 2013 年 5 月 29-31 日在意大利帕维亚举行的 ICICDT（国际集成电路设计与技术会议）“最佳学生论文奖”。 - 分别于 2014 年 1 月 13 日和 2017 年 12 月 15 日获得摩德纳雷焦艾米利亚大学校长教授颁发的“杰出国际研究员证书”。 - 凭借在 2015 年最佳博士论文中获得的“2015 年度最佳博士论文奖”。 - 凭借论文“通过随机电报噪声特性探测高 k / 金属栅极鳍式场效应晶体管 (FinFET) 应力作用下的缺陷产生”荣获 2016 年 9 月 12 日至 15 日在瑞士洛桑举行的 2016 年 ESSDERC (第 46 届欧洲固态器件研究会议)“最佳论文奖”。 - 凭借论文“边界陷阱对 InGaAs 量子阱 MOSFET 中磁滞和迁移率测量的影响”荣获 2016 年意大利电子学会 (Gruppo Italiano di Elettronica)“最佳口头报告奖”。 - 凭借论文“SIMPLY：使用 RRAM 紧凑模型设计基于 RRAM 的智能逻辑内存架构”荣获 2019 年 ESSDERC（第 49 届欧洲固态器件研究会议）“最佳论文奖”，2019 年 9 月 23 日至 26 日，波兰卡科夫。 - 凭借论文“二值化神经网络中内存推理的电路可靠性分析”荣获 2020 年 IEEE IIRW（国际综合可靠性研讨会）“最佳学生论文奖”，2020 年 10 月 4 日至 29 日，美国加利福尼亚州 Fallen Leaf Lake。 - 凭借论文“二值化神经网络中内存推理的电路可靠性分析”荣获 AICI（意大利集成电路设计协会）“E. 2010 年至 2012 年期间，卡拉布里亚大学最优秀的工程学研究生获得了“Loizzo 纪念奖”。 - IEEE 学生会员（2012-2014 年）、会员（2015 年至今）。 - IEEE 青年专业人员会员（2015 年至今）。 - IEEE 电子设备协会会员（2018 年）。 - SIE - Società Italiana di Elettronica 会员（2013 年至今）。
Francesco Maria Puglisi – 个人简历
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